Ферритовых сердечников

Сверхтонкие (1...5 мкм) полимерные покрытия также выполняют защитно-пассивирующие и демпфирующие функции. Их наносят путем полимеризации или поликонденсации мономеров из газовой фазы, под действием тлеющего разряда, фотохимическим способом и др. Это позволяет на ИС, ПП, ферритовых сердечниках получать сплошные или селективные покрытия из таких материалов, которые не существуют в виде лаков и эмалей. После этого наносится слой более прочного материала известными методами. Заканчивается процесс нанесения полимерных покрытий сушкой, которая проводится теми же методами, что и сушка перед герметизацией. Но в первый период сушки устанавливают температуру 25. ..60°С, так как при более высокой температуре происходит энергичное испарение растворителей, приводящее к частичному вытеснению лака из пор и капилляров и его отверждению на наружных поверхностях, что затрудняет удаление остатков растворителей из глубины изделий, вызывает растрескивание пленки. Более высокая температура необходима во втором периоде, так как при этом не только ускоряются физико-химические процессы, приводящие к отверждению лака, но повышается качество герметизации.

Характеристики ОП непосредственно влияют на основные показатели ЭВМ и в первую очередь на скорость ее работы. Оперативная память высокопроизводительных ЭВМ имеет емкость несколько миллионов байт и цикл обращения около 0,5 икс (и менее). Запоминающие устройства ОП, ранее выполнявшиеся на магнитных (ферритовых) сердечниках и тонких магнитных пленках, в настоящее время изготовляются на интегральных микросхемах с большой степенью интеграции (полупроводниковые ЗУ).

В вычислительной технике в качестве ЗУ с произвольным обращением используемых в оперативных памятях ЭВМ, еще недавно широко применялись ЗУ с ЗЭ на ферритовых сердечниках. Успехи ^технологии БИС привели к созданию полупроводниковых интегральных ЗУ, на основе которых создаются основные (оперативные) памяти современных ЭВМ. По сравнению с ферритовыми ЗУ полупроводниковые имеют ряд важных досгоинств: большее быстродействие, компактность, меньшую стоимость, совместимость по сигналам с логическими схемами, общие с другими электронными устройствами ЭВМ технологические и конструктивные принципы построения.

6.1. Рассчитать двухтактную трансформаторную схему магнитодиодной ячейки (МДЯ) на ферритовых сердечниках 0,16 ВТ и диодах Д219А ( 6.1, б). Температура сердечников выше температуры среды, равной +20°С, на 30°С. Частота перемагничивания сердечника / = 350 кГц. Время перемагничивания передающего и воспринимающего сердечников принять одинаковым.

тактового тока при считывании информации с сердечника 2 на сердечник 3 и мощность, потребляемую ячейкой. Схема собрана на ферритовых сердечниках 1,3 ВТ и диодах Д9Б. Частота источника питания / = 225 кГц.

силы для считывания информации с сердечников. Схема собрана на ферритовых сердечниках 1.3ВТ и диодах Д9Б. Частота источника питания / = 225 кГц. Данные сердечников и диода приведены в за-

8.16, 8.17, 8.21, 8.22 приведен расчет системы координатный трансформатор — числовая линейка, обеспечивающей за-да'нное сопротивление между токами в шине г в режимах выборки и полувыборки. Решая эти задачи, студенты готовятся к курсовому проектированию по расчету МОЗУ. 8.1. Два МОЗУ работают по принципу совпадения токов и выполнены на ферритовых сердечниках марок 2ВТ и 4ВТ с одинаковыми размерами: 1,4 X 1,0 X 0,6 мм3. Ис-

8.2. Сравнить три МОЗУ, работающие по принципу совладения токов и выполненные на ферритовых сердечниках марок 1.3ВТ (2,0 X 1,4 х 0,9 мм3); 2ВТ (1,4 х 1,0 X X 0,6 мм3) и 4ВТ (1,4 X 1,0 X 0,6 мм3), построив зависи-

ферритовых сердечниках 1.3ВТ (2,0x1,4x0,9 мм3), характеристики которых представлены на 8.2, а, если адресные токи 1Х и 1у одновременно отклоняются на 5, 10 и 15% от оптимального значения /т/2, соответствующего отношению (?lp/?op)fflax? Какая нестабильность адресных токов опаснее: в сторону уменьшения или увеличения от оптимального значения?

Указанные преимущества и особенности электромагнитных устройств позволяют решать многие специфические задачи, которые нельзя решить с помощью других элементов. В ряде случаев они могут успешно конкурировать с устройствами, выполненными на другой элементной базе, например на полупроводниковой. Так, в устройствах хранения дискретной информации доминирующее положение в течение длительного периода времени занимают ферритовые сердечники, выполненные из материала с прямоугольной петлей гистерезиса. Устройства памяти на ферритовых сердечниках, по прогнозам специалистов, будут находить широкое применение и в ближайшее десятилетие, несмотря на то что разработаны устройства на полупроводниковых интегральных микросхемах.

Применение АЗУ на ТМП целесообразно только при относительно больших объемах информации (тысячи элементов и более). В таких устройствах элементы можно собирать в матричные схемы и запись производить по принципу совпадения двух координатных токов, подобно тому, как это делается в ЗУ на кольцевых ферритовых сердечниках (см. 7.1).

Производство ферритовых сердечников основано на применении технологии изготовления деталей различной конфигурации из металлокерамических материалов. Особенность ее заключается в необходимости достижения и обеспечения стабильности магнитных параметров сердечников путем регулирования основных факторов ТП.

5.25. Найти мощность, необходимую для перемагничи-вания шести последовательно соединенных ферритовых сердечников за время

Примерно одинаковый характер графиков позволяет сделать вывод о том, что коэрцитивная сила сердечников на •стабильность отношения выходных напряжений при изменении адресных токов существенного влияния не оказывает. 8.6. Результаты статических испытаний ферритовых сердечников марок 0,16ВТ; 2ВТ и 4ВТ приведены в

сительной магнитной проницаемостью ц,х. Чем меньше \nlt тем «горизонтальнее» этот участок и тем больше коэффициент р. Как видно из таблицы, у ферритовых сердечников 2ВТ и 4ВТ 3 на порядок больше, чем у сердечника 0, 16ВТ, который применяется не в МОЗУ, а в переключающих и логических схемах.

8.9. На 8.9 приведены экспериментальные зависимости Еъ EUOM, т, тт и тт' в функции тф (обозначения см. на 8.8) для ферритовых сердечников марки 2ВТ (1 X 0,7 X 6,36 мм3) [10]. Приняв коэффициент формы Др= Еср/Елмп!1 = 0,55 одинаковым для импульсов ев и

Широко распространены ферритовые сердечники с ППГ благодаря спонтанной прямоугольности петли гистерезиса ферритов. Технология производства ферритовых сердечников с ППГ значительно проще процесса изготовления ленточных сердечников из сплавов тонкого и сверхтонкого (микронного) проката. Однако сердечники микронного проката выгодно отличаются от ферритовых своей температурной стабильностью и лучшими магнитными свойствами.

Недостатки ферритовых сердечников (см. §2.9), заключающиеся в сравнительно низкой индукции насыщения и температурной нестабильности магнитных параметров, обусловили использование в качестве магнитных гистерезисных элементов наряду с ферритовыми и ленточные пермаллоевые сердечники микронного проката.

Для микронных сердечников также справедливы уравнения (6.1) и (6.9). При этом характер и порядок зависимости 1/т = fl (H) для них практически совпадают с характеристиками для ферритовых сердечников.

Поэтому при проектировании усилителей с большой избирательностью необходимо применять контуры с высокой добротностью. На частотах от 50 кГц до 5 МГц легко могут быть выполнены контуры с добротностью Q=504-200, а в случае ферритовых сердечников — с добротностью до 500.

Так с помощью ферритовых сердечников выполняются запись и считывание информации. Формирование и передача импульсов происходят также в различных переключающих устройствах на ферритовых сердечниках, к числу которых можно отнести логические элементы, сдвиговые регистры, дешифраторы, триггерные схемы.

где S — площадь поперечного сечения сердечника; Bs — индукция насыщения сердечника (для ферритовых сердечников Bs = 0,2 Т). В (10.7) не учтена остаточная индукция сердечника, поэтому w\ выбирается с запасом на 20 — 30% больше найденного из (10.7). Далее определяется число витков вторичной обмотки Wz, при котором получается необходимое значение ?у: