Функциональную зависимость

Соизмеряя функциональную сложность и степень интеграции микросхем, можно придавать блоку различные конструктивные формы — от моноблока до отдельной ИМС.

Первый (предварительный) этап проектирования включает в себя круг вопросов, связанных с анализом электрической схемы, схемотехнических данных, типовых технологических процессов и свойств материалов для пленочных элементов, базы данных по компонентам. Его выполняют с целью: выяснить возможность реализации заданной схемы в гибридно-пленочном исполнении при имеющихся технических возможностях; определить функциональную сложность ИМС; определить минимальную площадь платы, занимаемую гибридной ИМС; выбрать компоненты и типоразмер корпуса; определить степень интеграции ИМС.

б) имела по возможности максимальные степень интеграции, функциональную сложность и интегральную плотность;

Для измерения параметров ИМ, учитывая их функциональную сложность и высокую плотность элементов, применяются, .как правило, измерительные комплексы, совмещенные с ЭВМ. Блок-схема и временная диаграмма обслуживания одного из таких комплексов показаны

Степень сложности БНК одного и того же уровня может быть различной и зависит от используемого элементного базиса. Наибольшую функциональную сложность будут иметь конструкции, построенные на бескорпусных микросхемах.

Функциональную сложность ИМС характеризуют степенью интеграции — числом содержащихся в ней элементов и компонентов. Количественную оценку степени интеграции производят по коэффициенту К = lg N, где N — число элементов и компонентов схемы (табл. 17.2).

Первый (предварительный) этап проектирования включает в себя круг вопросов, связанных с анализом электрической схемы, схемотехнических данных, типовых технологических процессов и свойств материалов для пленочных элементов. Его выполняют с целью: выяснить возможность реализации заданной схемы в гибридно-пленочном исполнении при имеющихся технических возможностях; определить функциональную сложность ИМС; определить минимальную площадь подложки, занимаемую гибридной ИМС; выбрать типоразмер корпуса; определить степень интеграции ИМС.

б) имела по возможности максимальные степень интеграции, функциональную сложность и интегральную плотность;

Функциональную сложность ИМС характеризуют степенью интеграции - числом содержащихся в ней элементов и компонентов. Количественную оценку степени интеграции производят по коэффициенту K = \g(N), где N - число элементов и компонентов схемы (табл. 1.1).

И еще один важный момент. Суммарная мощность, рассеиваемая микросхемой, ограничена некоторой предельной величиной, определяемой типом используемого корпуса. Так, для пластмассового корпуса с 14 выводами максимальная мощность составляет 0,5 Вт, что накладывает существенные ограничения на ее функциональную сложность. По этой причине обычные ТТЛ-схемы, а также схемы

Степень интеграции отражает функциональную сложность устройства, которое можно разместить на кристалле ИС и поместить в отдельный корпус. Степень интеграции ./V определяется числом транзисторов (либо числом простейших эквивалентных ЛЭ) на кристалле. Так, для ИС запоминающих устройств степень интеграции оценивают числом бит памяти на кристалле. По степени интеграции цифровые схемы делят на четыре категории ИС: ИС малой степени интеграции, СИС — ИС средней степени интеграции, БИС — ИС большой степени интеграции, СБИС — ИС сверхбольшой степени интеграции. По прогнозам к 2000 г. степень интеграции будет достигать 10 транзисторов на кристалле.

Функциональную зависимость v (t) можно наблюдать на экране осциллографа, включенного на зажимы резистивного элемента г. Зависимость x(t) можно получить на экране осциллографа, включенного на зажимы конденсатора.

На основании сделанных допущений установим функциональную зависимость между производственными погрешностями выходного параметра и параметров влияющих элементов, используя правила дифференциального исчисления. Возьмем полный дифференциал выражения (10.32) и, перейдя к конечным приращениям, получим

Профилирование лопасти. Профилирование лопасти должно быть осуществлено так, чтобы создать возможно более благоприятные условия для безотрывного обтекания контура лопасти потоком, что соответствует минимуму гидравлических потерь. С этой целью принимают плавный, без минимумов и максимумов закон изменения относительной скорости от начального значения w\ до конечного ш2 в функции длины средней линии канала. Имея функциональную зависимость w и с'„, от s, можно, задавшись значениями толщины лопасти бл в функции s, определить угол наклона лопасти (3. Используя формулы

Относительное изменение КПД ступени в зависимости от радиального зазора представляет собой функциональную зависимость вида

В электрических системах функциональные зависимости, исключая процессы коммутации и регенерации, отображаются гладкими кривыми. Но из-за погрешностей измерений некоторые или даже большинство точек оказываются вне гладкой кривой. Поэтому неправильно проводить кривую через все точки, так как возникает неопределенность в проведении кривой. Можно полагать, что с наибольшей вероятностью истинную функциональную зависимость отображает та кривая, от которой суммарные отклонения ординат точек, лежащих над кривой и под кривой, равны.

Коэффициенты усиления по току в нормальном PN и инверсном PJ включении транзистора являются функциями соответственно токов i'3 и i'K. Эту функциональную зависимость p(i) удобно задавать кусочно-линейной функцией вида

Свойства транзисторов в рабочем (динамическом) режиме оцениваются по их характеристическим параметрам, которые устанавливают связь между малыми изменениями токов и напряжений. В настоящее время наиболее распространена система /г-параметров, выражающая функциональную зависимость между входным напряжением, входным током и выходным напряжением и зависимость между выходным током, входным током и выходным напряжением.

Свойства транзисторов в рабочем (динамическом) режиме оцениваются по их характеристическим параметрам, представляющим собой величины, которые устанавливают связь между малыми изменениями токов и напряжений. Наиболее распространена система Л-параметров, выражающая функциональную зависимость между входными напряжением и током и выходным напряжением. Основные Л-параметры транзистора для схемы включения с общим эмиттером можно определить с помощью

1. Получают функциональную зависимость требуемых по ТЗ параметров конденсатора переменной емкости от его конструктивных параметров. Например, переменная часть емкости Сп прямо-емкостного конденсатора

Для обобщения газовых законов нужно знать функциональную зависимость между всеми величинами, определяющими состояние газа: давлением, объемом и температурой. Такая зависимость называется уравнением состояния и для идеальных газов может быть получена теоретически методами кинетической теории газов.

На основе ЦАП выполняются генераторы напряжений практически любой формы. В самом деле, переключая соответствующим образом резистивную матрицу R—2R, можно получить на выходе ЦАП ступенчато-изменяющееся напряжение, с высокой точностью аппроксимирующее почти любую функциональную зависимость. Например, на рис, 121, в приведена структурная схема простейшего генератора ступенчато-изменяющегося напряжения, состоящего из ЦАП, реверсивного счетчика, схемы управления и генератора тактовых импульсов. В исходном состоянии на прямых выходах всех триггеров счетчика действуют нулевые уровни, вследствие чего все ключи, управляющие резистивной матрицей ЦАП, замкнуты на «землю» и напряжение на выходе равно нулю. Когда схема управления получает команду «Пуск», на вход счетчика начинают поступать импульсы, переключающие триггеры и включающие соответствующие ключи в ЦАП. Поэтому на выходе ЦАП появляются напряжение: после первого импульса, например, 1 В ( 121, г), после второго — 2 В, и т. д. — до тех пор, пока счетчик не переключится на обратный счет и последовательно, шаг за шагом, напряжение не спадет до нуля (после этого можно переключить полярность источника ?оп на противоположную и получить ступенчатое напряжение отрицательной полярности). Подобным образом, переключая резисторы в матрице R— 2R по заданной программе, можно синтезировать напряжение заданной формы. При этом стабильность частоты генерируемых колебаний определяется стабильностью частоты генератора тактовых импульсов (которая может быть стабилизирована кварце-