Формирования выходного

талла и создает благоприятные условия для формирования структуры шва.

Процесс функционирования АЛ изготовления ТОП следующий. Основные диэлектрические лавсановые мононити и токопро-водящие нити сматываются с катушек магазина (шпулярника), проходят общую направляющую и разделительные гребенки, входят в ремизы и лица зевообразовательного механизма и через бердо поступают в зону формирования структуры ТОП в ткацком модуле. В процессе выработки ТОП происходит формирование диэлектрического основания платы с расположенными на нем контактными узлами. Наработанная тканая объединительная плата в виде непрерывной ленты отводится из ткацкого модуля.

ектирование ТП или определяемыми структурой изделия выбора технологического оснащения и инструмента. Бл ж ния нормативно-технических и экономических параметр ций и СТО. Блок 9 обеспечивает анализ состава СТ' к видам оборудования (автоматическое, полуавтомата1 реализующее технологические операции, полностью ав ние передается блоку 8. При наличии полуавтомати реализующего технологические операции, осуществлж Блок 10 служит для формирования структуры рабочег го. Блок 11 обеспечивает формирование организацией и монтажа с учетом реализации его на АСТО, оценку нирования ТС сборки и монтажа, оптимизацию органи; раметров ТС сборки. Блок 12 обеспечивает формиро вателя форме сообщений об ошибках в исходных дайных Блок 13 производит формирование технологической до! ным формам выходной информации и справочных све рования. Блок 14 служит для формирования маршрут гической карты и перфолент для станков с ЧПУ.

Интегральные логические схемы данного класса обладают следующими преимуществами: отсутствием металлизации внутрисхемных соединений, используемой для соединения отдельных инверторов в схему логического вентиля; реализацией на одном кристалле как вентилей И — НЕ, так и ИЛИ — НЕ путем изменения топологии; отсутствием изоляции между элементами. Перечисленные преимущества значительно расширяют функциональные возможности логических схем с инжекционным питанием. Такие базовые логические элементы могут быть изготовлены по обычной планарно-эпитаксиальной технологии без увеличения числа технологических операций, а также числа фотошаблонов, необходимых для формирования структуры классической И2Л.

введения дополнительных технологических операций, поскольку они выполняются на переходах, предназначенных для формирования структуры интегральных транзисторов. Структура инте-

Данные технического задания позволяют сформулировать требования к технологическому процессу и обоснованно выбрать из всех существующих типовых технологических процессов изготовления гибридных ИМС наиболее приемлемый. В случае, когда существующие технологические процессы не позволяют реализовать разрабатываемую гибридную ИМС в соответствии с техническими требованиями, выбирают метод формирования структуры пассивной части гибридной ИМС, а затем разрабатывают новый технологический процесс.

Данные технического задания позволяют сформулировать требования к технологическому процессу и обоснованно выбрать из всех существующих типовых технологических процессов изготовления гибридных ИМС наиболее приемлемый. В случае, когда существующие технологические процессы не позволяют реализовать разрабатываемую гибридную ИМС в соответствии с техническими требованиями, выбирают метод формирования структуры пассивной части гибридной ИМС, а затем разрабатывают новый технологический процесс.

Анализ результатов экспериментов подтвердил, что большое значение для формирования структуры имеет постоянство тепловых условий в процессе плавки. При колебаниях режима генератора рост

На 3.17 показана последовательность формирования структуры простой интегральной микросхемы ( ЗЛ7а), содержащей транзистор, диод, резистор, конденсатор и внутрисхемные соединения, с помощью планарно-эпита-кеиальной технологии. Вначале исходную пластину подвергают очистке (см. табл. 3.1) и окисляют в атмосфере сухого кислорода при Г«1000°С ( 3.176). Следует отметить, что поверхность пластины очищают перед каждой по-

На 3.18 показана последовательность процесса формирования структуры полупроводниковой микросхемы, содержащей все основные элементы (см. 3.17а) с помощью EPIC технологии. Данный 'процесс включает в себя следующие операции:'в исходную пластину кремния п-таша ( З.Ь8а) проводят диффузию сурьмы или мышьяка для получения тонкого •поверхностного слоя га+-ти(па толщиной 1—2 MiKM ( 3.1186). Методом фотолитографии со стороны «п+-слоя получают окна под изоляционные области (

2. При уменьшении мощности АТЭЦ до 30% сильно меняется оптимальная мощность ТЭЦ на органическом топливе ( 6.2). Важный вывод, который следует из построений 6.2, заключается в том, что при заданных условиях формирования структуры ЭК и ЕЭЭС наряду с развитием атомной теплофикации должно быть введено не менее 35 — 40 млн кВт ТЭЦ на органическом топливе, в том числе 20 — 25 млн кВт — в восточных районах.

При работе на активно-индуктивную нагрузку длительность фронта выходного импульса тока обычно определяется параметрами выходной цепи (RK, Ln, С), а не процессами в транзисторе. При этом во время формирования выходного импульса тока транзистор работает в области насыщения. Выполняя интегрирование на каждом из этапов для цепи, показанной на 3-3, можно

Схема одновибратора на ОУ показана на 5.23, б. Одно-вибратор имеет запускающую цепь CR3V, формирующую входной сигнал. R2, R4 — положительная цепь для формирования выходного сигнала. Диод VI шунтирует конденсатор С1 при отрицательном выходном сигнале.

напряжения Д?/Вы1 поступает на инвертирующий вход, усиливается, создает новое приращение выходного сигнала и снова тем же путем подается на вход и т. д., т. е. происходит лавинообразный процесс формирования выходного импульса постоянной амплитуды U0.

Используя (12.7), находим, что при \U*V = I мВ погрешность формирования выходного тока /к., примерно 4%.

где TSKB = (гэ2 — ЯКор)С — эквивалентная постоянная времени, характеризующая задержку формирования выходного сигнала на выходе интегратора, как показано на 12.13 штриховой линией. Задержка уменьшается при увеличении /?R0p. При оптимальном соотношении /?КОр опт ~ ГЭ2 происходит полная компенсация погрешности интегратора. Однако проведенный анализ справедлив лишь для достаточно больших времени (<>Th2iei)' когДа полностью затухают составляющие переходного процесса, обусловленные отброшенными членами полиномов изображения (12.15).

Процесс формирования выходного периодического прямоугольной формы напряжения на вторичной обмотке трансформатора Ш2 определяется насыщенным и ненасыщенным состояниями элементов схемы — транзисторов и сердечника трансформатора. Этот процесс можно разбить на два этапа: а) медленный, когда формируется вершина прямоугольного напряжения; в это время один из транзисторов находится в полностью открытом состоянии, а второй — в полностью закрытом; б) быстрый, когда формируются фронты напряжения; при этом происходит переключение транзисторов: ранее открытый — закрывается, а ранее закрытый — открывается.

4. Чем определяется и как проходит процесс формирования выходного напряжения преобразователя?

ИМС показан на 10.10, а. Цепь задержки состоит из трех логических элементов Л} — Лз. Элемент Лц предназначен для формирования выходного импульса. При подаче на вход перепада напряжения ( 10.10,6) выходной инвертор Л4 отпирается и начинается формирование короткого импульса. Одновременно происходит изменение состояний логических элементов Л\—Л->, в цепи задержки. Когда переключается Лз, изменяется входное напряжение Л4, что приводит к запиранию выходного инвертора. Таким образом формируется короткий импульс, длительность которого tw (на уровне 0,5мвыхт) практически определяется суммарной задержкой распространения сигнала в цепи логических элементов Л]—Лз:

Отметим некоторые свойства рассмотренного расширителя импульсов. Формирование выходного импульса заканчивается при напряжении на базе, равном ео5, и напряжении на конденсаторе Uc — = Е! + е0б, т. е. при Uс = ?/с(0). После этого напряжение ыб(0 оказывается зафиксированным на уровне еоб и никаких дальнейших изменений напряжения на конденсаторе не происходит. Исходное напряжение на конденсаторе восстанавливается в процессе формирования выходного импульса. Никакого дополнительного времени восстановления для подготовки расширителя импульсов к работе после формирования среза выходного импульса не требуется. Поэтому при твх>3в1 и Г>твх + тзаР величина тзаР, характеризующая степень расширения длительности импульса, не зависит от периода следования входных импульсов Т.

Изменения длительности выходного импульса при периодическом запуске ждущего мультивибратора. В предыдущих разделах был рассмотрен процесс формирования импульса при однократном запуске мультивибратора. Было показано, что после формирования выходного импульса начинается процесс восстановления напряжения на времязадающем конденсаторе, которое изменяется по экспоненциальному закону. Процесс восстановления длится теоретически бесконечно долгое время, а практически около Зв„. При периодическом запуске мультивибратора импульсами с периодом повторения Т из-за неполного восстановления напряжения на конденсаторе Ci длительность выходных импульсов отличается от начального значения т0 = @ф!п2. Наиболее сильно это изменение длительности проявляется в режиме малой скважности выходных импульсов. Будем считать, что ^/-напряжение на времязадающем конденсаторе С] в момент очередного запуска мультивибратора. Тогда длительность выходного импульса, сформированного в данный цикл запуска, т = 6ф1п (1 +

После перехода транзисторов в режим насыщения начинается процесс формирования выходного импульса мультивибратора. При этом оба транзистора насыщены. Конденсатор Cj заряжается от источника питания +? через участок «эмиттер — коллектор» насыщенного транзистора Т2, практически стянутого