Формулами полученными

Емкость коллекторная область — подложка обычно играет роль паразитной емкости «нижней обкладки» конденсатора на подложку, поэтому она работает с максимально возможным смещающим напряжением. При низком смещающем напряжении на переходе, используемом в качестве основной емкости СЭБ или СБК> соотношение основной емкости к паразитной СэБ/Спар = = 3...5. Структуры диффузионных конденсаторов полупроводниковых микросхем образуются в процессе базовой или эмиттерной диффузии. Внешние соединения формируются одновременно на всей поверхности кристалла. Площадь нужного р — n-перехода выбирают, исходя из необходимой величины емкости.

При использовании полупроводниковых БИС необходима многослойная коммутация с получением проводников методом трафаретной печати пастой состава Ag — Pd, слоя диэлектрика — пастой из смеси порошка А12О3 со стеклом. Межслойные переходы формируются одновременно с нанесением верхнего проводящего слоя. Недостатками такой схемы являются низкая плотность коммутационной системы и сложность механизации процесса установки бескорпусных ИМС с жесткими выводами. Определен-ные улучшения в смысле повышения плотности монтажа достигаются при использовании многослойной глиноземистой и бериллиевой керамики. Соединение коммутационных слоев выполняется с помощью металлизации отверстий в керамических платах. Так как процесс спекания керамики протекает при температурах свыше 1400° С, для проводящих дорожек применяют тугоплавкие материалы — молибден и вольфрам.

Поскольку в гибридных ИМС пленочные элементы формируются одновременно в определенном технологическом цикле, свойства материалов и физико-химические процессы, сопутствующие отказам, сильно коррелированы. В этом случае в эквивалентной схеме надежности целесообразно использовать в качестве компонентов ненадежности не отдельные пленочные элементы, а комплексы (группы) однотипных элементов, изготовляемых в одном технологическом цикле, а вместо Кк, Хс и других величин вводить удельные интенсивности отказов для единицы длины рези-стивной пленки с определенной шириной (ККо), единицы площади пленочных конденсаторов (^со). изолирующих областей для многослойных коммутационных плат гибридных БИС и МСБ (А,и0) и т. д. При этом интенсивности отказов групп однотипных элементов определяются выражениями

На 2.21 приведен пример топологии и схема соединения элементов ячейки БМК с л-канальными МОП-транзисторами, где кружочками обозначены заранее сформированные контактные окна к соответствующим областям полупроводниковой структуры. Удлиненные поликремниевые затворы и внутренняя п+-область с двумя контактами используются в качестве перемычек. Алюминиевые шины питания формируются одновременно с сигнальными цепями. Трассы прокладывают с заранее установленным шагом. Кристалл-полуфабрикат покрыт алюминиевой пленкой. Для выполнения электрических связей необходим один заказной фотошаблон.

Запись исходного числа в счетчик осуществляется по обмоткам w3i, wnt на сердечники С1 — С4. Прибавление (вычитание) единицы осуществляется в два такта. В первом такте формируются одновременно во всех узлах импульсы тока /, считывающие по обмоткам шр сердечники С1 и С2, СЗ и С4 и переписывающие с них по обмоткам w3 информацию на сердечники С5 — СЮ. Тот же импульс тока / подается через wnt на С5 — СЮ (wa — 2дапг). В первом такте информация в коде «1 из 2» может быть подана на внешние выходы (последовательно с шр на сердечниках С1 — С4). На 5-17 внешние выходы не показаны. Цепь считывания С1 — С4 образует дешифратор на 4 выхода, соответствующих четырем возможным комбинациям двухразрядного слова а2аг. Импульсом тока в одной из 4 ветвей этого дешифратора производится намагничивание в 1 одного или двух сердечников из группы С5 — СЮ. Код а^аг, при котором каждый из сердечников С5 — СЮ намагничивается в 1, указан снизу этих сердечников на 5-17.

Для динамических схем характерен синхронный режим работы — фронты сигналов на входах и выходах ЛЭ формируются одновременно с фронтами тактовых импульсов (синхронно с ними) или с небольшой постоянной задержкой. Легко видеть, что простейший инвертор (см. 8.16) не .ч"

Основной принцип получения полупроводниковых ИМС заключается в том, что они создаются в едином технологическом цикле, т. е. все активные и пассивные элементы этих схем формируются одновременно на одной и той же несущей конструкции — подложке. Сам термин «интегральная схема», как известно, отражает факт объединения (интеграции) отдельных деталей-компонентов в конструктивно единый прибор, а также факт усложнения выполняемых этим прибором функций по сравнению с функциями отдельных компонентов.

Диоды в полупроводниковых интегральных микросхемах изготовляют на основе тех же диффузионных (эпитаксиальных) слоев и переходов, что и биполярные транзисторы. (Поэтому на практике в качестве диодов принято использовать транзисторные структуры типа п-р-п+, так как при создании микросхем транзисторы все равн® необходимо формировать, а получение диодов таким путем значительно проще, чем если (изготовлять специализированные диодные структуры. Это означает, что диоды и транзисторы формируются одновременно. Посколыку даоды изготовляют на одной пластине кремния вместе с другими элементами в едином технологическом процессе, возможности оптимизации их параметров ограничены.

СУММАТОР С ПАРАЛЛЕЛЬНЫМ ПЕРЕНОСОМ. При решении многих задач быстродействие сумматора с последовательным переносом оказывается недопустимо низким. Радикальный метод повышения быстродействия сумматоров - это одновременное формирование переносов во всех разрядах. Сумматор с параллельным переносом - сумматор, в котором цифры переноса формируются одновременно во всех разрядах.

Как видим, операндами в каждом выражении для рЧ1 являются только цифры слагаемых а„ b, (j = 0,n), цифра переноса р0. Следовательно, значения переносов во всех разрядах сумматора формируются одновременно, начиная с момента подачи на его входы слагаемых А и В и цифры р0. Поэтому сумматор, в котором так формируются переносы, называют сумматором с параллельным переносом. Цифры суммы с; в таком сумматоре вычисляются одинаково - по формуле (1.17):

сумматор, в котором цифры переноса формируются одновременно во всех разрядах_____________________________________________

Электростатическое поле в ди.--, электрике при отсутствии .свободных объемных зарядов .описывается уравнением Лапласа. Поэтому если две одинаково .ограниченные области — проводящая (без сторонних э. д. с.) и диэлектрическая (без свободных зарядов) имеют на граничной поверхности одинаковое распределение потенциала, то внутри каждой из этих областей распределение потенциала будет также одинаковым. с>то обстоятельство позволяет пользоваться формулами, полученными при: расчете электростатических полейь в случае поля постоянного тока. При этом емкость необходимо заменить проводимостью, абсолютную диэлектриче-

Формула (1-21) учитывает "олько энергию взаимодействия. Собственная энергия точечного заряда формально равна бесконечности, так как, для того чтобы сосредоточить заряд конечной величины в тоже, надо было бы затратить бесконечно большую работу. Следовательно, формулой ( 1-21), так же как и остальными формулами, полученными на основании закона Кулона, можно пользоваться тогда, когда заряды отстоят друг от друга на расстояниях, значительно больших, чем размеры тел, несущих эти заряды.

Электростатическое поле в диэлектрике при отсутствии свободных объемных зарядоЕ описывается уравнением Лапласа. Поэтому если две одинаково ограниченные области: проводящая (без сторонних э. д. с) и диэлектрическая (без свободных зарядов) имеют па граничной поверхности одинаковое распределение потенциала, то внутри каждой из этих областей распределение потенциала будет также одинаковым. Это обстоятельство позволяет пользоваться формулами, полученными при расчете электростатических полей, в случае поля постоянного тока. При этом емкость необходимо заменит!) проводим эстью, абсолютную диэлектрическую проницаемость замен: ть удельной проводимостью.

Задержки при перебросе триггера определяются формулами, полученными в § 7.7.1. Чтобы ими воспользоваться, представим как логическую матрицу ту часть триггера, через которую он перебрасывается (в данном случае это транзисторы Т\, Гз, Т% Т ц, Т 'в), а подключенную к выходу этой матрицы вторую часть собственно триггера (на транзисторах Тг и Т*) — как входной инвертор усилителей мощности. При этом на том выходе триггера, где происходит переход из состояния логической 1 в 0, мощные транзисторы (Tj и 7» образуют неинвертирующий усилитель, поэтому

Поскольку рассматриваемый усилительный каскад с динамической нагрузкой обладает свойствами каскада с ОЭ, то при расчете его параметров можно воспользоваться формулами, полученными в § 4.8 для резистор-ного усилительного каскада с ОЭ, подставив вместо сопротивления резистивной нагрузки выходное сопротивление нагрузочного транзистора.

Электромагнитный момент в синхронной машине может быть рассчитан или как момент, действующий на ротор, или как момент, действующий на статор. При расчете момента, действующего на статор, можно воспользоваться формулами, полученными применительно к асинхронной машине [см. (69-45)].

Найдем зависимость коэффициента передачи для изображенной цепи, пользуясь формулами, полученными ранее для четырехполюсников. Будем рассматривать четырехполюсник, изображенный на 3.13, б, который совпадает с исследуемой схемой при присоединении к нему в виде нагрузки конденсатора С2.

намагниченностью шара, такое же, как поле тока в весьма малом замкнутом контуре, находящемся в центре шара, имеющего магнитный момент р, равный геометрической сумме магнитных "моментов всех элементарных токов в объеме шара. , Пользуясь формулами, полученными в § 6-19, находим:

туре. Для определения удельных потерь мощности пользуются иногда формулами, полученными на основании обобщения опытных данных. Одна из них имеет вид

Область развитого кипения (интенсивного) теплообмена. Область развитого кипения охватывает паросодержания от нуля до дггр. Для расчета коэффициента теплоотдачи при кипении металлов в трубах возможно пользоваться формулами, полученными для случая кипения металлов в большом объеме. Для расчета теплового потока и паросодержания на границе между областью интенсивного теплообмена и переходной областью получены зависимости:

Пользуясь формулами, полученными в § 24.19, находим