Глубокого насыщения

Для ЯТЦ реакторов на быстрых нейтронах важнейшее значение имеет отработка химической технологии наиболее глубокого извлечения плутония при переработке топлива зон воспроизводства, а также снижение его безвозвратных потерь на всех переделах до 1% и менее (т. е. ^10 кг на 1 т введенного в цикл топлива).

"блево от точки питания движется поток газообразного гексафторида урана, непрерывно обедняемый легким изотопом 235U и соответственно обогащаемый тяжелым изотопом 238U. Здесь на каждой ступени поток тяжелой фракции превышает поток легкой фракции, движущийся в направлении к точке питания, на величину потока обедненного урана, извлекаемого в конце регенеративной секции. Обедненный уран с концентрацией 235U, равной у (при этом у<сй) и обозначаемой в общем виде xw (при этом XW
Если в качестве исходного сырья для питания разделительного завода используется сильно выгоревший (хк<с0) в реакторе и затем регенерированный на радиохимическом заводе уран или берется со складов отвал со сравнительно высоким содержанием 235U (например, (/ = 0,3-^-0,5%) и имеются производственные возможности и экономическая целесообразность более глубокого извлечения из него 235U до содержания в отвале у\<у, например до у\ = = 0,1-И),15 % (проблема переработки богатых отвалов), то в этом случае вычисляется коэффициент расхода такого обедненного урана на получение 1 кг урана с содержанием 235U, равным природ-

Если обедненный уран уже не будет перерабатываться для более глубокого извлечения из него 235U, то он должен переводиться в металлическую или иную форму, пригодную для использования в реакторах на быстрых нейтронах как воспроизводящий материал для получения плутония.

12.13. ВЛИЯНИЕ ГЛУБОКОГО ИЗВЛЕЧЕНИЯ 235U ПРИ ОБОГАЩЕНИИ УРАНА НА ЭКОНОМИКУ ЯТЦ И РАСХОД ПРИРОДНОГО УРАНА

12.13. Влияние глубокого извлечения 235U при обогащении у] экономику ЯТЦ и расход природного урана

Для ЯТЦ реакторов на быстрых нейтронах важнейшее значение имеет отработка химической технологии наиболее глубокого извлечения плутония при переработке топлива зон воспроизводства, а также снижение его безвозвратных потерь на всех переделах до 1% и менее (т. е. ^10 кг на 1 т введенного в цикл топлива).

"блево от точки питания движется поток газообразного гексафторида урана, непрерывно обедняемый легким изотопом 235U и соответственно обогащаемый тяжелым изотопом 238U. Здесь на каждой ступени поток тяжелой фракции превышает поток легкой фракции, движущийся в направлении к точке питания, на величину потока обедненного урана, извлекаемого в конце регенеративной секции. Обедненный уран с концентрацией 235U, равной у (при этом у<с0) и обозначаемой в общем виде xw (при этом XW
Если в качестве исходного сырья для питания разделительного завода используется сильно выгоревший (хк<с0) в реакторе и затем регенерированный на радиохимическом заводе уран или берется со складов отвал со сравнительно высоким содержанием 235U (например, (/ = 0,3-^-0,5%) и имеются производственные возможности и экономическая целесообразность более глубокого извлечения из него 235U до содержания в отвале у\<у, например до у\ = = 0,1^-0,15% (проблема переработки богатых отвалов), то в этом случае вычисляется коэффициент расхода такого обедненного урана на получение 1 кг урана с содержанием 235U, равным природ-

Если обедненный уран уже не будет перерабатываться для более глубокого извлечения из него 235U, то он должен переводиться в металлическую или иную форму, пригодную для использования в реакторах на быстрых нейтронах как воспроизводящий материал для получения плутония.

12.13. ВЛИЯНИЕ ГЛУБОКОГО ИЗВЛЕЧЕНИЯ 235U ПРИ ОБОГАЩЕНИИ УРАНА НА ЭКОНОМИКУ ЯТЦ И РАСХОД ПРИРОДНОГО УРАНА

12.13. Влияние глубокого извлечения 235U при обогащении урана на экономику ЯТЦ и расход природного урана.....46

Транзистор работает в режиме глубокого насыщения (t/K<0, С/кэ*0).

Мультивибратор М215 ( 122) в схемах ЭФМ «Зоемтрон-382/383» выполняет функцию генератора импульсов печати. Формирование импульсов печати мультивибратором М215 с частотой следования 32, 28 и 25 Гц происходит в последовательности, аналогичной формированию импульсов схемой мультивибратора М214. Диоды Д1 и Д2 в схеме мультивибратора М215 предотвращают переход последовательно открытых транзисторов Т1 и Т2 в режим глубокого насыщения. Резистор R11 уве-

Окончательное уравновешивание цифрового моста всегда производится автоматически по командам со стороны управляющего устройства УУ и сравнивающего устройства СУ. Ключи в четвертом плече моста выполняются обычно с использованием кремниевых транзисторов, работающих в режиме отсечки, что соответствует разомкнутому состоянию ключа, или в режиме глубокого насыщения, что соответствует замкнутому состоянию ключа.

элементах МЭСЛ из-за перехода входных транзисторов в режим глубокого насыщения. Благодаря большему логическому перепаду возрастает помехоустойчивость до U°n « L/J ж 300 мВ при Т = 25 °С и номинальном напряжении питания и U* « t/J, « 100...200 мВ в рабочих диапазонах температур и напряжений питания.

Разновидности ключевых каскадов на биполярных транзисторах. Рассмотренная простейшая схема транзисторного ключа имеет целый ряд недостатков. К ним можно отнести следующие: а) использование биполярного сигнала для управления, что затрудняет сопряжение однотипных ключей, так как выходной сигнал однополяр-ный; б) увеличение времени рассасывания при сокращении времени включения за счет более глубокого насыщения транзистора во включенном состоянии; в) низкое быстродействие, вызванное значительным временем рассасывания /р; г) зависимость длительности фронта и среза выходных импульсов от степени насыщения транзистора, т. е. при прочих равных условиях от коэффициента усиления транзистора по току В. Так как значения В у транзисторов одной группы имеют существенный разброс, то значения <вкл и ^выкл при смене транзистора будут изменяться, что создает дополнительные затруднения при серийном производстве аппаратуры.

При переходе транзистора из режима отсечки в режим насыщения на выходе ключа (точка 2-2') создается перепад напряжения ывых « ?/КЭоТс — - ^кэнас * ЕК - IKaRK - t/кэнас « Ек, так как IKoRK и UКЭаас практи-чески очень малы. Время выключения значительно больше, чем время включения, и составляет сотни наносекунд — единицы микросекунд. Время выключения тем больше, чем глубже насыщение. Однако при глубоком насыщении уменьшается время включения, поэтому для увеличения быстродействия импульсных схем следует избегать глубокого насыщения транзистора, для чего в цепь базы включают соответствующий ограничивающий резистор.

транзистор сравнительно быстро насыщается и потенциал его коллектора фиксируется на уровне ?/„ н ( 4.8). В схеме расширителя тран-вистор работает в режиме глубокого насыщения, поэтому фронт вы-кодного импульса нарастает почти линейно и его длительность

В исходном состоянии транзистор Т2 закрыт положительным смещением на базе от источника Ев; транзистор Т1 находится в режиме глубокого насыщения: базовый и эмиттерный токи задаются резистором R, подключенным к источнику питания, а в коллекторную цепь включен закрытый транзистор Т2.

жиме глубокого насыщения. Поэтому при изменении напряжения f/c напряжения U2 и UK будут изменяться неодинаково.

зование биполярного сигнала для управления, что затрудняет сопряжение однотипных ключей, так как выходной сигнал однополярный; б) увеличение времени рассасывания при сокращении времени включения за счет более глубокого насыщения транзистора во включенном состоянии; в) низкое быстродействие, вызванное значительным временем рассасывания ^р; г) зависимость длительности фронта и среза выходных импульсов от степени насыщения транзистора, т. е. при прочих равных условиях от коэффициента усиления транзистора по току В. Так как значения В у транзисторов одной группы имеют

1 и 4. ОТЛИЧЕ.ЯСЬ наименьшими 1абаритами, данная схема имеет и ряд зткон: отсутствие мер по предотвращению глубокого насыщения транзис-поп больших зн.ччснпях В; небольшие емкости запускающих конденсато-т вызывает «жесткое» дифференцирование входного сигнала. Все это тре-ча 3-'4vc"4 импульсов большой ям игитуды. Амплитуда входного импульса, i ;;.:•! о на контакт о, np;i которой гарантируется запуск, достигает 5,5 5,