Гибридная интегральная

5.5. ОСОБЕННОСТИ КОМПОНОВКИ РЭА С ПРИМЕНЕНИЕМ БЕСКОРПУСНЫХ ГИБРИДНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ '

5.5. Особенности компоновки РЭА с применением бескорпусных гибридных пленочных микросхем . ... 239

В книге рассматриваются физико-химические основы типовых процессов производства интегральных микросхем: термовакуумного испарения, катодного распыления, химических и электрохимических методов получения слоев, диффузии, эпитаксии, ионного внедрения и фотолитографии. Описываются технологии изготовления интегральных гибридных пленочных и интегральных полупроводниковых микросхем, а также применяемое оборудование.

Глава вторая ТЕХНОЛОГИЯ ГИБРИДНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ

ных матриц, отдельных приборов) в гибридных пленочных и многокристальных микросхемах;

Технология гибридных пленочных микросхем........123

Различают импульсные диоды с p-n-переходом (точечные, сплавные, микросплавные, диффузионные, мезадиффу-зионные, эпитаксиально-планарные и др.) и с барьером Шотки. В качестве исходного материала при изготовлении диодов используют германий, кремний, арсенид галлия. Отечественной промышленностью выпускаются также д и-одные сборки и матрицы. Они представляют собой интегрированные в одном корпусе и кристалле импульсные (или универсальные) диоды с разделенными или объединенными в соответствии с заданной электрической схемой выводами. Сборки и матрицы применяют в вычислительных устройствах, в качестве элементов гибридных пленочных микросхем и т. п. Диодные сборки и матрицы выпускаются в бескорпусном варианте и в различных корпусах— металлокерамических, пластмассовых, металло-пластмассовых с гибкими выводами. Число диодов в сборках и матрицах колеблется от 4 до 16. Схемы соединений диодов разнообразны: с отдельными выводами, с объединенными анодами или катодами, соединенными в пару, по три и т.д. Параметры диодных сборок и матриц и ВАХ имеют малый разб

Глава вторая ТЕХНОЛОГИЯ ГИБРИДНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ

ных матриц, отдельных приборов) в гибридных пленочных и многокристальных микросхемах;

Технология гибридных пленочных микросхем........123

Типы активных навесных элементов, которые можно использовать для гибридных пленочных микросхем, и их характеристики приведены в табл. 4.7.

Гибридная интегральная микросхема — микросхема, содержащая кроме элементов компоненты и кристаллы.

Гибридная интегральная микросхема — интегральная микросхема, пассивные элементы которой выполнены посредством нанесения различных пленок на поверхности диэлектрической подложки из стекла, керамики, ситалла или сапфира, а активные элементы — бескорпусные полупроводниковые приборы.

Гибридная интегральная микросхема — ИМС, содержащая кроме элементов компоненты и (или) кристаллы. (Разновидность гибридной ИМС - многокристальная ИМС.)

— синусоидальных колебаний 152 Гибридная интегральная микросхема 43

Гибридная интегральная микросхема содержит пленочные пассивные элементы и навесные компоненты. На 1.4, а представлена структура простейшей гибридной микросхемы. На диэлектрическую

Если же гибридная интегральная микросхема состоит из нескольких полупроводниковых интегральных микросхем, то ее отличительной особенностью может быть, наоборот, многофункциональность. Производство таких гибридных интегральных микросхем должно быть массовым.

Гибридная интегральная микросхема — это интегральная мик-

6. Чем отличаются друг от друга определения понятий «микросхема», «интегральная микросхема», «гибридная интегральная микросхема», «полупроводниковая интегральная микросхема», «большая интегральная схема»?

273КТ1 (гибридная интегральная схема) [4, 63]. Для управления прерывателем используется трансформатор, позволяющий выполнить развязку цепей управления и коммутируемого сигнала. Управляющим сигналом является последовательность высокочастотных импульсных сигналов (динамическое управление). Управляющие сигналы можно подавать на ключ непосредственно с выходов ТТЛ-схем. Аналоговый ключ 273КТ1 имеет следующие параметры: прямое сопротивление не более 100 Ом; ток утечки в состоянии «выключено» 100 нА; время задержки включения порядка 1 мкс; время задержки, выключения не более 5 мкс.

Гибридная интегральная микросхема — МС, содержащая кроме элементов компоненты и (или) кристаллы. Элементами гибридной МС обычно являются резисторы и конденсаторы постоянной емкости с относительно малыми емкостями (иногда катушки с малыми индуктивностями), образуемые электропроводящими и диэлектрическими пленками, нанесенными на поверхность подложки, а компонентами — бескорпусные транзисторы, диоды и конденсаторы относительно больших емкостей. Выводы компонентов электрически соединены с элементами и межэлементными проводниками с применением специальных технологических приемов — ультразвуковой сварки, термокомпрессии.