Горизонтальной освещенности

Лучшие результаты дает очистка поликристаллического германия методом горизонтальной направленной кристаллизации, проводимой в отдельной печи. В нее помещают лодочку с германием после извлечения из печи водородно-

3.2. Вид сбоку многотрубных установок для кристаллизационной очистки германия методами горизонтальной направленной кристаллизации (а) и зонной плавки (б):

3.11. Схемы герметичных (а, б) к квазигерметичного (в) реакторов, используемых для синтеза разлагающихся полупроводниковых соединений, основанного на взаимодействии пара летучего компонента с расплавом нелетучего и совмещенного с выращиванием монокристалла методом горизонтальной направленной кристаллизации, и распределение температуры по длине реакторов (г): / — нагреватель конденсата летучего компонента 7; 2 — нагреватель лодочки 3 с расплавом нелетучего компонента; 4 — монокристаллическая затравка; 5 — ваку-умированная и запаянная кварцевая ампула (стрелкой показано направление ее движения); 6 —экран из пористого материала (например, кварцевая вата), предохраняющий конденсат летучего компонента от нагрева излучением от лодочки с расплавом; 8 — кварцевый сильфон; 9 — шток; 10 — тензодатчик; // —скоба, крепящая тензодатчик к кварцевой ампуле;

В качестве примера синтеза в герметичном реакторе может быть приведен процесс получения поли- или монокристаллического арсенида галлия. Его проводят в установке для горизонтальной направленной кристаллизации, схема которой приведена на 4.35. Современные установки такого типа позволяют получать слитки арсенида галлия массой в несколько килограммов. Синтезированный расплав подвергают направленной кристаллизации, существенно повышающей чистоту конечного продукта. Использование монокристаллической затравки позволяет закристаллизовать расплав в виде монокристалла.

Совмещение синтеза разлагающихся полупроводниковых соединений, основанного на взаимодействии пара летучего компонента с расплавом нелетучего, с кристаллизационной очисткой и выращиванием монокристаллов проще всего реализуется методами горизонтальной зонной плавки и горизонтальной направленной кристаллизации. Кристаллизация синтезированного расплава методом Чохральского требует сложной аппаратуры, что ограничивает его применение для этих целей.

Чистота исходных компонентов, используемых для синтеза полупроводниковых соединений, во многих случаях не обеспечивает получения материала требуемого качества. Поэтому синтезированное соединение подвергают дополнительной очистке методами направленной кристаллизации. Проще всего она реализуется в методах синтеза, совмещенных с зонной плавкой синтезируемого соединения, создающей возможность глубокой его очистки. Однако в •большинстве случаев после синтеза расплав кристаллизуют методами Чохральского, Бриджмена или горизонтальной направленной кристаллизации, мало пригодными для целей очистки, или кристаллизуют нормально, что не сопровождается очисткой.

Тепловой узел установки для получения монокристаллов разлагающихся полупроводниковых соединений методом горизонтальной направленной кристаллизации состоит из двух нагревателей: лодочки с расплавом и конденсата летучего компонента (см. 3.11). Особенностью тепловых условий, создаваемых таким тепловым узлом, является наличие на фронте кристаллизации малых (10°С/см и менее) температурных градиентов, что обеспечивает высокое совершенство структуры выращиваемых монокристаллов.

Метод горизонтальной направленной кристаллизации, так же как и другие контейнерные методы выращивания монокристаллов, обеспечивает получение монокристаллов с малым разбросом размеров поперечного сечения. Решение этой важной для технологии полупроводниковых материалов задачи в методах Чохральского и бестигельной зонной плавки, в которых диаметр растущего монокристалла определяется скоростными и тепловыми режимами процесса, требует намного больших усилий.

к=о к=ка K=kmiK распределения представляет собой сумму двух эффективных коэффициентов распределения. Первый эффективный коэффициент распределения k отражает взаимодействие расплава с кристаллом; второй, эффективный коэффициент испаре-ния kn отражает взаимодействие расплава с контактирующей с ним атмосферой. В методе горизонтальной направленной кристаллизации (см. 4.12, е)*, где поверхность расплава уменьшается пропорционально остатку расплава в контейнере (1— g), уравнение (4.18, а) дополняют этим членом, и оно принимает вид

Достоинством методов, в которых используется программирование кристаллизационного процесса, является возможность осуществления их с помощью стандартной аппаратуры, применяемой для выращивания монокристаллов полупроводников ординарными методами — Чохраль-ского, Бриджмена, горизонтальной направленной кристаллизации пли зонной плавки Поэтому они нашли широкое применение в маломасштабном производстве и для исследовательских целей. Недостаток рассматриваемой группы методов — относительно невысокое структурное совершенство получаемых монокристаллов, связанное с тем, что их рост происходит при непрерывно изменяющихся скорости 136

Программирование кристаллизационного процесса чаще всего применяют для получения однородно легированных по длине монокристаллов элементарных полупроводников методами Чохральского, горизонтальной направленной кристаллизации и зонной плавки. Условие получения равномерно легированного кристалла выражается в этом случае как

Уровень освещения улиц и проездов категории Д, тротуаров, примыкающих к местным проездам, улиц категории А, Б и главных пешеходных дорожек бульваров регламентируется приведенными в табл. IV.6 величинами горизонтальной освещенности на уровне покрытий. Наименьшая освещенность обособленного полотна трамвайных путей, расположенных вне проезжей части улиц, должна быть 1 лк.

Пожарные проезды, дороги для хозяйственных нужд, подъезды к зданиям требуют наименьшей горизонтальной освещенности — 0,5 лк; предзаводские участки (площадки, проезды, проходы, стоянки транспорта), не относящиеся к территории города, — 2 лк.

Расчет прожекторного освещения. При осв.ещении прожекторами вертикальная освещенность на поверхностях, обращенных к прожекторам, обычно бывает выше горизонтальной. В связи с этим можно ограничиться только обеспечением величины горизонтальной освещенности. Количество прожекторов, необходимое для освещения данного участка, может быть определено по формуле

В послевоенные годы начался новый этап развития осветительных установок. Последовательно расширялось применение газоразрядных ламп, повышались надежность и безопасность осветительных устройств, качество освещения, улучшалось эксплуатационное обслуживание установок. Важные работы осуществлены в области типизации и рационализации проектирования освещения внутренних помещений промышленных предприятий. В области наружного освещения происходил постепенный отход от устаревших принципов проектирования на основе нормирования минимальной горизонтальной освещенности на проезжей части улицы. ВНИСИ разработал новые принципы нормирования на базе норм средней яркости дорожных покрытий, контраста между объектом различения и фоном, равномерности распределения яркости в центральной части поля зрения при учете слепящего действия установки. Внедрение нового принципа расчета наружного освещения и применение новых типов светильников создают более эффективное наружное освещение городов и междугородных дорог.

Самое широкое распространение получили три вида графиков: кривые относительной освещенности, пространственные изолюксы условной горизонтальной освещенности, условные изолюксы.

Чтобы не иметь дело при вычислениях с h2, построены графики пространственных изолюкс условной горизонтальной освещенности, по

Высокие производственные помещения с темными стенами и потолком, локализованное освещение рабочих поверхностей, требующих большой горизонтальной освещенности

Расчет значений горизонтальной освещенности может производиться инженерным методом с помощью вспомогательных таблиц. Например, расчет суммарной освещенности от СВ, действующих в контрольной точке М (см. 61.15, о), делают так: 1) определяют расстояния Яр и Р от г-го СВ до контрольной точки; 2) для определенных значений

Таблица 61.36. Углы а, град, (верхняя цифра), значения горизонтальной освещенности

Таблица 61.42. Зависимость горизонтальной освещенности от начала въездного портала тоннеля

— горизонтальной освещенности 505, 506