Фиксированном положенииВозрастание напряжения затвора при фиксированном напряжении стока приводит к возрастанию тока /с, вызывающем омическое падение напряжения И(х) вдоль канала. Таким образом, разность потенциалов L/з — U(x) вдоль канала убывает. Так как сечение канала и его проводимость в любой точке зависят от этой разности потенциалов, падение напряжения, вызванное током /с, приводит к сужению канала вдоль его длины и проводимость области канала становится функцией расстояния х вдоль канала:
Решение. 1. Коэффициент передачи тока базы Р определяется по выходным вольт-амперным характеристикам (см. 1.11, б) при фиксированном напряжении коллектор — эмиттер (?/кэ = 8 В) как отношение приращений токов базы и коллектора при переходе из точки а в точку б:
Фбой зависимость 7 к=/(икэ)при фиксированном токе базы,/g= const, a ce-SfeitCTBO входных характеристик — зависимость UQ 3=/(Jg) при фиксированном напряжении на коллекторе, [/кэ= const. Поскольку входная цепь транзистора работает в режиме источника напряжения, а выходная — в режиме источника тока, то более удобно поддерживать постоянными величины I g и. 1/к э (иначе говоря.выбирать их в качестве независимых переменных) для измерения зависимых переменных - напряжения на переходе база-эмиттер или тока коллектора.
Входная характеристика транзистора изображена на 38, а. Характеристика, снятая при ?/кб=0, т. е. когда коллектор и база закорочены, точно соответствует вольтамперной характеристике полупроводникового диода в пропускном направлении: ток /э экспоненциально возрастает с ростом напряжения f/эб- При очень больших токах 1Ъ входные характеристики близки к линейным. Увеличение отрицательных значений ?/Кб вызывает смещение кривых влево, ближе к оси токов. Это смещение незначительно, и при напряжениях t/кб порядка нескольких вольт характеристики практически сливаются, что объясняется слабым влиянием напряжения коллектора t/K6 на эмит-терный переход. Иногда для схем с ОБ приводят только одну входную характеристику при одном фиксированном напряжении
дит уменьшение ширины базы и коллектор захватывает носители из области базы. Поэтому ток базы /б уменьшается. Другими словами, по мере увеличения напряжения ?/кэ будет происходить уменьшение тока базы /б за счет роста тока коллектора /к. При малом напряжении на базе U§3 ток базы /б может иметь не только положительную, но и небольшую отрицательную величину (т. е. может втекать в базу). В цепи базы начинает преобладать неуправляемый ток коллекторного перехода /Кбо, так как при малом напряжении t/бэ инжекция носителей из эмиттера в базу ничтожно мала и может получиться, что /к>'/э. Входные характеристики одного и того же транзистора часто мало различаются между собой, так как коллекторное напряжение слабо влияет на ток коллектора /„, а следовательно, и на ток базы /б. Поэтому можно ограничиться только одной входной характеристикой, снятой при одном фиксированном напряжении на коллекторе.
Зависимость ф от Qp/C0 изображена на 3.22. Как видно из рисунка, при фиксированном Напряжении на затворе ф изменяется от некоторого значения по фв.
Выходное сопротивление формирователя тока на полевом транзисторе определяется эффектом модуляции длины канала при изменении напряжения L/си- При фиксированном напряжении L/зи (что соответствует режиму короткого замыкания входной цепи, т. е. при R 0) выходное сопротивление формирователя /•„„ равно сопротивлению сток—исток в открытом состоянии полевого транзистора: гт -•-"Ясно™ ;"-" U А/1с, где U А—параметр, аналогичный напряжению Эрли для биполярных транзисторов. Для интегральных полевых транзисторов UА г~- 20...200 В в зависимости от напряжения t/си и конструкции транзистора.
Чтобы найти ток в цепи при фиксированном напряжении питания, зададимся первым приближением аргумента XR в соответствии с пояснениями к выражениям (3.86). Учитывая, что в данном случае при XR = 0 аргумент ХА = 0,88, а по прил. 2 уАо = 1,3, можно записать
Чтобы найти ток в цепи при фиксированном напряжении питания, зададимся первым приближением аргумента ХБ в соответствии с пояснениями к выражению (3.87). Учитывая, что в данном случае при KB = 0 аргумент ХА ~ 12,12, а по прил. 2 уАо ~ХА= 12, можно записать
Уменьшение напряжения на базе TI при фиксированном напряжении на эмиттере вызывает уменьшение напряжения на его эмиттер-ном переходе и соответственно его коллекторного тока. Большая часть тока /„ протекает через транзистор Tz. Если уменьшение входного напряжения превысит значение еоб{, то напряжение на базе Tt окажется отрицательнее напряжения на эмиттере и транзистор Ti будет полностью заперт. Весь ток /0 протекает через транзистор Tz-
1) определить основные пграметры эквивалентных схем каждого каскада на основании рассмотрения конкретных схем каскадов в режиме холостого хода по и ы.ход у при фиксированном напряжении входного сигнала (выходное сопротивление источника входного сигнала равно нулю);
Когда рукоятка ключа находится в среднем (фиксированном) положении, обе пары контактов, которые подключают две термопары к самопишущим приборам, замкнуты. При переводе рукоятки водно из крайних (нефиксированных) положений (вправо или влево) одна из термопар отключается от самопишущего прибора для проверки его показаний. Если отсутствует необходимость проверки показаний самопишущих приборов, то панели используют для поочередного подключения всех термопар к показывающему прибору.
При этом допустимая погрешность сельсина-приемника в индикаторном режиме значительно превосходит погрешность датчика. Объясняется это тем, что на работу сельсина-приемника в индикаторном режиме значительное влияние оказывает момент трения (Мт). Погрешность, определяемая моментом трения сельсина-приемника, характеризует его зону нечувствительности, в пределах которой ротор приемника может занимать любое положение при фиксированном положении ротора датчика. Значение этой зоны определяется отношением М?/М уд.
При подаче в обмотку 10 электромагнита очередного управляющего импульса якорь 9 притягивается к сердечнику, натягивает пружину и передвигает движущую собачку обратно на один зуб, при этом стопорная собачка 7 удерживает храповое колесо и щетки в фиксированном положении. По окончании управляющего импульса подвижная система распределителя делает очередной шаг. С последним шагом щетка сходит с последней ламели, но одновременно противоположный конец щетки замыкается с первой рабочей ламелью. Этим исключается холостой пробег подвижной части распределителя.
Основой конструкции ГИМ СВЧ служит полосковая плата — интегральная плата, материал основания которой непосредственно участвует в формировании электромагнитных колебаний. С целью повышения технологичности и миниатюризации аппаратуры и упрощения межмодульных соединений в блоке допускается в корпусе ГИМ наряду с функциональными СВЧ-узлами размещать высокочастотные (ВЧ) и низкочастотные (НЧ) функциональные узлы. Функциональные узлы, входящие в модуль, должны быть сгруппированы на двух монтажных рамках в два узла: СВЧ-узел и ВЧ—НЧ-узел. Допускается при наличии в СВЧ-узле свободного места устанавливать в нем функциональные ВЧ- и НЧ-узлы. С целью обеспечения ремонтопригодности рамки узлов должны закрепляться в корпусе модуля в фиксированном положении таким образом, чтобы узлы, установленные на них, были расположены установочной стороной к своей крышке и обеспечивалась возможность .установки в корпус и извлечения из корпуса ВН—НЧ-узла независимо от СВЧ-узла ( 4-32).
Щеткодержатели служат для того, чтобы удерживать щетки в фиксированном положении. Конструктивное исполнение их весьма разнообразно. Наиболее распространены коробчатые щеткодержатели. Щетки в них устанавливаются в обойме в виде коробки прямоугольной или цилиндрической формы и прижимаются к поверхности коллектора цилиндрической или ленточной пружиной. В маломощных машинах применяют коробчатые цилиндрические щеткодержатели.
Приведенные на 8-7 характеристики являются статическими. Они характеризуют тяговое усилие электромагнита при фиксированном положении якоря. При движении якоря изменяется индуктивность системы и динамические характеристики Рдин =/(5) будут несколько отличаться от статических, сохраняя в основном свой характер.
Аппроксимация (9.33) пригодна при фиксированном положении рабочей точки на вольт-амперной характеристике (в точке перегиба, см. 8.5). Следовательно, при этом не учитывается изменение напряжения смещения U0 в процессе нарастания амплитуды колебания (при автоматическом смещении). Тем не менее, как показывает опыт, аппроксимация (9.33) все же позволяет выявить основные черты процесса установления колебаний в генераторе, работающем в мягком режиме.
Приведенные на 8-7 характеристики являются статическими. Они характеризуют тяговое усилие электромагнита при фиксированном положении якоря. При движении якоря изменяется индуктивность системы и динамические характеристики Ртн = f (8) будут несколько отличаться от статических, сохраняя в основном свой характер.
На 4.34 показана зависимость (сплошная линия) момента Мс от угла поворота ротора 8гг> при фиксированном положении поля статора 8ы = 0 (у:,=—02э).
С помощью вспомогательного реостата Р, зонда и индикатора нуля И можно снять семейство эквипотенциальных линий в поле. Для этого движок реостата устанавливают в каком-либо фиксированном положении и, перемещая зонд так, чтобы индикатор показывал нуль, находят совокупность точек, потенциал которых равен потенциалу движка реостата. Далее перемещают движок реостата в новое положение и определяют координаты точек второй эквипотенциали и т. д. Затем по се-' мейству эквипотенциалей строят сетку силовых линий . При построении последней руководствуются тем, что силовые линии в любой точке поля должны быть перпендикулярны экипотенциалям, в том числе и поверхностям электродов.
Если поток главных полюсов Фв изменяется пропорционально току якоря (машины с последовательным возбуждением — см. § 9-5 и 10-5), то при определенном, фиксированном положении щеток можно достичь хороших условий коммутации в широком диапазоне изменения нагрузки. Если же Фв = const, то наилучшие условия коммутации достигаются только при одной, определенной нагрузке.
Похожие определения: Функциональной микроэлектроники Функциональному назначению Функциональную зависимость Ферромагнитные материалы Ферромагнитных веществах Ферромагнитном материале Фактического состояния
|