Формирование импульсов

Формирование элементов ИМС происходит внутри изолированных «островков», отделенных от остальной части схемы обратно смещенным р — n-переходом. Это

На 3.18 приведена последовательность создания изолированного БТ методом локальной гомоэпитаксии. Принципиальным отличием данного метода от методрв типа «изопланар» является формирование элементов ИМС в областях, полученных методами локальной гомоэпитаксии.

§ 3.3. Формирование элементов полупроводниковых ИМС ... 68

Формирование элементов для изображения схемы электрической цепи и графиков (Буквенных и цифровых обозначений, рисок, стрелок). Выход из собмещения

Формирование элементов для оформления графиков: риски, стрелки, запятая.

о — диффузия для создания скрытого слоя и эпитаксия кремния /г-типа; б — базовая диффузия р-области; в — маскирование слоем SiO2 и травление V-образных канавок; г — защита поверхности слоем SiOj—Si3N(; д — заполнение канавок кристаллическим кремнием и полировка поверхности; е — формирование элементов транзистора и алюминиевой металлизации.

а — диффузия для создания скрытого слоя; б — эпитаксия слоя типа л; в — маскирование слоем 51з5«; г — вытравление U-образных канавок; д — окисление кремния для создания диэлектрической изоляции; е — формирование элементов транзистора, вскрытие контактных окон и металлизация для создания разводки.

а — диффузия для создания скрытого коллекторного слоя: 6 — наращивание окисного слоя SiOa и вскрытие окон; в — локальная эпитаксия кремния л-типа; г — формирование элементов транзисторов и разводки.

Формирование элементов 290 dralK пР°«есс ^89

Интегральное формирование элементов с такими малыми размерами обеспечит создание ЗУ с объемом памяти 100 Мбит, логических схем с числом элементов 20 млн, с повышенной надежностью работы и позволит уменьшить стоимость схем. Однако для решения этой задачи потребуется разработка многочисленных новых технологических методов и процессов, причем на это уйдут годы. Все же использование технологических методов, которые разрабатываются в последнее время и которые описаны в предыдущей и данной главе, вероятно, позволит в ближайшем будущем создать ультра-БИС с минимальными размерами элементов не более 0,5 мкм.

В одноканальной СИФУ формирование импульсов для всех фаз обеспечивается одним ФСУ с последующим распределением их распределительным устройством (РУ) по выходным каналам. Главными достоинствами такой системы являются высокая симметрия управляющих импульсов, простота настройки, недостатками - сложность синхронизации с сетью, ограниченное быстродействие.

Нарастание амплитуды входного напряжения заканчивается в точке Ь', а формирование импульсов анодного тока — в точке Ь, после чего в генераторе устанавливаются постоянные амплитуды напряжения обратной связи и анодного тока; последняя определяет амплитуду синусоидального напряжения в контуре.

Мультивибратор М214 ( 121) формирует тактовые импульсы отрицательной полярности с частотой следования 20 кГц для ЭФМ «Зоемтрон-382/383» и 25 кГц для ЭКВМ «Зоемтрон-220». Формирование импульсов мультивибратором происходит в последовательности, аналогичной формированию импульсов основной схемой мультивибратора. При первоначальном включении машины источник питания +12 В создает на базе транзистора Т2 более положительный потенциал, чем потенциал базы транзистора Т1, обеспечивает закрытое состояние транзистора Т2 (R& ^> R7) и повышает надежность запуска мультивибратора. В результате на выходе мультивибратора вырабатывается сигнал t/вых = 0. Одновременно от корпуса через эмиттер — база открытого транзистора Tl, R4, R1, — 12В протекает базовый ток, который создает на сопротивлении базы транзистора Т1 небольшой отрицательный потенциал по отношению к эмиттеру и удерживает транзистор Т1 в открытом состоянии.

Мультивибратор М215 ( 122) в схемах ЭФМ «Зоемтрон-382/383» выполняет функцию генератора импульсов печати. Формирование импульсов печати мультивибратором М215 с частотой следования 32, 28 и 25 Гц происходит в последовательности, аналогичной формированию импульсов схемой мультивибратора М214. Диоды Д1 и Д2 в схеме мультивибратора М215 предотвращают переход последовательно открытых транзисторов Т1 и Т2 в режим глубокого насыщения. Резистор R11 уве-

Тактовый генератор обеспечивает формирование импульсов тока ампли-тудой /т = (2 ± 0,2) А и длительностью tu = 3 мкс.

Наиболее часто требуется формирование импульсов почти прямоугольной формы, характеризующихся амплитудой, длительностью импульса, фронта и спада.

Транзисторы, как и тиристоры, в формирователях работают в режиме ключа. Для ключа существенны предельные допустимые значения тока /к. доп и напряжение UK доп. Поскольку с помощью ключа требуется формирование импульсов тока определенной длительности tn с заданным фронтом 1Ф и спадом /сп, то при выборе полупроводникового прибора существенными оказываются также параметры, характеризующие быстродействие.

сов. На 3-17 приведена схема, обеспечивающая формирование двухтактной последовательности импульсов тока /t и /2. Она обычно используется в импульсных устройствах, выполненных с применением магнитно-диодных либо ферро-транзисторных элементов. Схема содержит блокинг-генератор на транзисторе ТЗ и два формирователя импульсов тока на транзисторах Т1 и Т2, осуществляющих формирование импульсов тока первого и второго такта соответственно. Формирователи содержат трансформаторы на сердечниках с ППГ. Обмотка записи w3 формирователя Ф2 включена в выходную

Формирователь-регулятор тиристора получает питание от трансформатора. Формирование импульсов выполняется по одной из схем, например по схеме 18-18. Регулирование напряжения производится при изменении напряжения Uy, которое снимается с резистора ( 18-18).

§ 10.1. ФОРМИРОВАНИЕ ИМПУЛЬСОВ

§ 10.1. Формирование импульсов............ 256