Характеристики кремниевого

10.3. Деформационные характеристики кремниевых тензорезисторов с проводимостью р- и п-типа.

По значению напряжения стабилизации стабилитроны подразделяют на низковольтные (t/CT<5,4 В) и высоковольтные ((Уст>5,4 В). Уровень напряжения стабилизации зависит от толщины обедненного слоя р-п-перехода, а следовательно, степени легирования кремния примесью. Для получения низковольтных стабилитронов используют сильно легированный кремний с очень малой толщиной р-п-перехода. Стабилизацию низковольтного напряжения в пределах 0,3—1 В можно получить при использовании прямой ветви вольт-амперной характеристики кремниевых диодов, называемых стабисторами.

Основными параметрами светодиодов являются рабочее напряжение (десятки вольт); темновой ток (до десятков микроампер) ; интегральная чувствительность k - /ф/Ф (до 50-80 мА/лм). Максимуму спектральной характеристики кремниевых фотодиодов соответствует длина волны 0,6—1 мкм, германиевых — около 1,5 мкм.

VI11.6. Характеристики кремниевых стабилитронов и схемы их применения: а — схема стабилизатора напряжения при обратном включении стабилитрона; б— то же, при прямом включении стабилитрона; в — экспериментальные кривые зависимости дифференциальных сопротивлений стабилитронов от обратного тока; г — то же, в зависимости от прямого тока для стабилитронов и диодов; д — график зависимости обратного ТКН от обратного напряжения на стабилитроне; е — график зависимости прямого ТКН от прямого тока.

К числу существенных недостатков германиевых вентилей относится невысокая рабочая температура; рабочий диапазон от — 50 до + 7Q°~C; при длительном воздействии температуры выше + 60° С в них проявляется тепловое старение, приводящее к ухудшению электрических параметров; при низких температурах наблюдается значительное понижение обратного сопротивления. Кремниевые выпрямители могут работать при температуре до + 200° С. С точки зрения работы при высоких частотах кремниевые диоды имеют перед германиевыми преимущества, заключающиеся в большей чувствительности к слабым сигналам (пороговое напряжение у первых 0,01 В, у вторых от 0,1 до 0,25 В). Характеристики кремниевых вентилей, возможность получения больших выпрямленных мощностей в установках малых габаритов, особенно при использовании искусственного охлаждения, делают их исключительно прогрессивными. Поскольку кремний и германий являются элементами IV группы таблицы Менделеева, дырочная проводимость в них создается примесями элементов третьей группы, а электронная — элементов пятой группы. Для кремниевых полупроводников часто применяют алюминий, бор, для германиевых — индий в качестве акцепторной примеси; мышьяк и сурьма (элементы V группы) — в качестве донорных примесей.

характеристики может смещаться при изменении толщины базы и скорости поверхностной рекомбинации. Так, максимум спектральной характеристики кремниевых фотодиодов можно смещать в диапазоне от 0,6 до 1 мкм путем изменения их конструкции и технологии изготовления.

Влияние дислокаций на характеристики кремниевых транзисторов

Механические и кристаллографические характеристики кремниевых подложек должны соответствовать требованиям действующих ТУ. В соответствии с этими требованиями (ГОСТ 2789—59) рабочую поверхность подложки обрабатывают по 14-му классу точности, а ^нерабочую поверхность — по 12-му классу точности. Ориентацию поверхности подложки выбирают параллельно кристаллографической плоскости (111) с допустимыми отклонениями ±2°.

Таблица 2.188. Технические характеристики кремниевых преобразовательных агрегатов

Спектральные характеристики кремниевых солнечных элементов

Температурные характеристики кремниевых солнечных элементов

Вольт-амперные характеристики кремниевого управляемого вентиля показаны на 3.22, в. Как видно из характеристик, переклю-

33. Входные (а) и выходные (б) характеристики кремниевого п-р-п-транзистора КТ603 в схеме ОБ

34. Входные (а) и выходные (б) характеристики кремниевого л-р-л-транзистора КТ603 в схеме ОЭ

53. Выходные характеристики кремниевого полевого транзистора КП302В с управляющим р-п-переходом (с диффузионным затвором) с каналом л-типа

На Х.6 показаны вольт-амперные характеристики кремниевого фотоэлемента.

Х.6. Вольт-амперные характеристики кремниевого фотоэлемента:

Такое включение возможно также для германиевых и кремниевых фотоэлементов, называемых фотодиодами. Основные параметры германиевых фотодиодов типа ФД и кремниевых типа ФДК представлены в табл. 8-4 [Л. 286; 309]. Интегральная чувствительность германиевых фотодиодов достигает величины 30000 мка/лм. Чувствительность кремниевых фотодиодов ниже, но их свойства стабильнее. В этой же таблице приведены характеристики кремниевого фототриода типа ФТ-1.

11-3.'Вольт-амперные характеристики кремниевого и германиевого диодов (а) и зависимость вольт-амперной характеристики диода от площади перехода (б).

вы волны падающего света, как, например, в германии (см. 5.37), то положение максимума определяется шириной запрещенной зоны (Ктах = 1,55 мкм для Ge) и от толщины базы практически не зависит. Если же зависимость глубины поглощения хо от длины волны слабая, как, например, в кремнии, то максимум спектральной характеристики может смещаться при изменении толщины базы и скорости поверхностной рекомбинации. Так, максимум спектральной характеристики кремниевого фотодиода можно изменять в диапазоне Хтах от 0,6 до 1 мкм.

Вольт-амперные характеристики кремниевого и германиевого диодов для различных температур окружающей среды приведены на 3.2, а и б соответственно. Сравнение ВАХ показывает, что при одинаковом токе прямое падение напряжения С/Пр в германиевых диодах меньше в 1,5—2 раза, чем в кремниевых, и соответственно меньше выделяемая в диоде мощность.

Изменения ВАХ кремниевого и германиевого диодов при воздействии непрерывного ионизирующего излучения приведены соответственно на 15.2, а и б. Наиболее критичной к ИИ оказались обратная ветвь ВАХ германиевого и прямая ветвь характеристики кремниевого диодов. Ионизирующее излучение с кремнии вызывает увеличение гэ и в особенности ГБ, в результате чего i/np при значениях /Пр, превышающих некоторую величину, существенно возрастает с увеличением дозы и потока излучения. В герма-