Гибридные интегральныеДля обеспечения высокой стабильности характеристик реостатных преобразователей предъявляются определенные требования и к каркасам. Они должны сохранять свои размеры в широком температурном диапазоне, в условиях повышенной влажности. Кроме того, каркасы должны обладать высокой теплопроводностью, что позволит увеличить удельную рассеиваемую в преобразователе мощность. Поэтому каркасы прецизионных реостатных преобразователей изготовляют из алюминиевых сплавов АМг, Д1, Д16. В преобразователях, допускающих погрешность преобразования 1 % и более, они могут изготовляться из изоляционных материалов, например гетинакса, текстолита, стеклопластика.
Машины небольшой мощности обычно имеют полузакрытые пазы и многовитковую всыпную обмотку из круглых изолированных проводов. Такие обмотки изготавливают в виде мягких катушек на намоточных станках. Катушки не имеют наружной изоляции, а изоляцией от корпуса служит изоляционный материал, которым выстилается паз. Катушки состоят из нескольких секций, начала и концы которых подсоединяются к коллекторным пластинам. Такую обмотку (катушку) закладывают в пазы сердечника якоря через прорези пазов, осаживают в пазах, уплотняют и закрепляют плоскими клиньями из дерева, гетинакса, текстолита или стеклотекстолита. В маломощных машинах обмотку иногда выполняют непосредственно на якоре, пазы которого предварительно изолируются.
Изоляция витков индуктора осуществляется хлопчатобумажной лентой (либо стеклолентой) с обмоткой В два слоя, пропиткой и запеканием. Б качестве изоляции применяются и прокладки из теплостойкого изолирующего материала. Форма поперечного сечения намотки витков индуктора, как правило, — окружность, но может быть квадратной и прямоугольной формы (печи для плавки алюминия). Витки индуктора наматываются на изолирующий цилиндр из листового асбеста, гетинакса, текстолита или бакелитизированной бумаги. Индуктор закрепляется на сердечнике с помощью деревянных клиньев и металлических скоб. Для мощных индукционных единиц применяют асбестоцементные цилиндры.
Машины небольшой мощности обычно имеют полузакрытые пазы и многовитковую всыпную обмотку из круглых изолированных проводов. Такие обмотки изготовляют в виде мягких катушек на намоточных станках. Катушки не имеют наружной изоляции, а изоляцией от корпуса служит изоляционный материал, которым выстилается паз. Катушки состоят из нескольких секций, начала и концы которых подсоединяются к коллекторным пластинам. Такую обмотку (катушку) закладывают в пазы сердечника якоря через прорез и пазов, осаживают в пазах, уплотняют и закрепляют плоскими клиньями из дерева, гетинакса, текстолита или стеклотекстолита. В маломощных машинах обмотку иногда выполняют непосредственно на якоре,, пазы которого предварительно изолируют.
Клинья изготавливают из твердых пород дерева или прессованных материалов: гетинакса, текстолита, стеклотекстолита. Допускаемые напряжения на изгиб адоп и срез тдоп для клиньев даны в табл. 7.4.
Расчет клиньев. Клинья изготовляют из гетинакса, текстолита, стеклотекстолита и дерева (бука, клена, ясеня). Клин рассчитывают на изгиб как балку с сосредоточенной нагрузкой посредине. Эта нагрузка равна центробежной силе пазовой части обмотки. Расчет производится на 1 м. Исходя из этого определяется предварительная высота клина /гк ( 9-52), м:
Допустимые напряжения на изгиб сгдоп Для гетинакса 20 МПа, для текстолита 35 МПа, для дерева при расположении волокон поперек паза 8 и вдоль паза 4 МПа.
Допустимое напряжение на срез т для гетинакса 10 МПа, для текстолита 15 МПа, для дерева при расположении волокон поперек паза 4.и вдоль паза 2 МПа.
Фенолформальдегидные смолы могут быть изготовлены как термореактивными, так и термопластичными. Если в реакции смолообразования на один моль фенола приходится не менее одного моля формальдегида, получается термореактивная смола, так называемый бакелит. При изготовлении бакелита берется щелочной катализатор, обычно (для смол электроизоляционного назначения) аммиак, не оставляющий в готовой смоле электролитических примесей. В результате реакции в смоловарочном котле получается бакелит в стадии А; он обладает плавкостью (температура размягчения 55—80 °С) и легко растворяется в спирте и ацетоне. При нагреве бакелит подвергается дополнительной полимеризации, переходя при этом через обладающую промежуточными свойствами стадию В в окончательную стадию С. Переход из стадии А в стадию С практически требует температуры не ниже 110—140 °С, причем чем выше температура, тем быстрее совершается этот переход; при 160 СС он происходит всего за 1—3 мин. Повышение давления также ускоряет запекание бакелита. Бакелит в стадии С (в которой он находится в готовой, работающей изоляции) обладает высокой механической прочностью. Он мало эластичен; отрицательным свойством его является также склонность к гпрскингу, т. е. образованию на его поверхности проводящих электрический ток (науглероженных) следов при воздействии электрических разрядов. Бакелит применяют для пропитки дерева и других материалов, при изготовлении пластических масс, в том числе слоисдах — гетинакса, текстолита и др.
При Da ?=; 40 см и va sc 35 м/с обмотки в пазах укрепляются с помощью проволочных бандажей или бандажей из стеклоленты, пропитанной лаком. Во всех остальных случаях а) применяются клинья из твердых пород дерева (бук и др.), гетинакса, текстолита, стеклотекстолита и др.
Расчет клиньев. Клинья изготовляют из гетинакса, текстолита, стеклотекстолита и дерева (бука, клена, ясеня). Клин рассчитывают на изгиб как балку с сосредоточенной нагрузкой посредине. Эта нагрузка равна центробежной силе пазовой части обмотки. Расчет производится на 1 м. Исходя из этого определяется предварительная высота клина Лк ( 8.51), м:
Микроэлектроника: Учеб. пособие для втузов. М59 В 9 кн. / Под ред. Л. А. Коледова. Кн. 6. Гибридные интегральные функциональные устройства / Г. А. Блинов. — М. Высш. шк., 1987. •— 111 с.: ил.
Гибридные интегральные микросхемы, микросборки, гибридные интегральные функциональные устройства и узлы — все эти микроэлектронные изделия в виде сборочных единиц входят в состав микроэлектронной аппаратуры (МЭА). Их изготавливают с использованием гибридной тонко- или толстопленочной технологии (см. книгу 4). При их проектировании стремятся достичь высоких показателей микроминиатюризации МЭА (см. книгу 8). В чем же различие между ними? ГИС проектируют и выпускают серийно либо как микросхемы общего применения, а также как схемы частного применения, необходимые для производства конкретного вида МЭА. Микросборки создаются только как изделия частного применения. Существует такое", определе---ние: микросборка — это микроэлектронное изделие, кото-?11-рое выполняет определенную функцию преобразования сиг- • нала, состоит из интегральных микросхем (в корпусах или бескорпусных) и других электрорадиоэлементов, находящихся в различных сочетаниях, разрабатывается и изготавливается производителями радиоэлектронной аппаратуры для улучшения показателей ее миниатюризации.
Термин «гибридные интегральные функциональные устройства» (ГИФУ) появился в конце 70-х годов для обозначения функционально и конструктивно сложных микроэлектронных изделий, с особо высокими показателями микроминиатюризации. ГИФУ могут содержать не только бескорпусные и корпусированные ИМС и различные электрорадиоэлементы, собранные на одной коммутационной плате, но и несколько коммутационных плат, конструктивно и электрически связанных между собой. Они, так же как и микросборки, не могут быть использованы для самостоятельного применения вне той аппаратуры, для которой созданы. Этим они функционально и конструктивно отличаются от радиоэлектронных ячеек.
ГИБРИДНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА
Основные технологические этапы изготовления гибридных микросхем. Гибридные интегральные микросхемы (ГИС) представляют сочетания пленочных пассивных элементов и навесных активных и пассивных компонентов. Резисторы, конденсаторы, контактные площадки и внутрисхемные соединения в ГИС изготовляют либо последовательным напылением на подложку различных материалов в вакууме (тонкопленочная технология), либо нанесением со-" ответствующих материалов
§ 2.3. Гибридные интегральные микросхемы
По технологии изготовления различают полупроводниковые и гибридные интегральные микросхемы.
Плотность упаковки гибридных интегральных микросхем несколько меньше — до 150 эл/см3, степень интеграции—-первая и вторая. Гибридные интегральные микросхемы перспективны для устройств с небольшим количеством элементов, в которых может быть обеспечена высокая точность параметров.
§ 2.3. Гибридные интегральные микросхемы
Гибридные интегральные микросхемы (ГИМС) имеют следующие основные конструктивные элементы:
Генерация пары носителей заряда 16 Гибридные интегральные микросхемы
Похожие определения: Градиенты концентраций Градиентом потенциала Градуировочной характеристики Графических построений Гармоники намагничивающего Графического интегрирования Графитовым замедлителем
|