Характеристики параметры

5. В чем проявляется влияние внешних цепей на характеристики параллельного колебательного контура?

Эксперимент 4. Частотные характеристики параллельного колебательного контура (исследования с помощью Боде-плоттера).

Эксперимент 4. Частотные характеристики параллельного колебательного контура.

3.5. ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПАРАЛЛЕЛЬНОГО КОНТУРА

3.5. Частотные характеристики параллельного контура................................ 62

Частотные характеристики параллельного контура определяются резонансом токов катушки индуктивности и конденсатора.

9. Построить в общей системе координат вольт-амперные характеристики параллельного соединения ламп по опытным данным п 8. и по вольт-амперным характеристикам отдельных ламп.

11.2. РЕЖИМ РЕЗОНАНСА ТОКОВ. ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПАРАЛЛЕЛЬНОГО КОНТУРА

11.2. Режим резонанса токов. Частотные характеристики параллельного контура......... 250

гашения позволяет сохранить положительные характеристики параллельного возбуждения. Устраняются недостатки первый и третий. Отпадает необходимость расходования меди на катушки и их изоляции. Снижаются потери энергии в аппаратах за счет исключения катушек. Возможность уменьшения зазора контактов позволяет уменьшить магнитные системы, т. е. уменьшить массу и габариты аппаратов в целом.

4.11. Влияние внутреннего сопротивления источника на частотные характеристики * параллельного контура

Под моделью процесса функционирования понимают модель вида (17.1), которая позволяет определить выходной сигнал y(t) и его характеристики (параметры), относительно которых ведется управление ТП в зависимости от параметров элементов системы и технологического объекта управления, сигналов и помех, действующих на входе системы. Формально модель (17.1) для конкретных систем может быть задана в различном виде, который связан с удобством и простотой их использования при решении соответствующих задач анализа и синтеза систем управления. Так, при описании системы и объекта управления как некоторых диагностических систем используют ее описание в виде дифференциальных уравнений на основе переходных и передаточных функций, частотных, амплитудных и фазовых характеристик для непрерывного и дискретного времени. Подобное описание применимо как в системе в целом, так и к элементам. Имея структурную схему реальной системы (технического объекта управления) и описание ее элементов, можно на основе правил преобразования структурных схем получить эквивалентное описание всей системы в целом в виде, необходимом для дальнейших исследований.

Материал изолирующей подложки должен быть химически и термически устойчив в условиях эпитаксии, иметь структурно и морфологически совершенную поверхность, высокие изоляционные и теплофизические характеристики, параметры решетки и коэффициент термического расширения, соответствующие аналогичным параметрам кремния (табл. 4.2).

Рассматриваются устройство, характеристики, параметры и области применения ЭЛОк-

характеристики, параметры) некоторого объекта. На 2-8 в качестве примера записи приведена строка экзаменационной ведомости. Каждый из реквизитов ( признаков)— фамилия, номер зачетной книжки и т. д. — является полем. В нашем примере входящие в запись поля объединены тем, что все они относятся к определенному студенту.

В зависимости от электрических свойств содержащихся в структуре зпитаксиальных слоев такое изделие можно считать как полупроводниковым материалом, так и полупроводниковым прибором. Критерием для определения изделия служит характер выходных параметров, используемых для контроля качества структуры. Если они материа-ловедческие (химический состав, концентрация легирующей примеси, структурное совершенство, электрические, оптические и.другие физические свойства)1, то эпитаксиальная структура представляет собой материал. Если же в комплекс выходных параметров входят приборные характеристики (параметры электролюминесценции, пробивное напряжение, вольт-амперная характеристика и др.), то такая эпитаксиальная структура представляет собой полуфабрикат— приборную заготовку. И действительно, заключительные операции по изготовлению прибора сводятся к ряду монтажных операций: разделке приборной структуры на отдельные кусочки — так называемые кристаллы, изготовлению контактов к ним и сборке прибора, «упаковке» его в корпус.

"Непсдопэстные" проектировщику 3 о i ПИ 3 о о. 5 g '-о с g О S. с Технические параметры и эксплуатационные характеристики

ление и добавление параметров для операций ввода и вывода для модулей, определение характеристик параметров), «Формирование отчетов» (обеспечивающая получение различных форм документов, в том числе с экрана дисплея). Данные верхнего уровня, хранящиеся на внешних (по отношению к оперативной памяти — ОП) носителях, структурированы по группам: пользователи, машины, детали ЭМММ, идентификаторы, связи, данные, характеристики, параметры расчета, ввод-вывод. Каж-дая группа реализуется в виде файла.

По сравнению с третьим изданием учебника В. Н. Дулина (1977 г.), в четвертом, переработанном и дополненном издании рассмотрены основные физические процессы, устройство, характеристики, параметры и вопросы применения основных электровакуумных и полупроводниковых приборов. В новом издании значительно расширены материалы по полупроводниковым приборам и сокращен материал по электровакуумным.

Приступая к изучению столь обширного класса приборов, необходимо вначале ознакомиться с конструкцией прибора того или иного типа, далее рассмотреть способы его включения в схему, принцип работы, характеристики, параметры, возможности практического применения. Следует обратить внимание также на особенности условных графических обозначений диодов и систему их маркировки. '

Транзисторы — наиболее интересные и распространенные приборы современной технической электроники. За годы развития эти приборы неоднократно и весьма существенно видоизменялись по конструктивному оформлению, технологии изготовления, электрическим характеристикам и параметрам. Однако сущность основных физических явлений и процессов, происходящих в транзисторах, фактически не меняется. Познание этих явлений и процессов — основная задача при изучении данной главы. Вместе с тем предстоит разобраться в вопросах, имеющих наиболее важное практическое значение и неизбежно возникающих при изучении любого электронного прибора: выяснить конструктивные особенности наиболее типичных представителей класса транзисторов, схемы их включения, режимы работы, характеристики, параметры, возможности практического применения, условные графические обозначения и принципы маркировки.

Анодные характеристики тиратрона ( 5.23, а) подобны характеристикам газотрона. Характеристики управления для тиратрона строятся как зависимость потенциала анода, при котором начинается разряд, от потенциала управляющего электрода. Так как потенциал зажигания несколько изменяется в зависимости от температуры баллона лампы, величины нагрузки и т. п., то, как это показано на 5.23, б, обычно на характеристике управления дается не одна линия, а область значений, при которых возможно зажигание (пусковые характеристики). Параметры некоторых тиратронов даны в табл. 5.6 (условное обозначение — на 5.23).