Эмиттером коэффициент

Элементы эмиттерно-связанной логики на переключателях тока. Основу базового элемента ЭСЛ составляет переключатель тока ( 5.20). На базу VTl подается информационный входной сигнал, а на

§ 1.4. Базовые логические элементы эмиттерно-связанной логики

§ 1,4. Базовые логические элементы эмиттерно-связанной

Цифровые ИМС эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ) представляют собой транзисторные переключательные схемы с объединенными эмиттерами, обладающие по сравнению с другими типами цифровых ключей наибольшим быстродействием и большой потребляемой мощностью. Большое быстродействие для ЭСЛ-ИМС обусловливается тем, что в этих ключах транзисторы работают в ненасыщенном (линейном) режиме. На выходах ключевой части применяются эмиттерные повторители, ускоряющие процесс зарядки емкости нагруз-ки. Уменьшение времени задержки распространения достигается также за счет ограничения перепада выходного напряжения, что, однако, приводит к уменьшению помехоустойчивости схем ЭСЛ. Из разработанных

§ 6.5. ИМС эмиттерно-связанной логики........... 275

ИМС эмиттерно-связанной транзисторной логики (ЭСЛ).: Этот тип схем с объединенными эмиттерами называют еще токовыми пере-

В настоящее время в связи с развитием микроэлектроники и разработкой технологии интегральных схем, наибольшее распространение получили логические элементы, построенные на основе транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ), эмиттерно-связанной (ЭСЛ) и инжекционной логики (И2Л). Перечислим основные параметры, по которым можно произвести сравнение логических схем:

Другим видом схем с ненасыщенными транзисторами являются схемы эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ-схемы).

окисления первого слоя и используется для формирования омических контактов к эмиттерной и коллекторной областям. В процессе создания транзистора слой 2 является источником примесей при формировании эмиттерной области л+-типа. Тем самым обеспечивается самосовмещение эмиттерной области и контакта. Расстояние между эмиттером и базовым контактом очень мало (меньше 0,5 мкм), так как оно определяется толщиной диоксида, выращенного на первом слое поликремния, и не зависит от разрешающей способности литографии и точности совмещения. Благодаря указанным особенностям структуры и технологии удается снизить сопротивление базы. Это особенно важно при использовании транзисторов в элементах эмиттерно-связанной логики (см. § 7.4). Кроме того, вся коллекторная контактная область 3 дополнительно легирована донорами для уменьшения ее сопротивления.

Логические элементы классифицируют также по типу применяемых транзисторов. Наибольшее распространение получили ЛЭ на биполярных и МДП-транзисторах. Кроме того, интенсивно разрабатываются ЛЭ на арсенид-галлиевых МЕП и ГМЕП-тран-зисторах. Для каждого из перечисленных типов ЛЭ существует большое число их схемотехнических и конструктивно-технологических разновидностей. Например, к биполярным ЛЭ относятся элементы ТТЛ, эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ), интегральной инжекционной логики (ИгЛ) и другие, рассмотренные в данной главе.

7.4, ЭЛЕМЕНТЫ ЭМИТТЕРНО-СВЯЗАННОЙ ЛОГИКИ

ходит следующим образом: при увеличении э. д. с- источника питания возникают приращения эмиттерного A/i8 и коллекторного А/! к токов транзистора 77. Эти приращения поступают в базу транзистора Т2, включенного по схеме с общим эмиттером. Коэффициент передачи транзистора 77 и Т2 равен

Подобно тому как катодный повторитель имеет нагрузку в цепи катода, эмиттерный повторитель имеет нагрузку в цепи эмиттера. Напряжение выхода подается на вход в противофазе с напряжением сигнала, т. е. в схеме введена 100%-ная отрицательная обратная связь. Точка покоя в схеме задается делителем RiR%. Это несколько снижает входное сопротивление, но тем не менее оно остается в 10-7-20 раз больше входного сопротивления для схемы с общим эмиттером. Коэффициент усиления по мощности приблизительно равен А2«. Коэффициент усиления по напряжению близок к единице.

В схеме включения с общим эмиттером коэффициент усиления по току /г21э обозначается р и определяется следующим образом:

Коэффициент переноса р определяется как отношение тока неосновных носителей заряда, достигающих коллекторного перехода, к току неосновных носителей заряда, инжектируемых в базу эмиттером. Коэффициент переноса вычисляют из решения уравнения непрерывности

Так как паразитный транзистор работает в режиме усиления, то часть тока через диод ответвляется в подложку, т. е. ток, втекающий в диод, не равен току, вытекающему из него. Значение ответвляющегося тока зависит от коэффициента передачи тока паразитного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Коэффициент инжекции эмиттера паразитного транзистора обычно достаточно мал, поэтому коэффициент передачи

3. При включении транзистора по схеме с общим эмиттером коэффициент усиления по току /г,-=32,3. Определить коэффициент усиления по току а, если те же элементы соединить по схеме с общей базой.

3. При включении транзистора по схеме с общим эмиттером коэффициент усиления по току А:,-=32,3. Определить коэффициент усиления по току а, если те же элементы соединить по схеме с общей базой.

1. Движение электрона в атоме подчиняется вероятностным законам. 2. Правильно, атомная единица массы умножается на атомное число. 3. Правильно. 4. Электромагнитное поле проявляет и корпускулярные свойства. 5. Правильно, длина волны де Бройля тем меньше, чем больше масса тела. 6. Это условие могло бы быть применено для любой орбиты. 7. Скорость электрона на разрешенной орбите не меняется. 8. Электрический заряд электрона постоянен на всех уровнях. 9. Это радиус первой орбиты. 10. Правильно, электрон взаимодействует с большим количеством атомов. 11. Учтите, что все энергетические подуровни в этом случае заняты. 12. Электрон в зоне проводимости и дырка образуют пару носителей. 13. Узкая запрещенная зона сравнительно легко преодолевается, и такой кристалл не может быть изолятором. 14. Правильно, большое количество электронов преодолевает запрещенную зону. 15. Дефекты облегчают образование пар свободных носителей заряда. 16. Правильно, то и другое влияет на ширину запрещенной зоны. 17. Эта энергетическая зона размещается вблизи валентной. 18. Электроны образуются в примесной зоне. 19. Вспомните, какая примесь донорная, какая — акцепторная. 20. Вы перепутали типы электро-проводностей кристаллов. 21. Правильно, чем больше концентрация примеси, тем больше ионов. 22. Правильно, тепловой пробой разрушает кристалл. 23. Основные носители движутся вследствие диффузии. 24. Конструкция плоскостных диодов тоже достаточно проста. 25. Подумайте еще. 26. Правильно. 27. Для выпрямления промышленных токов применяют и другие устройства. 28. Правильно. Но, конечно, не в режиме теплового пробоя. 29. Правильно, эти диоды имеют участок отрицательного сопротивления. 30. Правильно, именно в этом случае ток зависит от инжекции зарядов. 31. Неполный отвег. 32. Этот коэффициент зависит от толщины базы и от концентрации носителей заряда. 33. Учтите, что расположение переходов симметрично 34. На эмиттере транзистора типа р-п-р должен быть плюс. 35. В схеме с общим эмиттером коэффициент усиления по току больше единицы. 36. Вы ошиблись в вычислениях. 37. Проанализируйте формулу коэффициента усиления по мощности. 38. Правильно. 39. Правильно, приращение тока коллектора надо разделить на 10 мА. 40. Коэффициент усиления определяют по переходной характеристике. 41. Правильно. 42. Правильне, плюс присоединен к пластинам п-типа.

Если коллекторный переход многоэмиттерного транзистора смещен в обратном направлении, а каждый из п эмиттеров, за исключением /-го, заперт, то коллекторный ток создается только этим /-м эмиттером. Коэффициент передачи по току имеет значение В}. Если коллекторный переход смещен в прямом направлении, а эмиттерные переходы закрыты, то многоэмиттерный транзистор работает в инверсном режиме. Диффузия неосновных носителей заряда в базе идет от коллектора к запертым эмиттерам. Продиффундировавшие через базу носители заряда распределяются между эмиттерами транзистора. Коэффициент передачи по току для /-го эмиттера имеет значение B/i. В силу малой площади эмиттерных переходов значение 5// невелико (порядка 0,025). Если все п эмиттерных переходов смещены в прямом направлении, то коэффициент передачи равен В.

26. В какой схеме включения — с общей базой или с общим эмиттером — коэффициент прямой передачи тока сильнее зависит от частоты?

Если коллекторный переход многоэмиттерного транзистора смещен в обратном направлении, а каждый из п. эмиттеров, за исключением /-ro,f заперт, то коллекторный ток создается только этим /-м эмиттером. Коэффициент передачи по току имеет значение Bj.