Функциональной зависимостью

Материалоемкость. Для монтажа бескорпусных БИС до последнего времени применялась золотая проволока диаметром 30—40 мкм. Тем не менее расход золота в этом случае более чем в 10 раз меньше, чем для корпусных ИМС, используемых для ответственных изделий (керамические корпуса) — табл. 2.8. Других драгоценных металлов и дефицитных материалов, как ковар, вольфрам и т. п., при использовании бескорпусных ИМС не применяется. Еще более разителен эффект для бескорпусных ИМС с жесткими организованными выводами. Необходимо заметить, что для установки микрокорпусов применяются, как было отмечено, многослойные керамические платы и толстопленочные платы, в которых для создания коммутационных элементов преимущественно используются молибден, серебро, палладий и др. Экономия при создании блока на базе бескорпусных ИМС за счет минимизации конструкционных элементов жесткости, теплоотвода, коммутационных плат по сравнению с корпусными ИМС составляет в зависимости от функциональной сложности и назначения аппаратуры нержавеющей стали —• 1—5,0 кг, меди — 0,5—3 кг и т. д. Заключая сравнительный анализ конструкционных характеристик ААЭА на бескорпусной и корпусной элементной базе, можно сделать вывод о перспективности дальнейшего развития конструктивно-технологического направления монтажа с использованием бескорпусных ИМС (БИС и СБИС) и о постепенном переходе на эти принципы проектирования и производства МЭА любого назначения.

Таким образом, можно ожидать, что ГИФУ по своей функциональной сложности заменят существующие моноблоки МЭА, в результате чего комплексная система может разместиться на одной или нескольких платах при общей герметизации устройства в целом.

Усилия, направленные на дальнейшее повышение степени интеграции БИС, диктуются главным образом необходимостью увеличения функциональной сложности микросхем, что дает ряд неоспоримых преимуществ. Это:

Современную радиоэлектронную аппаратуру по функциональному признаку принято разбивать на приборы, субсистемы и блоки. Однако существующий уровень интеграции серийно выпускаемых ИМС позволяет выделить следующие уровни функциональной сложности МЭА [34]: радиотехническая система, комплекс устройств, являющийся ее частью, устройство, блок, субблок, функциональный узел.

Конструкция микроэлектронного устройства зависит от его функциональной сложности и степени интеграции применяемых микроэлектронных изделий. Так, при высокой степени интеграции и соответствующей функциональной сложности все устройство может быть выполнено в виде моноблока. При меньшей степени интеграции формообразование устройства идет по пути создания многоблочной конструкции.

а) с увеличением степени интеграции ИМС микроэлектронные изделия могут занимать уровни большей функциональной сложности, например БИС могут переходить из ранга субблока в блок и устройство;

{10]. Из-за большой функциональной сложности БЛС не обладают, как правило, большой универсальностью. Однако совершенствование технологии, повышение выхода годных схем, снижение их стоимости в расчете на один элемент позволяют создавать конструкции измерительных приборов и устройств, основой которых является одна БИС, объединяющая в своей конструкции несколько функциональных узлов.

Перспективы развития микроэлектроники. В ЧР еле задач, стоящих перед микроэлектроникой, основное место занимают повышение быстродействия и надежности, увеличение функциональной сложности и снижение стоимости радиоэлектронной аппаратуры [71].

быстрый рост функциональной сложности и надежности ИМС;

Для проведения функционального контроля ИМС используют различные методы, которые отличаются способами задания входных и получения выходных сигналов: в составе устройства, сравнением с эталоном, алгоритмической генерацией сигналов, кодовым сигналом, а также по заданной программе. Способ задания (генерации) входных сигналов определяет эффективность функционального контроля для конкретного вида ИМС. Так, для БИС ЗУ наиболее эффективны алгоритмические сигналы, для БИС МП — сигналы по заданной программе, полученной путем автоматического синтеза тестов, для матричных БИС — псевдослучайные коды. Поскольку с ростом функциональной сложности ИМС количество разнотипных параметров увеличивается и для БИС ЗУ, а также МП исчисляется десятками, резко возрастает количество тестов при контроле на функционирование. При этом существенно усложняется процедура контроля. Поэтому эффективным является функционально-параметрический контроль, обеспечивающий одновременно контроль функционирования ИМС и измерение (контроль) ее статических и (или) динамических параметров с заданной точностью

В промышленных условиях для контроля цифровых ИМС и БИС применяют как специализированные установки контроля, предназначенные для контроля ИМС определенного типа (цифровых — ОЗУ, аналоговых — ОУ), так и универсальные системы контроля, предназначенные для полного контроля (параметрического и функционального) одной категории ИМС (например, цифровых) различных функциональной сложности и конструктивно-технологического исполнения (ТТЛ, ЭСЛ, МДП, КМДП) в корпусе и на пластине.

а идеальной функциональной зависимостью вход—выход — прямая, параллельная оси абсцисс.

нетрудно увидеть, что координаты (/ил изображения связаны между собой той же функциональной зависимостью, какой исследуемое напряжение и„ связано с временем t. Постоянные множители 5„, Sx и k определяют масштаб изображения.

Если случайная величина У связана с независимыми случайными величинами У\, У2, ..., Уп известной функциональной зависимостью Y=F(Yb Y2, .-, Yn), то, зная математические ожидания тй1) ту2, ..., туп и средние квадратические отклонения оу\, ау2, •••, вуп величин Y\, Y2, ..., Yn, можно приближенно найти математическое

При расчете системы виброизоляции на воздействие ударного импульса необходимо определить максимальное ускорение и перемещение амортизированного объекта в результате действия ударного импульса. Исходным для расчета является закон изменения ускорения во время удара «(it), который может быть задан функциональной зависимостью или графически, что полностью определяет форму ударного импульса.

зователь ( 9.16) с распределенными магнитными параметрами. Он состоит из магнитопровода с рабочей частью в виде двух параллельных полос, намагничивающей wl и измерительной w2 обмоток. При перемещении обмотки w2 из крайнего левого положения в крайнее правое индуктированная в ней э. д. с. уменьшается практически по линейному закону, если магнитное сопротивление магнитопровода мало по сравнению с магнитным сопротивлением зазора. Преобразователи подобного типа относительно легко выполнить с требуемой функциональной зависимостью между индуктированной э. д. с. ег и преобразуемым перемещением, применив для этого профилированный магнитопровод.

[•рафике. 33. Неверно. Если это произойдет, то исчезнет причина по-тяризации и орбиты электронов вернутся в исходное состояние. Тогда снова начнется поляризации i электронные орбиты придут в колебательное движение без видимой причины. 34. Неверно. Как бы ни перемещалось пробное заряженное тело, в данном случае между направлением силы и направлением перемещения все время сохраняется усол, равный 90', и, следовательно, работа не совершается. 35. Правильно. Эта зависимость является гиперболической. 36. Наоборот. Поле есть форма существования материи; следовательно, оно реально. Силовые линии - средство условного изображения. 37. Неверно. Необходимо сравнить не только абсолютные значения, но учитывать и знак потенциала. 38. Это невозможно, так как U =const = У,Ла-\- '<' л-1/,. Следовательно, если rf,, увеличивается, то f „ уменьшается. В данном случае, наоборот, 7 „ увеличивается, a rf /, уменьшается. 39. Неверно. Емкость действительно не изменится. Заряд не уменьшается, а, наоборст, увеличивается. Подумайте почему. В случае затруднения прочтите консультацию X» 5. 40. Неверно. Пробный заряд из точки и будут перемещаться к отрицательно заряженному телу. 41. Неверно. При параллельном соединении С„г,;ц = С, -\-С?. Если С3>Со, то С„-,„. «С,. 42. Грубая ошибка. Вы путаете гиперболическую зависимость с параболической. Из формулы для напряженности поля ?> уединенного заряда следует, что 7 уменьшается с увеличением R. 43. Правильно. 44. Неверно. При увеличении расстояния между пластинами емкость С уменьшается. Тогда, СОГЛаСНО формуле Q — CU, заряд Q уменьшается. Это происходит За счет ТОГО, ЧТО Часть свободных электронов отрицательной пластины перетекает на положительную. 45. Неверно. Вспомните, какое поле действует между пластинами (однородное или неоднородное) и как оно определяется. Существует ли поле в металлической пластине? 46. Неверно. Применяя эту формулу, вы допускаете ошибку тем большую, чем больше расстояние 1^/}, причем полученный результат будет превышать истинное значение. 47. Неверно. Заряд и напряжение между пластинами конденсатора связаны функциональной зависимостью Q = CU. Таким образом, для того чтобы увеличился заряд, следует увеличить емкость конденсатора. 48. Вы ошибаетесь. Силовые линии поля, начавшись на положительно заряженном теле, должны закончиться на отрицательно заряженном теле. Поэтому электрическое поле бутет существовать и во внешнем пространстве между экраном и, например, землей, как показано на рисунке.

дополнительная обработка поверхностей статора и ротора со стороны воздушного зазора моделируется функциональной зависимостью изменения ориентации эллипсов и биения по длине магнитопровода (в зависимости от текущего номера пары листов), так как при разных видах указанной обработки получаются определенные характерные законы изменения воздушного зазора в осевом направлении (по длине) ЭМММ.

и пользуясь методом наложения, легко убедиться в том, что напряжения и токи в остальной части цепи являются линейными функциями напряжения на данном участке или тока, проходящего через него. Например, если при изменении комплексного сопротивления Z в какой-либо ветви изменяется ток /г в этой ветви, то ток /2 в какой-либо другой ветви связан с Д линейной функциональной зависимостью

Основная причина инерционности ДШ связана с перераспределением заряда вблизи границы ОПЗ при изменении внешнего напряжения U, т. е. с изменением толщины барьера хп. Такое поведение диода подобно поведению конденсатора. Заряд конденсатора связан нелинейной функциональной зависимостью с напряжением U, т. е. имеет нелинейную кулоновольтную характеристику. Количественно такая нелинейная емкость, называемая барьерной, определяется дифференциальным соотношением:

При оценке случайных погрешностей косвенных измерений необходимо учитывать функциональную зависимость между определяемой и непосредственно измеряемыми величинами. При таких измерениях величина Y определяется по результатам прямых измерений ряда величин Хь Х2, ..., Х„, связанных с измеряемой величиной известной функциональной зависимостью:

5. Избирательность. Поскольку частотные характеристики (4.36), (4.13) описываются одинаковой функциональной зависимостью Л(), избирательность параллельного контура получается такой же, как и у последовательного контура. В частности, коэффициент прямоугольности параллельного контура описывается прежним соотношением (4.24) и имеет столь же большое значение.