Элементов вследствие

2) высокая нагрузочная способность. Особенно велика статическая нагрузочная способность элементов — коэффициент разветвления п = 25 ч- 30. Высокая нагрузочная способность объясняется малым входным током каждого элемента. Входным током для каждого входа, например для входа Xi, является базовый ток активного транзистора с генератором тока в цепи эмиттера. Входное сопротивление такого каскада велико, а базовый ток мал (порядка 20 мкА). Кроме того, выходное сопротивление каскада как по выходу г/ь так и по выходу уг мало, что позволяет подключать к каждому выходу низкоомную нагрузку. Однако при увеличении числа подключенных к выходу последующих элементов возрастает паразитная емкость нагрузки. Из-за увеличения емкости нагрузки снижается быстродействие каскада. Поэтому реальная нагрузочная способность зависит от того, насколько допустимо снижение быстродействия схемы при увеличении числа подключаемых одновременно каскадов;

2. Высокая нагрузочная способность. Особенно велика статическая нагрузочная способность элементов—коэффициент разветвления п = 25—30. Высокая нагрузочная способность объясняется-малым входным током каждого элемента. Входным током для каждого входа, например для входа Xit является базовый ток активного транзистора с генератором тока в цепи эмиттера. Входное сопротивление такого, каскада велико, а базовый ток мал (порядка 20.мкА). Кроме того, выходное сопротивление каскада как по выходу ylt так и по выходу у2 мало, что позволяет подключать к каждому выходу низкоомную нагрузку. Однако при увеличении числа подключенных к выходу последующих элементов возрастает паразитная емкость нагрузки. Из-за увеличения емкости нагрузки снижается быстродействие каскада. Поэтому реальная нагрузочная способность зависит от того, насколько допустимо снижение быстродействия схемы при увеличении числа подключаемых одновременно каскадов.

Сопротивление источника питания двухтактного каскада, работающего в режиме В, как постоянному, так и переменному току должно быть возможно малым. При отсутствии сигнала на входе каскада напряжение источника питания должно возрастать не более чем на 54-10 %, что и определяет допустимую величину сопротивления источника питания постоянному току. При большом сопротивлении источника питания постоянному току максимальная мощность, выделяющаяся на выходных электродах усилительных элементов, возрастает и имеет место при ?<0,637.

Если пьезоэлектрический преобразователь содержит /г параллельно соединенных пьезоэлементов, то суммарный заряд, снимаемый с пьезо-элементов, возрастает соответственно в п раз [28].

3. Поведение к. п. д. между граничными кривыми 1 и 2; оно типично для датчиков с несовершенным действительным интегрированием, при котором при увеличении размеров упругого элемента только при определенных размерах количество и степень распределения чувствительных элементов возрастает.

Сопротивление источника питания двухтактного каскада, работающего в режиме В, как постоянному, так и переменному току должно быть возможно малым. При отсутствии сигнала на входе каскада напряжение источника питания должно возрастать не более чем ка 5-=-10%, что и определяет допустимую величину сопротивления источника питания постоянному току. При большом сопротивлении источника питания постоянному току максимальная мощность, выделяющаяся на выходных электродах усилительных элементов, возрастает и имеет место при ?<0,637.

Двухслойная структура. На 3.5.10 показан пример двухслойной структуры, в которой слой a-SiGe служит генерирующим носителем слоем, чувствительным к инфракрасному свету (последний не может поглощаться слоем a-Si;H). Фотогенерируемые в a-SiGe электроны инжектируются в слой a-Si: Н, дырки, которые генерируются светом в слое a-SiGe, движутся к поверхности, где нейтрализуются электронным пучком. Если толщинаатоя a-SiGe достаточно мала по сравнению с толщиной a-Si: Н, то переносом дырок в слое a-SiGe можно пренебречь. Для наблюдения переноса электронов в слое a-Si: Н должны выполняться следующие условия: во-первых, необходимо изготовить слой a-SiGe с высокой фотопроводимостью, чувствительный к свету с длиной волны больше 800 нм; во-вторых, должна быть эффективной инжекция носителей из слоя a-SiGe в спой a-Si: H. Этот метод выглядит многообещающим, если учесть тот факт, что к.п.д. солнечных элементов возрастает [133] при использовании каскадной структуры, состоящей •

лицевого контакта от 10 до 30 Ом/П оптимальное число солнечных элементов возрастает с 8 до 12. На 5.2.8, б приведены результаты расчетов для модуля III типа. В модуле III типа оптимальное число элементов меньше, чем в модуле Я типа.

Двухслойная структура. На 3.5.10 показан пример двухслойной структуры, в которой слой a-SiGe служит генерирующим носителем слоем, чувствительным к инфракрасному свету (последний не может поглощаться слоем a-Si;H). Фотогенерируемые в a-SiGe электроны инжектируются в слой a-Si: Н, дырки, которые генерируются светом в слое a-SiGe, движутся к поверхности, где нейтрализуются электронным пучком. Если толщина слоя a-SiGe достаточно мала по сравнению с толщиной a-Si: Н, то переносом дырок в слое a-SiGe можно пренебречь. Для наблюдения переноса электронов в слое a-Si: Н должны выполняться следующие условия: во-первых, необходимо изготовить слой a-SiGe с высокой фотопроводимостью, чувствительный к свету с длиной волны больше 800 нм; во-вторых, должна быть эффективной инжекция носителей из слоя a-SiGe в спой a-Si: H. Этот метод выглядит многообещающим, если учесть тот факт, что к.п.д. солнечных элементов возрастает [133] при использовании каскадной структуры, состоящей •

лицевого контакта от 10 до 30 Ом/П оптимальное число солнечных элементов возрастает с 8 до 12. На 5.2.8, б приведены результаты расчетов для модуля III типа. В модуле III типа оптимальное число элементов меньше, чем в модуле Я типа.

пассивные элементы с точностью ±0,1%. Разброс коэффициентов усиления у транзисторов достигает 50%. Такие широкие допуски не позволяют создавать прецизионные ИС. Особенно остро стоит вопрос о реализации линейных ИС, в которых используются активные элементы с идентичными характеристиками в широком температурном диапазоне (дифференциальные усилители, электронные ключи для цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей). Получение необходимой точности линейных ИС осуществляется путем компенсации производственных погрешностей активных и пассивных элементов. Наиболее прогрессивным методом компенсации производственных погрешностей, электрических параметров компонентов линейных ИС является функциональная подгонка (ФП). Суть ФП заключается в изменении параметров тех пленочных пассивных элементов, которые в наибольшей степени влияют на выходные параметры готового изделия. К ее достоинствам следует отнести исключение операций комплектования навесных активных элементов, индивидуальной подгонки пленочных пассивных элементов, компенсацию нестабильностей элементов вследствие воздействия температуры при монтаже, снижение требования к допускам элементов, совмещение в одном процессе контроля и регулировки.

В последнее время широкую известность приобрели монокристаллы сапфира, легированные ионами титана Ti:>+ и ванадия V4+, электронная конфигурация которых 1 s2 2 s2 2 р9 3 s23pe3d1. При такой электронной конфигурации образуется одно состояние 2D, которое расщепляется в кристаллическом поле решетки сапфира на два состояния 2? и 2F2. При переходах между уровнями этих состояний происходит генерация лазерного излучения. Особенностью активных сред с ионами титана и ванадия является возможность плавной регулировки (перестройки) частоты генерации лазера. При активации монокристаллов сапфира ионами титана перестройка осуществляется в пределах 0,68—0,93 мкм, а ионами ванадия — 0,59—0,62 мкм. Монокристаллы сапфира с различными примесями выращивают методами Вернейля, Чохральского и Багдасарова (см. главу третью). Как следует из критериев изоморфизма, ионы редкоземельных элементов вследствие их больших размеров не могут быть введены в решетку оксида алюминия. Попытки преодолеть эти затруднения привели к исследованию соединений типа LaMgAluOl9, характерных, как это следует из диаграмм состояний (см. 39—41), для первой группы редкоземельных элементов (La, C1 и Рг). Такие соединения имеют гексагональные решетки, допускают легирование ионами неодима и характеризуются высоким коэффициентом теплопроводности. Технология выращивания кристаллов в настоящее время разрабатывается и в будущем они могут стать конкурентоспособными по сравнению с таким материалом, как гранат.

9.7. КРАЕВЫЕ ИСКАЖЕНИЯ ЕДИНИЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ВСЛЕДСТВИЕ ВЛИЯНИЯ ПОМЕХ

9.7. Краевые искажения единичных элементов вследствие влияния помех 129 •9.8. Краевые искажения единичных элементов вследствие влияния других

От внешних, в том числе особо тяжелых несимметричных КЗ, не отключенных защитами смежных поврежденных элементов вследствие отказа их защит или выключателей, на генераторах устанавливаются специальные защиты с относительной селективностью, поскольку основные защиты генераторов от внутренних КЗ выполняются с абсолютной селективностью. Для обеспечения большей чувствительности к несимметричным КЗ они обычно имеют отдельные части (ступени) в виде токовых защит с независимой характеристикой ^=f(72), включаемых на составляющие /2, причем число ступеней бывает различным.

При создании математических моделей электрических цепей встает проблема учета элементов с малыми значениями индуктив-ностей, емкостей, проводимостей, сопротивлений. Поскольку пренебрежение такими элементами может нарушить адекватность модели реальной цепи, исследователь зачастую вынужден учитывать большое число подобных элементов. Вследствие этого электрическим цепям соответствуют дифференциальные уравнения относительно высоких порядков. Причем, как правило, при описании решений подобных уравнений в интервале наблюдения требуется привлечение двух видов функций: быстроубывающих с большими производными и функций с малыми производными. Необходимость использования таких функций для описания решений дифференциальных систем характеризует явление жесткости, а сами подобные системы называют жесткими. Явление жесткости типично для задач теории электрических цепей. Вместе с тем численное решение жестких дифференциальных систем сопряжено со значительными трудностями. Причины таких трудностей целесообразно рассмотреть подробнее. Начнем с примера, иллюстрирующего физическую суть явления жесткости.

Рассмотрим подробное описание и формирование уравнений цепи, содержащей нелинейные и невзаимные элементы. Подобные элементы при описании требуют больших информационных затрат, поэтому их целесообразно выделять в отдельные группы. Единого подхода для описания подобных элементов вследствие большого их разнообразия нет. Обычно способы их описания в каждом конкретном случае подчиняются соображениям удобства последующего формирования вкладов от этих элементов в коэффициенты матрицы Y, J. Рассмотрим возможное описание источника тока, управляемого напряжением (ИТУН), и последующее формирование вкладов от этого элемента в систему узловых уравнений, Для подобных элементов ( 7.10, а) может быть составлен, например, Г-список (табл. 7.2).

Современные системы автоматического управл держат десятки, а иногда даже сотни отдельных элементов вследствие чего возникают известные трудности н в процессе проектирования схем, но и в схем. Поэтому начертание схем должно производиться по определенной системе, облегчающей их чтеш

Вследствие несовпадения продолжительности переходных процессов в различных цепях и элементах схем не может быть обеспечена одновременность появления новых значений входных сигналов на всех входах устройства. Поэтому употребляется тактированный способ обмена информацией между запоминающими элементами и комбинационными схемами. В этом случае новый такт начинается лишь после того, как в предыдущем такте завершается выработка комбинационной схемой выходного слова и его запоминание путем установки запоминающих элементов в соответствующие состояния. Это достигается с помощью тактирующих сигналов, называемых также синхросигналами, обеспечивающих передачу полученной в предыдущем такте информации с запоминающих элементов на входы комбинационной схемы одновременно с сигналами, поступающими на ее входы с других устройств.

вместо входных диодов используется многоэмиттерный транзистор МТ\. Использование многоэмиттерного транзистора специфично для интегрального исполнения логических элементов и позволяет повысить быстродействие элементов вследствие того, что переключение клапанов происходит не через пассивные компоненты входной логики (резисторы, диоды), а через активные (переходы транзистора МТ\ эмиттер —база и база — коллектор).

При" очень больших силах нажатия ' величина переходного сопротивления контактов изменяется незначительно. Кроме того, слишком большие силы нажатия вызывают чрезмерные напряжения в материале контактных элементов, вследствие чего контакты утрачивают упругость и становятся менее прочными. д