Характеристиках транзистора

При вращении платформы в Космосе температура поверхности, обращенной к Солнцу, по отношению к части, находящейся в тени, изменяется на 60 °С. При изменении ц или Е изменяется магнитное сопротивление сердечника или диэлектрика в конденсаторе, что при нелинейном характере зависимости ц = /(/) или Е - /(/) приводит к изменению тока и мощности в обмотках преобразователя. Магнитотепловые электромеханические преобразователи, имея высокую надежность и лучшие энергетические показатели, могут стать конкурентами фотодиодных преобразователей при применении на космических платформах [6].

При выводе выражений (1-20), (1-22), (1-23) и (1-26) не делалось никаких предположений о характере зависимости удельного сопротивления и магнитной проницаемости от координаты х. В этом смысле указанные зависимости являются общими, и мы будем ими пользоваться также и при более сложных формах'?поверхностного эффекта.

вой собственной частоте сох = 1,5со в разных схемах. Кривая 1 относится* к колебательному контуру или к короткой линии, присоединенной к источнику малой мощности, а кривая 2 — к линии большой длины без компенсирующих устройств при отношении Г/т = = 0,24. Кривые 3 и 4 построены для линии / = 1000 км при том же отношении Т/т, но при наличии поперечной компенсации (кривая 3) и обоих видов компенсации (кривая 4). Кривые подтверждают высказанные выше соображения относительно вдияния различных факторов на ударный коэффициент. Приближенное представление о характере зависимости ударного коэффициента от угла включения

В электромеханических системах широко распространена линейная зависимость динамического момента от скорости М—Мс=/((о). При линейном характере зависимости момента сопротивления от скорости линейность динамического момента имеет место в приводах с двигателями постоянного тока независимого возбуждения практически во всей области изменения скорости, если поток реакции якоря не нарушает линейной зависимости тока якоря двигателя и его момента от скорости. На рабочих участках механических характеристик двигателей постоянного тока последовательного возбуждения и асинхронных при линейной механической характеристике механизма зависимость динамического момента от скорости также близка к линейной.

При любом характере зависимости С„л для заряда qaa, как и в случае линейной емкости, имеет место соотношение

Отметим, что при выводе выражений (1-17), (1-19), (1-20) и (1-23) не делалось никаких предположений о характере зависимости удельного сопротивления и магнитной проницаемости от координаты х. В этом смысле эти зависимости являются общими и мы будем ими пользоваться также и при более сложных формах поверхностного эффекта. Например, если Я и ? не будут синусоидальными функциями времени, мы заменим их эквивалентными синусоидами — первыми гармониками функций Н (f), E (f) и 8 (t), как то было предложено Л. Р. Нейманом [22].

Примесные полупроводники донор-ного типа. В характере зависимости положения уровня Ферми и концентрации свободных носителей заряда в; примесных полупроводниках от температуры можно условно выделить три области: область низких температур,, истощения примеси и перехода к собственной проводимости.

Следовательно, температура на любом относительном радиусе таблетки г/а определяется количеством тепла, выделившимся в пределах этого радиуса, и не зависит от радиуса таблетки г. Это выражение для интеграла можно использовать в дальнейшем при истолковании наблюдаемых изменений в горючем, даже если неизвестна зависимость k(T]. И наоборот, если известны температуры, при которых происходят такие изменения в горючем, то можно судить о характере зависимости k (Т).

ведены для того, чтобы продемонстрировать аналогию в характере зависимости с АЭС Я«ки и показать существование высокой скорости выхода продуктов коррозии и значительной концентрации циркулирующего шлама.

Если известна экспериментальная зависимость у от х, го можно судить о характере зависимости (линейная, параболическая и т. д.) и выбрать формулу этой зависимости в одном каком-либо виде:

При обработке экспериментальных и статистических материалов, например при определении коэффициентов корреляции, желательно избегать случайных ошибок измерения отдельных величин. Для этого экспериментальные зависимости одной случайной величины от другой подвергают расчетному сглаживанию. Одним из расчетных методов сглаживания является метод наименьших квадратов, который описывается далее. Если известна экспериментальная зависимость у от х, то по ее графику можно судить о характере зависимости (линейная, параболическая и т. д.) и выбрать формулу этой зависимости в каком-либо виде:

Рассмотрим сначала режим покоя усилителя, который характеризуется точкой А на коллекторных характеристиках транзистора

Режим А. Режим А характеризуется тем, что рабочую точку П в режиме покоя выбирают на линейном участке (обычно посередине) входной и переходной характеристик транзистора. На 5.18 для режима А показано положение рабочей точки на переходной характеристике, линии нагрузки и выходных характеристиках транзистора. Значение входного напряжения в режиме А должно быть таким, чтобы работа усилительного каскада происходила на линейном участке характеристики. В этом случае нелинейные искажения усиливаемого напряжения будут минимальными, т. е. при подаче на вход усилительного каскада гармонического напряжения форма выходного напряжения будет практически синусоидальной. Благодаря этому режим А широко применяют в усилителях напряжения. Однако он имеет и существенный недостаток — очень низкий к. п. д. усилителя.

этих случаях используют транзисторные ключи. На 8.13, а приведена схема ключа на биполярном транзисторе. Входная (управляющая) цепь здесь отделена от выходной (управляемой) цепи. Ключ мало отличается от усилителя, выполненного по схеме с общим эмиттером. Однако транзистор работает в ключевом режиме, характеризуемом двумя состояниями. Первое состояние определяется точкой А! на выходных характеристиках транзистора; его называют режимом отсечки. В режиме отсечки ток базы /б=0, коллекторный ток /Ki равен начальному коллекторному току, а коллекторное напряжение UK—UKi^EK ( 8.13, б). Режим отсечки реализуется при отрицательных потенциалах базы. Второе состояние определяется точкой А 2 и называется режимом насыщения. Он реализуется при положительных потенциалах базы. При этом ток базы определяется в основном сопротивлением резистора /?б и I(,^ = UBJR^, поскольку сопротивление открытого эмиттерного перехода мало. Коллекторный переход также открыт, и ток коллектора IK^EJRK, а коллекторное напряжение i/K2»0. Из режима отсечки в режим насыщения транзистор переводится воздействием положительного входного напряжения. При этом повышению входного напряжения (потенциала базы) соответствует понижение выходного напряжения (потенциала коллектора), и наоборот. Такой ключ называют инвертирующим (инвертором). В рассмотренном транзисторном ключе уровни выходного напряжения, соответствующие режимам отсечки и насыщения, стабильны и почти не зависят от температуры.

Рассмотрим сначала режим покоя усилителя, который характеризуется точкой А на коллекторных характеристиках транзистора

Рассмотрим сначала режим покоя усилителя, который характеризуется точкой А на коллекторных характеристиках транзистора

8.53. На 8.8,а и б изображены входные и выходные характеристики транзистора типа п-р-п в схеме с общим эмиттером. Покажите на характеристиках транзистора области, соответствующие активному режиму, режиму насыщения и режиму отсечки. Какие следует сделать изменения на рисунке, чтобы он соответствовал аналогичному транзистору типа p-n-pt

8.170. На выходных характеристиках транзистора ГТ108А для схемы с общим эмиттером ( 8.50) построить линии максимально допустимой мощности при температурах окружающей среды 30 и 50 °С, если максимально допустимая температура перехода 7'Птаэс=80°С и тепловое сопротивление переход — среда #пс=0,8 град/мВт.

Далее на выходных характеристиках транзистора строим нагрузочную прямую по точкам: при /к==0 f/K— =?К=12В; при U* —О IK= EJRK= 12/240 = 0,05 А = = 50мА.

2. В схеме, представленной на 14.17, /?к =250Ом; $2=100 Ом; ?к—10 В; /Дел = 3,5мА (ток делителя Re, R2)- Определить положение рабочей точки на характеристиках транзистора ГТ308А ( 14.2).

Рис*1 5.24. Смещение рабочей точки покоя на входной (а) и выходной (б) вольт-амперных характеристиках транзистора,..включенного по схеме с ОЭ

14.18. Схема инвертора с самовозбуждением (а) и изменение положения линии нагрузки на выходных характеристиках транзистора при его работе (б)