Характеристиками транзистора

На вольт-амперных характеристиках /„ = ф (ив) ( 1.1, в, г, д) прямое направление тока соответствует первому квадранту, обратное — третьему. Чем больше будут отличаться друг от друга сопротивления вентиля гоб и гпр, тем сильнее скажется его однополярность и тем больше будет относительное содержание постоянной составляющей (среднего значения) /ср в выпрямленном токе. Поэтому вентиль с характеристиками, приведенными на 1.1, в, предпочитают вентилю с характеристиками, приведенными на 1.1, г. Вентиль ( 1.1, в) следует признать идеальным, так как его обратное сопротивление гоб равно бесконечности, а прямое гпр — нулю.

5.21. В усилительном ка:каде с общим эмиттером H;;I транзисторе П416 коллекторный ргзистор ихс.:;г сопротивление ?'ь=0,5кОм, а э.д.с. ?К=15В ( 9.20) Определить сопротивление резистора/?^ для обеспечения режима А. работы усилительного каскада. Найти /Су, Kf, KP, /?вх, /?вых., вое тользоВгЗ вшись значениями ^-параметров транзистора П4161, найденными в задаче 9.13, и выходными характеристиками, приведенными на 9.13,6, построив по ним переходную характеристику.

реактивный двухполюсник Многоэлементный реактивный двухполюсник может быть получен в результате различных сочетаний одноэлементных и двухэлементных двухполюсников. Пользуясь частотными характеристиками, приведенными выше, можно построить частотные характеристики для трех-, четырех- и многоэлементных реактивных двухполюсников. При этом однородные элементы, соединенные параллельно или последовательно, должны быть сначала заменены одним элементом. Такие двухполюсники будем называть «приведенными». Из свойства положительности производной dZ/j d& (или с?У//Ао) следует, что нули и полюсы функций Z (или Y) должны чередоваться, так как при наличии двух последовательных нулей, не разделенных полюсом, имелся бы участок характеристики с отрицательной производной.

Многоэлементный реактивный двухполюсник может быть получен в результате различных сочетаний одноэлементных и двухэлементных двухполюсников. Пользуясь частотными характеристиками, приведенными выше, можно построить частотные характеристики для трех-, четырех- и многоэлементных реактивных двухполюсников. При этом одно-

Проиллюстрируем сказанное характеристиками, приведенными на 7.20,а. Характеристика / отвечает нормальному режиму. Характеристика /// — короткому замыканию, причем ее участок 2 3 соответствует режиму, когда форсирование возбуждения еще не началось; на участке 3 4 действует форсировка возбуждения. Участок 5 6 соответствует режиму, наступающему после отключения короткого замыкания, но при увеличивающемся вплоть до потолочного значения (точка 6) токе возбуждения. Участок 67 — это та же характеристика послеаварийного режима, но построенная при потолочном токе возбуждения, т. е. при постоянном значении ?<7<х>= = Ецпот Ускорение при коротком замыкании определяется площадкой 12344'!. Равная ей площадка торможения имеет значение 4' 5 6 7 7' 4'.

Предположим, что произошло снижение напряжения* от U0 до Ui и соответственно изменение характеристик от М0 --= /(б) ДО Л*4 = /(б) ( 12.16,а). Процесс будет определяться характеристиками, приведенными на 12.16. При снижении напряжения до Ut система остается устойчивой, как бы долго ни продолжалось это

Для схемы с общим эмиттером семейство входных характеристик запишется как /0 — /(мбэ) при икэ == const. Каждая из характеристик семейства снята при определенном, постоянном для этой характеристики значении икз ( 3.20). Выходные характеристики отражают зависимость выходного тока от выходного напряжения, т. е. записываются в виде /„ = /(ыкэ) при /Q = const ( 3.21). Отпирающий (втекающий в базу) ток i0 считается положительным, запирающий (вытекающий) — отрицательным. Аналогично ток «'„, втекающий в коллектор, также считается положительным. Пользуясь характеристиками, приведенными на 3.20 и 3.21, можно показать все возможные режимы работы транзистора.

жают зависимость выходного тока от выходного напряжения, т. е. записываются в виде iK=f(uK3) при z'6 —const ( 3.19). Отпирающий (втекающий в базу) ток is считается положительным, запирающий (вытекающий) — отрицательным. Аналогично ток iK, втекающий в коллектор, также считается положительным. Пользуясь характеристиками, приведенными на 3.18 и 3.19, можно показать все возможные режимы работы транзистора.

Необходимая мощность приемника избыточной энергии о такой характеристикой при прочих равных условиях будет меньшей по сравнению с необходимой мощностью приемников энергии, обладающих характеристиками, приведенными на 6.5. Меньше будет и значение избыточной энергии.

ное соответствие характеристики генераторов и турбин. Первые определяются применительно к простейшей системе характеристиками, приведенными на 2-16. Для каждого установившегося режима системы мощность турбин может считаться

Проиллюстрируем сказанное характеристиками, приведенными на 7.25, а. Характеристика / отвечает нормальному режиму; характеристика /// — короткому замыканию, причем ее участок 2-3 соответствует режиму, когда форсирование возбуждения еще не началось; на участке 3-4 действует форси-ровка возбуждения. Участок 5-6 соответствует режиму, наступающему после отключения короткого замыкания, но при увеличивающемся до потолочного зна-

Рабочая точка А режима покоя определяется статическими характеристиками транзистора на основе метода нагрузочной характеристики аналогично 6.11, если принять /Бп < /Кп ( 10.63), т. е. /Кп *

Прямая MN, называемая линией нагрузки, построена по двум точкам, соответствующим режиму холостого хода и короткого замыкания (координаты точки Af :/к^=0, ?/к=?к; координаты точки N: С/к=0, /к=?к//?к). Точки пересечения линии нагрузки с выходными характеристиками транзистора определяют ток /к и напряжение на транзисторе С/к при любом заданном значении тока базы /Б .

Переходная, или передаточная, характеристика усилителя /К=/(/Б ) построена по точкам пересечения линии нагрузки с выходными характеристиками транзистора. Из 2.2 видно, что передаточная характеристика нелинейна, но на ней можно выделить линейный участок ab.

Задача 1.35. Пользуясь выходными характеристиками транзистора для схемы с общим эмиттером ( 1.16, б) в рабочей точке с напряжением UK3 = 25 В и током базы 300 мкА, определить параметры /z2i3 и Л22э-

На 2.17, б приведены выходные ВАХ биполярного транзистора, включенного по схеме ОЭ. По сравнению с выходными характеристиками транзистора, включенного по схеме ОБ, они имеют больший наклон, т. е. на их вид большое влияние оказывает эффект Эрли. Главной особенностью выходных ВАХ схемы ОЭ является то, что они полностью расположены в первом квадранте. Ток /кэо, протекающий в цепи коллектор — эмиттер транзистора при оборванном входном электроде — базе (/б — 0), намного больше обратного тока коллекторного перехода:

Рабочая точка А режима покоя определяется статическими характеристиками транзистора на основе метода нагрузочной характеристики аналогично 6.11, если принять /Бп < /Кп ( 10.63), т. е. /Кп *>

Рабочая точка А режима покоя определяется статическими характеристиками транзистора на основе метода нагрузочной характеристики аналогично 6.11, если принять /Бп ^/Кп ( 10.63), т.е. /Кп »

Для проведения графического расчета необходимо располагать входной и выходной статическими характеристиками транзистора по схеме ОЭ. Построив нагрузочные прямые по постоянному и переменному току, определяют параметры точки покоя. Используя также входную динамическую характеристику для известного значения амплитуды напряжения (или тока) входного сигнала. Um (/m), находят амплитудные значения напряжения и тока на выходе усилительного каскада (UKm, /кш). Такие построения для усилительного каскада по схеме ОЭ ( 4.13, а и 2.16) были проведены в § 2.3 (см. 2,17, а). По результатам графических построений можно определить основные параметры усилительного каскада:

Входными характеристиками транзистора, включенного по схеме с общей базой, является зависимость тока эмиттера /э от напряжения между эмиттером и базой Ua6, снятая для

Выходными характеристиками транзистора, включенного по схеме с ОБ, называют зависимость тока коллектора /к от напряжения?7к6, снятую для нескольких неизменных значений тока эмиттера /„ ( 3.27).

Выходными характеристиками транзистора для схемы с ОЭ называют зависимость тока коллектора /к ( 3.30) от напряжения икъ, снятую для нескольких фиксированных значений тока базы /6. Характеристика /б = — 'кбо соответствует ?/бэ = = 0, в этом случае инжекция носителей из эмиттера в базу отсутствует и в выходной цепи транзистора проходит только тепловой ток коллектора /кбо. Этот же ток «втекает» в базу. При значениях U63, близких к нулю, эмиттерный переход приоткрывается, и начинается инжекция носителей из эмиттера в базу и из базы в эмиттер. Когда ток базы, являющийся электронной составляющей тока эмиттера, будет равен по величине встречно направленному току /кбо, результирующий ток в цепи базы будет равен нулю. В коллекторной цепи в этом случае проходит ток / „бо, называемый условно тепловым током коллектора для схемы с ОЭ.