Характеристикам транзистораПод влиянием колебаний температуры в достаточно широких пределах характеристики электроизоляционных материалов и изделий претерпевают существенные изменения, ставящие под сомнение возможность использования материалов. Практически важные показатели электрической изоляции с повышением температуры в большинстве случаев ухудшаются. Поэтому исключительное значение приобретает способность материала выдерживать повышенную температуру без существенного уменьшения эксплуатационной надежности; иными словами, исключительно важен вопрос о наивысшей допустимой рабочей температуре изоляции. К тепловым характеристикам относятся удельная теплопроводность, температуры размягчения и воспламенения материалов, иагревостойкость, стойкость к термоударам, холодостойкость.
Для каждого вида электроизоляционного материала и соответственно области его применения наибольший практический интерес представляет определение лишь некоторых физико-химических характеристик. К таким распространенным характеристикам относятся кислотное число и вязкость электроизоляционных жидкостей и размягчаемых веществ, химическая стойкость материалов, соприкасающихся с агрессивными средами, влагостойкость и ат-мосферостойкость материалов, подвергающихся соответствующим климатическим воздействиям.
Кроме описанных функциональных преобразователей, предназначенных для воспроизведения различных нелинейных зависимостей, в практике моделирования находят широкое применение специальные схемы для расчета и исследования элементов, имеющих характеристики со скачкообразным изменением выходного сигнала. К таким характеристикам относятся ограничение коор« динат по модулю, характеристики зоны нечувствительности, люфта, релейная и др. Эти характеристики объединяются в группу типовых нелинейных зависимостей, и для их воспроизведения в АВМ используются специальные диодные схемы [2].
Технические характеристики РЛС выбирают, исходя из основных тактических требований. К основным техническим характеристикам относятся: длина волны несущих колебаний, мощность передатчика, чувствительность приемника, длительность и частота повторения импульсов, ширина диаграммы направленности и метод обзора. Важное значение имеют также масса, габариты и потребляемая мощность
К важнейшим характеристикам усилителей относятся амплитудно-фазовая и амплитудная. Амплитудно-фазовая характеристика /С (/со) называется обычно комплексным коэффициентом усиления. Коэффициент усиления определяется как отношение амплитудных или эффективных значений выходного синусоидального напряжения ко входному синусоидальному напряжению:
К основным параметрам усилителя, определяемым по амплитудно-фазовой и амплитудной характеристикам, относятся: полоса пропускания; коэффициент усиления (на некоторой средней частоте); динамический диапазон, в пределах которого усилитель может считаться линейным.
Дефекты МЭ и ИМ при работе их под нагрузкой вызывают значительные перегревы отдельных областей или всего изделия в целом, что может привести к последующему его отказу. Поэтому контроль реальной картины теплового поля в изделии необходим для успешного конструирования высоконадежных изделий. Для определения температуры обычно используют какую-либо физическую характеристику тел, от нее зави-•ййЩую и поддающуюся -непосредственному измерению. К таким термометрическим характеристикам относятся: линейное расширение тел, изменение электрического сопротивления проводников, термоэлектрические явления, изменение цвета и яркости специальных покрытий,
К нормируемым метрологическим характеристикам относятся:
'Как известно, все тела в природе состоят из дискретных частиц. Эти-частицы называются элементарными. Каждая элементарная частица облада-ет своими характеристиками, отличительными от характеристик другй^'Чйс-тиц. К таким характеристикам относятся: масса покоя, электрический зР ряд, спин, магнитный момент, время жизни и др. Элементарные частицы входят в состав атомов и молекул вещества, но они могут быть и в свободнйм состоянии. Таковы, например, электроны, составляющие «электронный газ» в металлических проводниках; электроны катодных потоков в электронных лампах и т. д. '
К метрологическим характеристикам относятся динамические характеристики средств измерений — характеристики инерционных свойств средств измерений, определяющие зависимость выходного сигнала средства измерений от меняющихся по времени величин: параметров входного сигнала, внешних влияющих величин, нагрузки. Динамические характеристики средств измерений определяют динамическую погрешность (см. § 2.5). В зависимости от полноты описания динамических свойств средств измерений различают полные и частные динамические характеристики (ГОСТ 8.256—77). К полным характеристикам относятся: дифференциальное уравнение, импульсная характеристика, переходная характеристика, передаточная функция, совокупность амплитудно- и фазо-частотной характеристик. К частным динамическим характеристикам относят отдельные параметры полных динамических характеристик, не отражающие полностью динамические свойства средств измерений. Частной динамической характеристикой является время установления показаний.
выходные и передаточные. К входным характеристикам относятся: допустимые значения входного напряжения или тока, входное сопротивление и входная емкость. Обычно эти характеристики определяются параметрами источника входного сигнала.
где hik3 (i=\, 2; k=\, 2) — соответствующие частные производные, которые легко могут быть найдены по входной и выходным характеристикам транзистора ( 1.24), включенного по схеме с общим эмиттером:
Вольт-амперные характеристики фотодиода в этом режиме при различных значениях светового потока показаны на 4.9. Они аналогичны коллекторным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общей базой, только параметром является не ток эмиттера, а световой поток фотодиода. При наличии нагрузочного резистора #н, включенного последовательно с источником э. д. с. ( 4.10), значения тока / и напряжения ?/вых можно определить, построив линию нагрузки, соответствующую сопротивлению резистора Rn (см. 4.9). Как видно, ток мало зависит от сопротивления нагрузочного резистора и приложенного напряжения.
Задача 1.34. По входным характеристикам транзистора ( 1.16, а) определить параметры /г11Э и /г12Э в рабочей точке с напряжениями С/БЭ = 350мВ и С/кэ = 5 В.
Задача 1.36. Определить характер зависимости параметра /г21э от режима по выходным характеристикам транзистора ( 1.16, б).
Входные и выходные параметры транзистора связаны между собой. Как отмечалось выше, эта связь может быть выражена двумя способами: с помощью входных и выходных статических характеристик транзистора и через параметры транзистора, представленного в виде четырехполюсника. Определение параметров четырехполюсника расчетным путем затруднительно, поэтому на практике используется способ нахождения этих параметров по входным и выходным статическим характеристикам транзистора ( 6.19).
Следовательно, необходимо выбрать транзистор с параметрами ЯДОп> >0,685 Вт; (Уэ.к.доп>20 В; /к.доп>50 мА. Этим условиям удовлетворяет, например, транзистор типа КТ602Б [ЯЯОд = 0,85 Вт (без дополнительного теплоотвода); ?Л>.к.доп=70 В; /к.доп = 75 мА; рмин = 50; Рмаис = 200]. По входным характеристикам транзистора (Л>.б=/(/б) находим, что при токе базы до 10 мА значение U э. б не превышает 0,5 В.
а) по входным характеристикам, полученным при выполнении опыта по п. 2, определить характеристические /г-параметры транзистора (h\\ — входное сопротивление, /ii2 — коэффициент внутренней обратной связи), для этого на характеристиках построить характеристический треугольник;
б) по выходным характеристикам (п. 3) определить параметры hz\ — коэффициент усиления по току и h^ — выходную проводимость транзистора; характеристические треугольники строить на линейных участках характеристик;
5. Как по статическим характеристикам транзистора определить коэффициент усиления по току Ki в схеме с общим эмиттером?
8.93. По входным характеристикам транзистора в схеме
8.97. По входным характеристикам транзистора в схеме с общей базой ( 8.18,а) в рабочей точке с напряжением эмиттер — база ?/ЭБ=0,62 В и напряжением коллектор]— база ?^Б = — 5 В определить параметры Лпб и А,1б.
Похожие определения: Характеристиках транзистора Характеристики катодного Характеристики логических Характеристики находятся Характеристики несколько Характеристики определяющие Характеристики параметры
|