Формирования импульсов

Подготовительные операции предназначены для обеспечения качества при выполнении основных процессов формирования элементов печатного монтажа. Они включают очистку исходных материалов и монтажных отверстий от окислов, жировых пятен, смазки, пленок и других загрязнений, активирование поверхностей проводящего рисунка, специальную обработку диэлектриков, а также контроль качества подготовки. В зависимости от характера и степени загрязнений очистку (активирование) проводят механическими, химическими, электрохимическими, плазменными методами и их сочетанием. Выбор технологического оборудования для подготовительных операций определяется серийностью производства.

тактов ТО, Tl,..., T7 формирования элементов знаков. Такты ТО—Т2 формируют промежуток, между знаками, ТЗ— Т7 участвуют в изображении знака. При движении пятна луча по первой линии (ЛО) модуляцией луча формируются только верхние элементы всех знаков данной текстовой строки, при движении по второй линии (Л/) — вторые элементы и т. д.

Для изготовления полупроводниковых ИМС используют пластины кремния толщиной не более 30—50 мкм и диаметром 50—100 мм, образующие подложку. На поверхности или в объеме таких подложек формируются элементы полупроводниковой ИМС. В основе формирования элементов на подложке лежит планарная технология, позволяющая групповым методом обрабатывать одновременно несколько десятков подложек с сотнями и тысячами полупроводниковых ИМС на каждой. Элементы, изготовленные по пленарной технологии, имеют плоскую структуру: р-п-пере-ходы и соответствующие контактные площадки выходят на одну плоскость подложки ( 3.1). Защитная пленка из двуокиси кремния SiCb, нанесенная на поверхность подложки, служит для защиты p-n-переходов от внешних воздействий. После оконча-

ф Вторым важным материалом, широко используемым при изготовлении ™ биполярных ИМС, является диоксид кремния. Слои этого материала выполняют важнейшие функции: защищают поверхность готовой ИМС от внешних воздействий и обеспечивают возможность локального формирования элементов.

Технологические и конструктивные данные и ограничения позволяют оценить минимально допустимые геометрические размеры контактных площадок в зависимости от способов формирования элементов, монтажа и сборки ИМС.

Для обеспечения этих условий в конструкции ЭМММ должны быть соответствующие элементы: индукторы (создающие магнитное поле); магнитопроводы и обмотки, обеспечивающие требуемое распределение полей в воздушном зазоре между статором и ротором и т. д. Рабочий воздушный зазор является специфическим элементом, играющим важнейшую роль при проектировании ЭМММ. Все поколения электромехаников стремились к созданию инструментария для оценки влияния реальной геометрии области зазора на показатели качества электрических машин. Однако ввиду чрезвычайной сложности описания поля в реальном зазоре (с зубчатостью, насыщением зубцовой зоны и несимметрией геометрии из-за технологического разброса) универсального точного решения этой задачи не существует и до сих пор. Поэтому разработано сравнительно много различных приближенных методов расчета (оценок) параметров поля, что в большинстве случаев удовлетворяет потребности практики. С освоением метода конечных разностей и метода конечных элементов на уровне отлаженных алгоритмов и программ с созданием препроцессоров автоматического формирования элементов и граничных условий появилась возможность решения полевых задач с требуемой точностью даже при проектировании.

р-типа с помощью фотолитографии проводят селективную диффузию, образующую скрытые коллекторные слои ( 1.5). Затем со всей поверхности кристалла удаляют SiO2, проводят эпитаксиальное выращивание высокоомного кремния р-типа и пластину вновь окисляют. После этого с тех участков кристалла, в которых будут сформированы активные области транзисторов (коллекторная, базовая, эмиттерная), и с омических контактов удаляют SiO2 и покрывают их слоем нитрида кремния Si3N4, который служит маской, предотвращающей термическое окисление указанных областей во время проведения операции изоляции (Si3Ni остается инертным в процессе окисления, поэтому позволяет осуществлять локализованное окисление). Следующий процесс связан с созданием изолирующей диэлектрической пленки, которая получается путем термического окисления, проводимым- на глубину залегания скрытого коллекторного слоя ( 1.5). Это окисление носит селективный характер (участки кристалла под нитридом не окисляются). Термически выращенный толстый слой SiO2 и является изолирующим диэлектрическим слоем. Последующие процессы формирования элементов при изопланарном методе проводятся в той же последовательности, что и при изоляции р-и-переходом.

В связи с ограничениями по точности и стабильности параметров элементов интегральных схем, а также из-за технологических трудностей используют и комбинированные микросхемы, отступая от единого процесса формирования элементов.

При проектировании топологического рисунка межсоединений вместо обычных контактных площадок предусматривают удлиненные полоски (0,5—1 мм) шириной 0,1—0,2 мм — будущие балочные выводы. Вначале кристаллы групповой пластины обрабатывают по технологии монолитных интегральных схем. Во время металлизации кроме вакуумного напыления подслоя применяют электролитическое наращивание золота (10— 30 мкм), после чего производят избирательное травление. Далее материал подложки удаляют шлифованием, а элементы разделяют сквозным избирательным травлением кремния. Таким образом, во время формирования элементов можно исключить два высокотемпературных

Метод изготовления полупроводниковой ИМС предполагает создание из некоторых исходных материалов законченного геометрического объекта, обладающего заданными электрическими характеристиками. При разработке полупроводниковых ИМС необходима разносторонняя оценка свойств исходных материалов, в первую очередь полупроводников, так как должны быть точно известны возможности формирования р-л-переходов с определенными характеристиками, а также контролируемого изменения удельного сопротивления полупроводника путем введения соответствующей концентрации примесей. Другим материалом, используемым при изготовлении полупроводниковых ИМС, является двуокись кремния. Слои этого материла выполняют две важнейшие функции: защищают поверхность полупроводника от загрязнения посторонними примесями и обеспечивают возможность локального формирования элементов. Кроме того, должны быть известны свойства

Если известны требования, предъявляемые к материалу и структуре кремниевой подложки, то можно в общих чертах рассмотреть основные принципы формирования элементов полупроводниковой ИМС. Выберем схему усилителя ( 2.2), которая кроме транзи-

Импульсные диоды предназначены для работы в цепях формирования импульсов напряжения и тока.

?Л-блок автоматики; СМУ1 — суммирующий магнитный усилитель; ГО —токовая отсечка; У - усилитель- МУ/, МУЗ, МЙ - магнитные усилители; Б У Т - блок управле-""J тиристорами; ЯФ# - панель формирования импульсов; ФСУ - фазосдвигающее устройство; СКК — сельсинный командоконтроллер; РП — переключатель для перехода на питание от генератора

1. В разрабатываемом ЭУ в качестве различных нагрузок, поглотителей и делителей в цепях питания, элементов фильтров, в цепях формирования импульсов и т. п. следует применять резисторы постоянные общего назначения.

Электронные ключи часто используют в устройствах формирования импульсов. К простейшим и наиболее распространенным ус-

тройствам формирования импульсов относят ограничители, а также линейные цепи, включаемые на выходе электронных ключей.

жения значительно больше уровня ограничения (UByim^>E0), то можно получить выходное напряжение, близкое по форме к прямоугольным импульсам. Другое применение ограничителей — сглаживание вершин импульсов, искаженных помехой или определяемых условиями формирования ( 8.18). Ограничители применяют также для формирования импульсов неизменной амплитуды,

Интегрирующие цепи — четырехполюсники, у которых выходное напряжение пропорционально интегралу по времени от входного напряжения, — применяют для формирования импульсов реже, чем дифференцирующие цепи. Схема интегрирующей цепи отличается от схемы 8.20, а тем, что конденсатор С и резистор R меняются местами [19].

Блок задержки 53 служит для задержки импульсов, поступающих на его вход от задающего генератора, на время, регулируемое в широких пределах. Блок формирования БФ вырабатывает прямоугольные импульсы регулируемой длительности. Усилитель мощности УМ предназначен для увеличения амплитуды импульсов до необходимого значения и для согласования блока формирования импульсов с нагрузкой. Ступенчатый аттенюатор СА позволяет уменьшить амплитуду выходных импульсов в 100—1000 раз. Импульсы с выхода аттенюатора поступают на отдельное гнездо. Измеритель амплитуды импульсов ИА служит для измерения установленного значения амплитуды выходных импульсов и представляет собой импульсный электронный вольтметр.

ления заряда используется для формирования импульсов с очень крутыми фронтами. Такие диоды находят широкое применение в импульсной технике, в схемах диодных усилителей, а также в технике СВЧ в качестве нелинейных емкостей.

Импульсные диоды предназначены для работы в цепях формирования, импульсов напряжения и тока.

БГИС К224ХА4 выполняет функции усилителя ярко-стного и цветоразностного сигналов, БГИС включает матрицу (R—У) сигнала, схему формирования импульсов привязки уровня «черного», селектор синхроимпульсов и формирователи кадрового и строчного стробимпульсов. Микросхема содержит более 380 элементов.