Эмиттером транзистора

8.4. Транзистор типа р-п-р включен по схеме с общим эмиттером. Напряжение база — эмиттер ?/Бэ=—0,8 В, напряжение коллектор — эмиттер ?/кэ=—10 В. Определить напряжение коллектор — база.

8.155. Транзистор МП103, характеристики которого даны на 8.8, включен в схему с общим эмиттером. Напряжение коллекторного источника равно 10 В, сопротивление резистора нагрузки в цепи коллектора Ян—1 кОм, ток покоя базы /Б0 —300 мкА. Требуется: а) определить амплитуды переменных составляющих коллекторного тока /тК> напряжения коллектор—эмиттер Um^3 и напряжения база— эмиттер ?/тБЭ, если на вход подается сигнал вида /5 = = (300 ± 100 sin mt) мкА; б) изобразить временные диаграммы напряжения коллектор—эмиттер ?/кэ, база — эмиттер ?/БЭ, тока базы /Б и тока коллектора /к.

8.157. Транзистор включен в усилительный каскад по схеме с общим эмиттером. Каскад питается от одного источника с напряжением ?=10 В. Для подачи смещения в цепь базы используется гасящий резистор ( 8.48). Характеристики транзистора изображены на 8.49. Известно, что постоянная составляющая тока базы /Б0 = =0,3 мА, амплитуда переменной составляющей тока базы /отБ =0,2 мА, сопротивление резистора нагрузки RH=

8.160. Транзистор МП39 включен в схему с общим эмиттером. Напряжение коллекторного источника питания 12В,

8.161. Транзистор МП40А включен в усилительный каскад по схеме с общим эмиттером. Напряжение коллекторного источника 12 В, сопротивление резистора нагрузки /?н=1,0 кОм. Требуется: а) на семействе выходных характеристик, взятых из справочника, построить линию нагрузки; выбрать рабочий участок и рабочую точку для работы с минимальными искажениями; б) определить амплитуду переменной составляющей коллекторного тока /тк, амплитуду переменного напряжения на нагрузке UmR, выходную мощность РВЫХ и мощность, рассеиваемую коллектором;

8.162. Транзистор П415 включен в схему усилителя с общим эмиттером. Пользуясь справочником, определить постоянную составляющую тока коллектора /ко, амплитуду переменной составляющей напряжения на нагрузке UmR, выходную мощность РВЫХ, а также коэффициент усиления по току Ki, если напряжение коллекторного источника равно 12 В, сопротивление резистора нагрузки /?н=

8.163. Транзистор МП104 включен по схеме с общим эмиттером. Известно, что постоянная ссставляющая входного тока /Б0=600 мкА, амплитуда переменной составляющей входного тока /^,=300 мкА, напряжение ?/КЭо= = —15 В, сопротивление нагрузки /?н= 1 кОм. Определить: Ev /ко, /„K, U^9, ?/БЭО, (/тБЭ, Рвих, />„. Рк, P., К,, Кц, Кр, t[ коллекторной цепи. Проверить, не превышает ли мощность, рассеиваемая коллектором, максимально допустимую мощность Pv

При насыщении транзистора обеспечивается прямое смещение эмиттерного перехода: (/эб < 0 или i/ъэ > 0. Это смещение достигается за счет положительной полярности источника напряжения U1. Кроме того, должно обеспечиваться и прямое смещение коллекторного р-я-перехода (t/Kg > 0). При положительной полярности источника напряжения (72, а следовательно, при положительных значениях (/К8 неравенство UK§ > 0 будет обеспечено только в том случае, когда t/бэ > UKS. Следовательно, в схеме с общим эмиттером напряжение на базе насыщенного транзистора (относительно корпуса, эмиттера) больше напряжения на его коллекторе. При этом транзистор фактически стянут в точку, т. е. напряжения Ufa и (/кз весьма малы, но и<цд > UK3.

на коллекторе — t/KH. Так как в схеме с общим эмиттером напряжение ?/бн по

Рассмотрим основные физические процессы на примере диодного тиристора, характеристика которого соответствует /у=0 на 6.1,0. В режиме обратного запирания переходы П1 и ПЗ включены в обратном направлении, а переход П2 — в прямом. Если распределение примесей в областях тиристора соответствует 6.1,6, то переход П1 будет толще. В зависимости от размеров области п\ и напряжения на ней толщина обедненного слоя занимает либо часть, либо всю область пь В последнем случае происходит смыкание переходов П1 и П2. Ток на участке 0—4 ВАХ определяется сопротивлениями обратно включенных переходов П1 и ПЗ. Допустимое падение напряжения на тиристоре в рассматриваемом случае ограничивается ударной ионизацией в переходе П1. Напряжение пробоя в тиристоре ниже напряжения пробоя обратновключенного изолированного p-n-перехода П1. Это обусловлено тем, что в тиристоре переход П1 связан с соседним переходом П2 и образует транзистор р\-п\-р2 с разомкнутой базой, включенный по схеме с общим эмиттером. Напряжение пробоя Unpo6 уменьшается из-за влияния этого транзистора (см. § 4.5).

Объяснение хода выходных характеристик (рис 7.10, б) приводится на 7.11, из которого видно, что в схеме с общим эмиттером напряжение, приложенное к коллекторному переходу, равно ?/кэ — ?/БЭ так как эти напряжения между точками коллектор — база оказались включенными встречно. Поэтому при ?/кэ < •< jf/вэ! напряжение на коллекторном переходе оказывается включенным в прямом направлении. Это приводит к тому, что крутизна выходных характеристик на начальном участке от (/к,э = 0 до

При увеличении входного напряжения стабилизатора или уменьшении нагрузочного тока /н напряжение (7Н повышается, отклоняясь от номинального значения. Часть напряжения UH, равная р?/н (Р — коэффициент деления резистивного делителя RiRzRa), являющаяся сигналом обратной связи, сравнивается с опорным напряжением t/on, снимаемым с параметрического стабилизатора. Так как опорное напряжение остается постоянным, то напряжение между базой и эмиттером транзистора Г2 из-за увеличения напряжения pf/H уменьшается. Следовательно, коллекторный ток транзистора Т2 снижается. Это приводит к уменьшению напряжения между базой и коллектором транзистора 7\, что равносильно

Триггер можно рассматривать как двухэлементный усилитель постоянного тока (с резистивной связью), охваченный положительной обратной связью по напряжению. На 11.22,6 (кривая а) приведена переходная характеристика по напряжению усилителя, входным сигналом которого является напряжение между выводом резистора Я'6Ь подсоединенным к коллектору Г,, и землей, а выходным — напряжение между коллектором и эмиттером транзистора 7\. Стационарные режимы возможны при равенстве входного и выходного напряжений (точки О, А, 1 на 11.22,6).

Напряжение между базой и эмиттером транзистора, необходимое для создания режима отсечки [10],

Определим максимальное напряжение между базой и эмиттером транзистора VT2 в режиме отсечки.

Транзистор закрывается, если на базе появляется напряжение минус 10 В (при условии переключения триггера Шмитта). Максимальное обратное напряжение между базой и эмиттером транзистора 5 В, поэтому параллельно эмиттер-ному переходу транзистора включаем диод типа КД522Б (прямой ток 100- 10~3 А; допустимое обратное напряжение 50В; прямое напряжение на диоде 1,1 В; обратный ток 5- Ю-6 А).

связи снимается с нагрузки (с выхода усилителя) и пропорционален С/вых, то такая обратная связь является связью по напряжению. Поскольку напряжение обратной связи Uoc составляет не часть, а все С/вых, обратная связь является 100%-ной. Во входной цепи происходит вычитание амплитуд напряжений входного сигнала и сигнала обратной связи, т. е. уменьшается - управляющий сигнал между базой и эмиттером транзистора, поэтому связь оказывается отрицательной.

ная последовательная ООС по напряжению, создаваемая резистором R33. Помимо местных ООС в усилителе используется общая обратная связь, образуемая цепью резистора Roc, соединяющей выход усилителя с эмиттером транзистора F7\.

где и0э — падение напряжения между базой и эмиттером транзистора.

Схема ГЛИНа со стабилизатором тока в цепи заряда, роль которого выполняет транзистор 1/2, приведена на 10.25, а. Напряжение между базой и эмиттером транзистора V2 определяется уравнением z/g 3=EQ— г д/^-Если ток г э

Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора в режиме насыщения t/K9H, измеряемое при определенной величине /к и /6 и при определенной глубине (степени) насыщения. Глубина насыщения Кн — это отношение тока базы /6 к току базы, соответствующему границе насыщения (точке D на 3.35, б). На границе насыщения напряжение {/кбн = 0, и коллекторный переход начинает открываться.

в цепи эмиттер — коллектор транзистора Т2 и» следовательно, падения напряжения на резисторе R3. Это вызывает уменьшение разности потенциалов между базой и эмиттером, т. е. увеличение сопротивления постоянному току цепи коллектор — эмиттер транзистора 7\. В результате падение напряжения на транзисторе 7\ увеличивается, а выходное напряжение стабилизатора остается почти неизменным. При возрастании тока нагрузки уменьшается падение напряжения на резисторе Rz, ток коллектора транзистора Т2 и падение напряжения на резисторе Rs, что обусловливает увеличение разности потенциалов между базой и эмиттером транзистора 7\ и уменьшение сопротивления цепи коллектор — эмиттер транзистора 7V В результате выходное напряжение стабилизатора почти не изменяется.