Экранирующим действием

На напряжениях 10—24 кВ мощные генераторы и блочные трансформаторы соединяют между собой закрытыми экранированными токопроводами с ответвлениями к трансформаторам собственных нужд (возможны также ответвления к силовым трансформаторам, питающим сеть 35—ПО кВ местного района).

Для исключения возможности междуфазных КЗ в сети генераторного напряжения соединение генераторов с трансформаторами (автотрансформаторами) блоков, а также ответвления к трансформаторам собственных нужд выполняют закрытыми экранированными токопроводами.

На напряжениях 10—24 кВ мощные генераторы и блочные трансформаторы соединяют между собой закрытыми экранированными токопроводами с ответвлениями к трансформаторам собственных нужд,

Отходящие кабельные линии присоединяются с помощью шкафов КРУ 9 к ветвям сдвоенных реакторов 7. На каждую секцию могут быть присоединены две группы сдвоенных реакторов по 2 х 2500 А или три группы по 2 х 1600 А и по одной линии с. н. Сборные шины 1, ответвления от них, секционная перемычка 2 между первой и четвертой секциями, а также выводы из ячеек генераторов, трансформаторов связи и линий с. н. выполнены пофазно-экранированными токопроводами (см.§ 6.6,6). Шинные разъединители 3 установлены в металлических ячейках с междуфазными перегородками. Ошиновка в ячейках выключателей и реакторов выполняется укрупненными монтажными блоками. Охлаждение ячеек осуществляется с помощью искусственной автоматической вентиляции.

Для исключения возможности междуфазных КЗ в сети генераторного напряжения соединение генераторов с трансформаторами (автотрансформаторами) блоков, а также ответвления к трансформаторам собственных нужд выполняют закрытыми экранированными токопроводами.

На напряжениях 10—24 кВ мощные генераторы и блочные трансформаторы соединяют между собой закрытыми экранированными токопроводами с ответвлениями к трансформаторам собственных нужд.

77 и Т2 для связи с системой, шести трансформаторов ( 28.4, б) или реакторов ( 28.4, в) СИ, восьми сдвоенных групповых линейных реакторов (по два на каждую секцию) и до 64 линейных выключателей в комплектных камерах. Длина РУ составляет 84 м. Его размещают у фронта главного здания станции. Соединение с генераторами и трансформаторами осуществляют гибкими токопроводами или комплектными пофазно-экранированными токопроводами.

На 10-47 показан поперечный разрез, а на 10-48 — лан герметизированного элегазового комплектного распределительного устройства на напряжение 220 кВ, выполненного для иолуторной схемы электрических соединений подземной ГЭС. Силовые повышающие трансформаторы с масло-водяной системой Охлаждения установлены в первом этаже здания. Со стороны НН рни соединяются с генераторами комплектными экранированными токопроводами.

Для напряжения 6—10 кВ наибольшее распространение на практике получили сборные модульные и комплектные распределительные устройства. Для систем с.н. электростанций 3—10 кВ, как правило, применяются комплектные распределительные устройства. На напряжениях 10—24 кВ экранированными токопроводами выполняются соединения между мощными генераторами и блочными трансформаторами с ответвлениями к трансформаторам с.н. (возможны также ответвления для питания потребителей местной сети 6—10 кВ). В ЗРУ (а также в ОРУ) существует тенденция замены разрядников на ОПН. Ниже приведены схемы заполнения, планы и разрезы характерных типовых конструкций ЗРУ.

Все цепи генератора как со стороны линейных выводов, так и со стороны нейтрали выполняются пофазными экранированными токопроводами.

Для напряжения 6—10 кВ наибольшее распространение на практике получили сборные модульные и комплектные распределительные устройства. Для систем с. н. электростанций 3 — 10 кВ, как правило, применяются комплектные распределительные устройства. На напряжениях 10 — 24 кВ экранированными токопроводами выполняются соединения между мощными генераторами и блочными трансформаторами с ответвлениями к трансформаторам с. н. (возможны также ответвления для питания потребителей местной сети 6—10 кВ).

Полное размагничивание лучше всего можно обеспечить путем'нагрева магнита выше точки Кюри. Однако этот способ из-за технических неудобств применяют редко. Обычно размагничивание производят посредством воздействия на магнит переменного (или непрерывно коммутируемого постоянного) поля с убывающей до нуля амплитудой. Существенным при этом является выбор частоты размагничивающего поля, что связано с экранирующим действием вихревых токов, которое может привести к кажущемуся размагничиванию. Для массивных'маг-нитов из материалов с относительно высокой проводимостью (литые магниты) нередко даже частота 50 Гц является слишком высокой.

На П1-22 для примера показано распределение амплитуд магнитных индукций Вт переменного поля по сечению листа стали относительно небольшой толщины. Уменьшение магнитных индукций по мере удаления от поверхности объясняется экранирующим действием вихревых токов is> индуктируемых в толще листа.

На П1-31 для примера показано распределение амплитуд магнитных индукций Вт переменного поля по сечению листа стали относительно небольшой толщины. Уменьшение магнитных индукций по мере удаления от поверхности объясняется экранирующим действием вихревых токов !'„, индуктируемых в толще листа.

(температурой стенки кристаллизатора и экранирующим действием зазора пренебрегаем из-за их малости) ;

Дальнейшее повышение анодного напряжения приводит к относительно быстрому росту тока /а и соответствующему уменьшению тока сетки. На электроны, находящиеся между сеткой и анодом, поле анода влияет непосредственно, так как в этой части междуэлектродного пространства оно не ослаблено экранирующим действием сетки. Коэффи-

мого перехвата определяется в основном изменениемлюка /а. Сеточный ток в этом случае при увеличении Г/а уменьшается незначительно. Анодный ток-растет за счет влияния анодного напряжения на поле между катодом и сеткой. Поскольку это влияние ослаблено экранирующим действием сетки, рост коэффициента то-кораспределения с увеличением U&/UC в режиме перехвата замедляется ( 3-7).

сетки Uao-увеличивается, т. е. характеристика смещается вправо. Анодные характеристики при Uc > 0 выходят из начала координат и имеют характерный излом. Начальный, более крутой участок каждой кривой соответствует режиму возврата электронов к сетке. В этом режиме в пространстве сетка—анод образуется объемный заряд электронов, возвращающихся к сетке. Анодное поле влияет на движение этих электронов непосредственно, не буДучи экранировано сеткой. Поэтому наблюдается резкий рост анодного тока при незначительном изменении напряжения Ua. При дальнейшем увеличении анодного напряжения наступает режим'прямого перехвата электронов сеткой, в котором увеличение тока /а при возрастании анодного напряжения объясняется влиянием анодного напряжения на объемный заряд у катода. Это влияние ослаблено экранирующим действием сетки, и рост анодного тока, естественно, замедляется; наклон кривой анодного тока к оси абсцисс становится примерно таким же, как на характеристиках при Uc когда лампа работает без сеточного тока.

ведлива для усилительного режима. В модели по сравнению со схемой на 6.22 для маломощного планарного полевого транзистора отсутствует сопротивление истока г\\ (СИТ специально разрабатывался прежде всего для снижения до минимального значения этого сопротивления). Кроме того, в динамической модели СИТ обычно пренебрегают емкостью сток — исток Сси, так как структура затвора СИТ обладает эффективным экранирующим действием. Введена в модель СИТ емкость Сп~ —полевая емкость между затвором и «""-областью истока.

Дальнейшее повышение анодного напряжения приводит к относительно быстрому росту тока /а и соответствующему уменьшению тока сетки. На электроны, находящиеся между сеткой и анодом, поле анода влияет непосредственно, так как в этой части междуэлектродного пространства оно не ослаблено экранирующим действием сетки. Коэффи-

мого перехвата определяется в основном изменениемлюка /а. Сеточный ток в этом случае при увеличении Г/а уменьшается незначительно. Анодный ток-растет за счет влияния анодного напряжения на поле между катодом и сеткой. Поскольку это влияние ослаблено экранирующим действием сетки, рост коэффициента то-кораспределения с увеличением U&/UC в режиме перехвата замедляется ( 3-7).

сетки Uao-увеличивается, т. е. характеристика смещается вправо. Анодные характеристики при Uc > 0 выходят из начала координат и имеют характерный излом. Начальный, более крутой участок каждой кривой соответствует режиму возврата электронов к сетке. В этом режиме в пространстве сетка—анод образуется объемный заряд электронов, возвращающихся к сетке. Анодное поле влияет на движение этих электронов непосредственно, не буДучи экранировано сеткой. Поэтому наблюдается резкий рост анодного тока при незначительном изменении напряжения Ua. При дальнейшем увеличении анодного напряжения наступает режим'прямого перехвата электронов сеткой, в котором увеличение тока /а при возрастании анодного напряжения объясняется влиянием анодного напряжения на объемный заряд у катода. Это влияние ослаблено экранирующим действием сетки, и рост анодного тока, естественно, замедляется; наклон кривой анодного тока к оси абсцисс становится примерно таким же, как на характеристиках при Uc когда лампа работает без сеточного тока.