Германиевые диффузионно

8.171. Германиевый транзистор ГТ108А используется в схеме на 8.9. Определить температуру, при которой произойдет тепловой пробой, если транзистор имеет следующие данные: максимально допустимая температура перехода ГПтаж=80 °С, тепловое сопротивление переход — среда /?тс=0,8 град/мВт, обратный ток коллекторного перехода /КБО=Ю мкА при 20 °С, коэффициент передачи тока базы ^ = 50 (постоянен в интервале температур от 20 до 80 °С). Напряжение источника ?кэ==~ 10 В.

Материалы, методы получения р-п-переходов, параметры и конструктивное оформление современных транзисторов весьма разнообразны. Мы рассмотрели сплавной германиевый транзистор, у которого тип электропроводности областей меняется в следующем порядке: р (эмиттер), п (база), р (коллектор). Такой прибор называют транзистором типа р-п-р. Он может быть изготовлен и на основе кремния «-типа.

Выбираем высоковольтный германиевый транзистор МП20А, который характерен сравнительно бЪлышми максимально допустимыми напряжениями коллекторного и эмиттерного переходов. Поскольку в схеме транзисторного блокинг-генератора коэффициент трансформации для базовой обмотки п = Wt/W2 обычно близок к единице, то

4-41 . . Плоскостной германиевый транзистор ти-

Подходящим для каскада является маломощный германиевый транзистор типа П14, имеющий Ржци =20 при токе коллектора /ко='1 ма; останавливаемся на этом транзисторе и увеличиваем ток покоя коллектора до рекомендуемого значения в >1 ма. Задавшись падением напряжения питания на сопротивлении в цепи коллектора /?„ равным 0,4 Ек, 'найдём

Подходящим для каскада является низкочастотный германиевый транзистор малой мощности типа П13, имеющий: наибольший ток коллектора в режиме усиления /ко макс =20 ма, допустимое пиковое напряжение коллектор—эмиттер Укэмакс =15 в, допустимую мощность рассеивания при естественном охлаждении ^доп = 150 мет, наименьшее значение статистического коэффициента усиления тока при включении с общим эмиттером $мин=>12. Семейство его статических выходных характеристик и входная характеристика для включения с общим эмиттером даны на 6.13.

Подходящим для каскада является маломощный германиевый транзистор типа П6В, имеющий ам,,н—0,94 при токе коллектора /,,-о = 1 ма; останавливаемся на этом транзисторе и увеличиваем ток покоя коллектора до рекомендуемого значения в 1 ма. Задавшись падением напряжения питания на сопротивлении в цепи коллектора RK равным 0,4 Ек, найдём

Подходящим для рассчитываемого каскада является германиевый транзистор типа П13, имеющий: наибольший ток коллектора в режиме усиления 10 ма, допустимое пиковое напряжение коллектор — база 30 в, наибольшую рассеиваемую мощность при естественном охлаждении 150 мет, наименьшее значение а=0,92. Семейство его статических выходных характеристик и входная характеристика для включения с общим эмиттером даны на 6.13.

Тип транзистора обозначают следующим образом: первая буква (цифра) указывает на материал (Г или 1 — германий, К или 2 — кремний, А или 3 — арсенид галлия); на втором месте ставят букву Т (транзистор); на третьем месте стоит трехзначное число, указывающее мощность рассеяния и частоту (транзисторы малой мощности низкочастотные—от 101 до 199, среднечастотные— от 201 до 299, высокочастотные — от 301 до 399; транзисторы средней мощности низкочастотные — от 401 до 499; среднечастотные — от 501 до 599, высокочастотные— от 601 до 699; транзисторы большой мощности низкочастотные — от 701 до 799; среднечастотные — от 801 до 899; высокочастотные — от 901 до 999); на четвертом месте ставят букву, указывающую на разновидность конструкции транзистора данной группы. Например: 1ТЗОЗБ — германиевый транзистор, высокочастотный, малой мощности, разновидность Б.

3 а д а ч а 7.5 В схеме усилителя с общим эмиттером определить изменения тока коллектора в рабочей точке и напряжения коллектор — эмиттер под влиянием изменения окрулсающей температуры, если используются кремниевый транзистор типа ВС 213 и германиевый транзистор типа АС 151. В обеих схемах /к=—10 мА, ?/jo= =5 В, номинальная температура окружающей среды вОкр.ном= =20 °С, R$ =330 Ом, отношение сопротивлений, влияющее на стабильность, #бсч = -^Бсм "Ь ГБ= 5^э- Напряжение питания ?и=15 В. Температурной зависимостью сопротивлений в этих вычислениях можно пренебречь.

Выше подразумевалось, что германиевый транзистор всегда можно заменить кремниевым приблизительно с теми же мощностью, тепловым сопротивлением и коэффициентом усиления по току при условии, что большее напряжение смещения база — эмиттер ^БЭпрО компенсируется соответствующим изменением напряжения ?/Бсм? поступающего на базу от делителя.

Использовать германиевый транзистор типа АС 151 [49] с параметрами:

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные п-р-п универсальные низкочастотные маломощные.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р универсальные низкочастотные маломощные.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р универсальные низкочастотные маломощные.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р универсальные низкочастотные маломощные.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р усилительные высокочастотные маломощные.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р универсальные высокочастотные маломощные.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р усилительные высокочастотные маломощные.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-р усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р переключательные высокочастотные маломощные.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-р лавинные маломощные.