Горизонтальной направленной

Закон движения цели в пространстве определяется следующими параметрами: скоростью движения цели v; курсовым углом цели q (угол между продолжением горизонтальной дальности и вектором горизонтальной скорости); курсом цели или путевым углом цели К (или Q) и

AD — упреждение в наклонной дальности, Arf— упреждение в горизонтальной дальности, Ар — упреждение в азимуте и т. д.

прямоугольная: х— проекция горизонтальной дальности d на направление север — юг или некоторое другое условное направление, принятое за начало для отсчета азимута; у — проекция d на направление, перпендикулярное оси х; Н — высота полета цели.

а) цилиндрической Р, в центре нижнего основания которой расположен прибор, измеряющий координаты цели. Радиус цилиндра равен горизонтальной дальности d;

Качка корабля в этой системе обычно не учитывается ввиду сложности расчета. Измерение скорости изменения координат в данном случае имеет примерно ту же сложность, что и в конической системе. Закон изменения горизонтальной дальности во времени при равномерном прямолинейном и горизонтальном полете цели может быть выведен из - 2.4, где отрезок Оа равен горизонтальной дальности d:

В этих случаях каждая пространственная задача распадается на две: линейную (скалярную) задачу для высоты и плоскую (векторную) для азимута и горизонтальной дальности. Этого нельзя было сделать в конической системе, так как азимут и угол места цели не лежат в одной плоскости.

Рассмотрим предел изменения текущей горизонтальной дальности. Допустим, что стрельбу необходимо начать с таким расчетом, чтобы первые разрывы получились на границе досягаемой ими зоны М ( 2.11).

кущая горизонтальная дальность d будет равна сумме упрежденной горизонтальной дальности dy и перемещения цели Sy за время полета снаряда т:

поимка цели производится на прилете при горизонтальной дальности до цели ^^3000 м;

горизонтальной дальности

6 Совпадает с направлением линии горизонтальной дальности и Л

Лучшие результаты дает очистка поликристаллического германия методом горизонтальной направленной кристаллизации, проводимой в отдельной печи. В нее помещают лодочку с германием после извлечения из печи водородно-

3.2. Вид сбоку многотрубных установок для кристаллизационной очистки германия методами горизонтальной направленной кристаллизации (а) и зонной плавки (б):

3.11. Схемы герметичных (а, б) к квазигерметичного (в) реакторов, используемых для синтеза разлагающихся полупроводниковых соединений, основанного на взаимодействии пара летучего компонента с расплавом нелетучего и совмещенного с выращиванием монокристалла методом горизонтальной направленной кристаллизации, и распределение температуры по длине реакторов (г): / — нагреватель конденсата летучего компонента 7; 2 — нагреватель лодочки 3 с расплавом нелетучего компонента; 4 — монокристаллическая затравка; 5 — ваку-умированная и запаянная кварцевая ампула (стрелкой показано направление ее движения); 6 —экран из пористого материала (например, кварцевая вата), предохраняющий конденсат летучего компонента от нагрева излучением от лодочки с расплавом; 8 — кварцевый сильфон; 9 — шток; 10 — тензодатчик; // —скоба, крепящая тензодатчик к кварцевой ампуле;

В качестве примера синтеза в герметичном реакторе может быть приведен процесс получения поли- или монокристаллического арсенида галлия. Его проводят в установке для горизонтальной направленной кристаллизации, схема которой приведена на 4.35. Современные установки такого типа позволяют получать слитки арсенида галлия массой в несколько килограммов. Синтезированный расплав подвергают направленной кристаллизации, существенно повышающей чистоту конечного продукта. Использование монокристаллической затравки позволяет закристаллизовать расплав в виде монокристалла.

Совмещение синтеза разлагающихся полупроводниковых соединений, основанного на взаимодействии пара летучего компонента с расплавом нелетучего, с кристаллизационной очисткой и выращиванием монокристаллов проще всего реализуется методами горизонтальной зонной плавки и горизонтальной направленной кристаллизации. Кристаллизация синтезированного расплава методом Чохральского требует сложной аппаратуры, что ограничивает его применение для этих целей.

Чистота исходных компонентов, используемых для синтеза полупроводниковых соединений, во многих случаях не обеспечивает получения материала требуемого качества. Поэтому синтезированное соединение подвергают дополнительной очистке методами направленной кристаллизации. Проще всего она реализуется в методах синтеза, совмещенных с зонной плавкой синтезируемого соединения, создающей возможность глубокой его очистки. Однако в •большинстве случаев после синтеза расплав кристаллизуют методами Чохральского, Бриджмена или горизонтальной направленной кристаллизации, мало пригодными для целей очистки, или кристаллизуют нормально, что не сопровождается очисткой.

В технологии полупроводниковых материалов находят применение следующие методы выращивания монокристаллов: Чохральского1, Бриджмена2, горизонтальной направленной кристаллизации3, горизонтальной4 и вертикальной5 зонной перекристаллизации, обычно называемой зонной плавкой ( 4.1). Для кристаллизационной очистки и выращивания однородно легированных по длине монокристаллов метод зонной плавки разработан В. Г. Пфан-ном6.

Тепловой узел установки для получения монокристаллов разлагающихся полупроводниковых соединений методом горизонтальной направленной кристаллизации состоит из двух нагревателей: лодочки с расплавом и конденсата летучего компонента (см. 3.11). Особенностью тепловых условий, создаваемых таким тепловым узлом, является наличие на фронте кристаллизации малых (10°С/см и менее) температурных градиентов, что обеспечивает высокое совершенство структуры выращиваемых монокристаллов.

Метод горизонтальной направленной кристаллизации, так же как и другие контейнерные методы выращивания монокристаллов, обеспечивает получение монокристаллов с малым разбросом размеров поперечного сечения. Решение этой важной для технологии полупроводниковых материалов задачи в методах Чохральского и бестигельной зонной плавки, в которых диаметр растущего монокристалла определяется скоростными и тепловыми режимами процесса, требует намного больших усилий.

к=о к=ка K=kmiK распределения представляет собой сумму двух эффективных коэффициентов распределения. Первый эффективный коэффициент распределения k отражает взаимодействие расплава с кристаллом; второй, эффективный коэффициент испаре-ния kn отражает взаимодействие расплава с контактирующей с ним атмосферой. В методе горизонтальной направленной кристаллизации (см. 4.12, е)*, где поверхность расплава уменьшается пропорционально остатку расплава в контейнере (1— g), уравнение (4.18, а) дополняют этим членом, и оно принимает вид

Достоинством методов, в которых используется программирование кристаллизационного процесса, является возможность осуществления их с помощью стандартной аппаратуры, применяемой для выращивания монокристаллов полупроводников ординарными методами — Чохраль-ского, Бриджмена, горизонтальной направленной кристаллизации пли зонной плавки Поэтому они нашли широкое применение в маломасштабном производстве и для исследовательских целей. Недостаток рассматриваемой группы методов — относительно невысокое структурное совершенство получаемых монокристаллов, связанное с тем, что их рост происходит при непрерывно изменяющихся скорости 136