Фтористых соединений

К оптоэлектронным относятся полупроводниковые приборы, способные работать в качестве источников (светоизлучающие диоды) и приемников (фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры) излучения.

В качестве фотоприемников в оптронах могут использоваться различные полупроводниковые фотоэлектрические приборы, у которых выходным параметром яв-.ляется изменяющийся во времени импеданс 7фд. К ним относятся фоторезисторы, фотоваракторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры и т. д. Особенностью работы фотоприемников являются отсутствие обязательных источников смещения, линейность выходной характеристики 1ф = f(B).

Для измерения оптических величин (интенсивности излучения, светового потока, яркости, освещенности) используют фотоэлектрические преобразователи: фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры, электронные и ионные фотоэлементы, фотоэлектронные умножители, рассмотренные в гл. 4.

К оптоэлектронным относятся полупроводниковые приборы, способные работать в качестве источников (светоизлучающие диоды) и приемников (фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры) излучения.

К оптоэлектронным относятся полупроводниковые приборы, способные работать в качестве источников (светоизлучающие диоды) и приемников (фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры) излучения.

В общем случае для разделения цепи запуска от нагрузки можно применять трансформаторы (но они могут работать только в импульсных режимах, а в непрерывных, при полной, неискаженной передаче формы импульса управления — только на частотах не ниже нескольких герц). Поэтому лучше использовать оптоэлектронные приборы: оптроны, светоизлучающие диоды, фоторезисторы, фототранзисторы, фототиристоры и т. д., в которых управление осуществляется световыми потоками и отдельные, оптически связанные блоки аппаратуры оказываются электрически идеально изолированы друг от друга. Это обеспечивает практически полную безопасность в эксплуатации и уменьшает помехи от утечек из высоковольтных цепей в низковольтные измерительные цепи.

К полупроводниковым приемникам излучения относятся фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры и оптроны.

Оптопара — оптоэлектронный полупроводниковый прибор, со стоящий из излучающего и фотоприемного элементов, между которыми имеется оптическая связь и обеспечена электрическая изо ляция. Простейшая оптопара состоит из светодиода и фотодиода размещенных в общем корпусе ( 8.10). В качестве источников; излучения используют светодиоды, спектрально согласованные с фотоэлектрическим полупроводниковым приемником излучения, Е. данном случае с фотодиодом, в качестве фотоприемников — фототранзисторы, фототиристоры и фоторезисторы.

К числу фотоприемников относятся фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры и другие приборы. В § 1.1 было упомянуто явление термогенерации, т. е. перехода электрона из валентной зоны в зону проводимости при нагреве. Аналогичный переход может произойти, если на слой полупроводника воздействовать светом. В результате увеличения числа неосновных носителей увеличивается проводимость вещества (появление фотопроводимости). При облучении светом р-п перехода уве-

лярные и полевые транзисторы, тиристоры, электровакуумные лампы —диоды, триоды, тетроды, пентоды и т. д., газоразрядные приборы — стабилитроны, газотроны, тиратроны, плазменные панели и т. д. К электросветовым — светодиоды, люминесцентные конденсаторы, лазеры, электронно-лучевые трубки. К фотоэлектрическим — фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры, солнечные батареи и др. К термоэлектрическим — полупроводниковые диоды, транзисторы, термисторы. К акустоэлектрическим — аку-стоэлектрические усилители, генераторы, фильтры, линии задержки на поверхностных акустических волнах и др.

Для повышения коэффициента передачи оптопары чувствительная площадь фотоприемника многократно превышает излучательную площадь светодиода. Структуру фотоприемников оптопар изготавливают в основном из кремния. Наибольшее распространение получили фотодиоды с p-i'-ra-структурой, биполярные фототранзисторы, фототиристоры, структуры фотодиод — транзистор и др.

Фотоприемники. Для преобразования световых сигналов в электрические используют фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры, фоторезисторы и другие приборы.

Интересным и несколько необычным использованием принципа четвертьволнового трансформатора являются «просветляющие» покрытия, наносимые на рабочие поверхности оптических линз с целью уменьшения потерь света на отражение от стекла. Эти покрытия представляют собой прозрачные пленки из фтористых соединений толщиной в четверть длины волны оптических колебаний. Показатель преломления пленки выбирают равным среднегеометрическому от показателей преломления воздуха и стекла.

Активные (кислотные) флюсы приготовляют на основе активных веществ — соляной кислоты, хлористых и фтористых соединений металлов и

Флюсы удаляют окисные и адсорбированные пленки с паяемых поверхностей, защищают их от окислений и загрязнений в процессе пайки и тем самым способствуют лучшему смачиванию поверхностей припоем. По составу флюсы разделяют на четыре группы: на основе соединений бора, на основе фтористых соединений, на основе хлористых соединений, на основе канифоли и других органических соединений. Выбор

Прибор используется при температуре окружающего воздуха от —20 до +50° С, содержащего пары фтористых соединений, при относительной влажности до 80% и при наличии сильных магнитных полей порядка 8000 а/м (100 э).

Активные или кислотные флюсы. Они приготовляются на основе активных иеществ: соляной кислоты, хлористых и фтористых соединений металлов и т. д. Эти флюсы интенсивно растворяют оксидные пленки на поверхности металла, благодаря чему обеспечивается хорошая адгезия, а следовательно, и высокая механическая прочность спая. Остаток флюса после пайки вызывает интенсивную коррозию спая и основного металла. Применяются эти флюсы только в том случае, когда возможна тщательная промывка и полное удаление остатков флюса.

Химия и технология фтористых соединений урана/ Н. П. Галкин, А. А. Майоров, У. Д. Верятин и др. М.: Атомиздат. 1961.

Химия и технология фтористых соединений урана/ Н. П. Галкин, А. А. Майоров, У. Д. Верятин и др. М.: Атомиздат. 1961.

Основу кварцевого стекла составляет диоксид кремния (Si02), который получают осаждением из силикатных растворов, разложением кремниевой кислоты, реакцией гидридных, хлоридных и фтористых соединений кремния с водой или кислородом. Из диоксида кремния получают сплошные массивные изделия или покрытия (например, на графите и т.п.).

Одновременно с этим металлические атомы, выделяющиеся из флюса, высаживаются на чистой поверхности алюминия, покрывают ее сплошным слоем и соединяют паяемые поверхности между собой. Подбирая состав флюса, можно получить в паяемом шве сплав (припой) с желательными свойствами. Добавка во флюс фтористых соединений облегчает очистку поверхности алюминия от пленки А1203.

2. При пайке алюминия, магния и других трудно-паяемых металлов и сплавов применяют флюсы, в состав которых входят фтористые и хлористые соли щелочных металлов. Эти флюсы при пайке загрязняют воздух парами фтористых соединений, которые при вдыхании вызывают поражение слизистых оболочек глаз и верхних дыхательных путей. Поэтому место, где происходит пайка с флюсами, содержащими фтористые соли, должно вентилироваться.

S. 1.2. М369М.М369МТ вольтметры для измерения напряжения на электролизных ваннах и сигнализации наступления анодного эффекта. Кл. 1,5. Конечное значение рабочей части шкалы 10 В (перегрузочный участок до 60 и, красного цвета). Рабоч. полож. верт. t от —20 до -(-50° С, влаж. до 80%. Обыкновен. Защищен от паров фтористых соединений и магнитных полей до 8000 А/м. 230X180X117 мм. 3 кг. Вид 26.5.6. Габ. 43.3.2.