Элементов расположенных

При выполнении расчета восстанавливающегося напряжения на контактах выключателя принимаются следующие допущения: не учитываются активные сопротивления элементов расчетной схемы и влияние короны воздушных ЛЭП; изменение отключаемого выключателем тока вблизи его нулевого значения представляется линейной зависимостью 1кк^/21п0(ос1; определение восстанавливающегося напряжения выполняется при отключении выключателем тока трехфазного КЗ на землю; воздушные ЛЭП, подключенные к системе сборных шин РУ, представляются активными сопротивлениями, равными эквивалентным волновым сопротивлениям линий (450 Ом для однопроводной линии, 370 Ом для линии с расщеплением фазы на два провода, 320 Ом для линии с расщеплением фазы на три провода); короткие воздушные линии (1—3 км), имеющие на конце тупиковые подстанции, учитываются емкостью 1 • 10 ~8 Ф/км; емкость

Рассмотрим, как определяются сопротивления разных элементов расчетной схемы.

Поскольку сопротивления разных элементов расчетной схемы могут

При постановке задачи надежности необходимо определить продолжительность дискретных интервалов ДГП периода Гп, в течение каждого из которых все параметры системы (состав элементов расчетной схемы, параметры режима производства и потребления продукции) можно считать неизменными. Понятно, что чем меньше продолжительность интервалов АГП, тем при прочих равных условиях больше трудоемкость решения задачи, но тем точнее результат.

Исследование надежности существенно усложняется, если в течение периода Тп учитывается: а) изменение состава элементов расчетной схемы, определяемое новыми вводами или демонтажем оборудования и выводами оборудования в плановые ремонты или резерв; б) возможность частичных отказов оборудования.

Расчетные формулы для определения сопротивления элементов схемы в именованных и в относительных единицах (хб л, х& т и т. д.) определяются параметрами элементов расчетной схемы.

Питающая и распределительная сеть 35 кВ и выше представляется полной схемой замещения. К каждому из узлов этой сети в общем случае присоединены понижающие трансформаторы 220—35/6—10 кВ с сопротивлением rT-\-jx7. К шинам 6—10 кВ трансформаторов присоединена сеть 6—10 кВ, представляемая в расчетной схеме на 4.18 эквивалентным сопротивлением r3K-\-jx3K. Имеющиеся в узле 6—10 кВ синхронные двигатели, генераторы и компенсаторы представляют в виде одной эквивалентной синхронной машины (СМ), присоединенной непосредственно i: шинам 6—10 кВ. Активные нагрузки узлов Рс, считают заданными на шинах 6—10 кВ ЦП, что соответствует существующей системе учета электроэнергии. В частных случаях некоторые из элементов расчетной схемы на 4.18 могут отсутствовать, например в ряде узлов могут отсутствовать СМ, к шинам станций может быть не присоединена сеть 6—10 кВ, при этом может отсутствовать эквивалентное сопротивление этой сети, т. е. r3V.-\-jxaj; = 0.

При отсутствии данных о фактических коэффициентах трансформации трансформаторов и автотрансформаторов можно использовать приближенный способ их учета. Он состоит в замене действительных напряжений холостого хода (XX) обмоток трансформаторов и автотрансформаторов, находящихся на одной ступени напряжения, а также номинальных напряжений других элементов расчетной схемы, включенных на той же ступени напряжения, одним средним номинальным напряжением. Это напряжение следует выбирать в соответствии со следующей шкалой средних номинальных напряжений: U.. = 3,15; 6,3; 10,5; 13,8; 15,75; 18; 20; 24; 27,5; 37; 115; 154; 230; 340; 515; 770; 1175 кВ.

Если данные для определения активных сопротивлений различных элементов расчетной схемы отсутствуют, то при расчете апериодической составляющей тока КЗ и ударного тока КЗ можно использовать данные о средних значениях постоянной времени затухания апериодической составляющей и ударного коэффициента для характерных элементов и частей ЭЭС, приведенные в табл. 45.5.

1) индуктивные и активные сопротивления силовых трансформаторов, кабельных и воздушных линий и других элементов расчетной схемы;

Расчеты токов КЗ в сетях и установках напряжением до 1 кВ обычно производят в именованных единицах. При этом сопротивления всех элементов расчетной схемы приводят к ступени низшего напряжения и выражают в миллиомах. В случае отсутствия данных о фактических коэффициентах трансформации трансформаторов пользуются следующей шкалой средних номинальных напряжений: [/.. = 690; 525; 400; 230; 127 В.

Принципиальным достижением планарной технологии полупроводниковых ИМС является возможность получения совершенно идентичных транзисторов, а также пар любых других элементов, расположенных а непосредственной близости на одной полупроводниковой подложке. Эти транзисторы изготовляются одновременно в одном технологическом' цикле на соседних участках подложки, весьма близких по параметрам. Тем самым достигается полная идентичность структур и параметров транзисторов, входящих в противоположные плечи дифференциального усилителя. Используя терминологию, применяемую при рассмотрении усилителей с дифференциальным входом, можно сказать, что достигается очень высокая степень подавления синфазного сигнала, попадающего на входы дифференциального усилителя. Различные варианты дифференциальных усилителей нашли широкое применение в разнообразных интегральных схемах.

Оловянно-свинцовые припои используются в электроприборо-етроении для пайки монтажных соединений, например ПОС-30, ПОС-40, для вторичной пайки элементов, расположенных рядом с соединениями, выполненными более высокотемпературными припоями, для пайки полупроводниковых приборов (ПОСК-50-18, сплав Вуда), для лужения проводников плат печатного монтажа (сплав Розе — ПОСВ-50). Механическая прочность оловянно-свинцовых припоев повышается с увеличением содержания олова.

В схеме вычислений в выражениях для (}* использована операция нахождения следа матрицы, обозначенная символом tr (под следом матрицы понимают сумму ее элементов, расположенных на главной диагонали).

локонных световодов, линеек светочувствительных элементов, расположенных вдоль строки, и др. Преимуществом таких разверток, несмотря на сложность осуществления, является возможность передачи изображений страниц книг, журналов без их расшивания.

(с коррекцией по горизонтали и вертикали), построенного по схеме упрощенного гармонического корректора, показан на 12.10. Линии задержки (ЛЗ) /,2с временем задержки Д^„ и ослабители 3, 4 с коэффициентами передачи ав€[ —1; 0] совместно с сумматором 5 образуют вертикальный АК. ЛЗ 6,7с временем задержки Д/г, ослабители 8, 9 с коэффициентами передачи arg[—1; 0] и сумматор 10 совместно образуют горизонтальный АК. С помощью ЛЗ // на время Д/ и сумматора 12 формируется сигнал с двухмерной коррекцией. гВыбор значений Д/в, Д/г, а„ и аг зависит от вида развертки. При построчной развертке выбирают Д^„ = HvJZ = Гстр; Д/г = = Hvr/Z, где // — высота изображения; Z —число строк разложения; и „и vr— скорости развертки по вертикали и горизонтали. Такой выбор Д/в и Д/г при симметричной форме апертуры РЭ обеспечивает одинаковую четкость по вертикали и горизонтали. При этом корректирующие сигналы получают от элементов изображения, расположенные на расстоянии г = H/Z от элемента, передаваемого в данный момент ( 12.11, а, где ( — номер элемента по строке, / — номер строки). При чересстрочной развертке, если выбрать Д^в = Тс7р, получим сигнал коррекции по вертикали от элементов, расположенных на расстоянии г' = 2H/Z ( 12.11, б). Тогда Д^г выбирается из условия Д/г = г'/иг, т. е. это значение должно быть в 2 раза больше, чем в первом случае. Эффективность такой коррекции также более низкая. Если при чересстрочной развертке выбрать Д/в = Гпол = Гстр7/2, то тогда сигнал вертикальной коррекции получается от элементов со-

Рие. 2.19. Схемы коммутации элементов, расположенных на противоположных сторонах платы, и формирования внешних выводов ГИС:

изотопы элементов, расположенных в средней части Периодической системы элементов Д. И. Менделеева. Разлетаясь с большой скоростью, осколки несут около 80% энергии, выделяющейся в процессе деления. При движении осколков в ядерном горючем их кинетическая энергия при многократном столкновении с соседними атомами переходит в тепловую, что вызывает ионизацию других атомов. После торможения новые ядра — осколки — превращаются в нейтральные атомы, называемые продуктами деления.

его изоляции от других элементов, расположенных в подложке, что необходимо в биполярных транзисторах. Поэтому интегральные схемы на МДП-транзисторах позволяют осуществить в одном кристалле более сложную функцию, чем аналогичные схемы на биполярных транзисторах. Это определило широкое применение МДП-ИМС в тех случаях, когда быстродействие не является решающим фактором.

д) конструкция корпуса должна позволять легко и надежно выполнять соединения как элементов, расположенных внутри корпуса, так и выводов корпуса с другими элементами в радиоэлектронном устройстве;

е) корпус должен обеспечивать хорошую теплоотдачу от расположенных в нем элементов в окружающее пространство или элементам конструкции радиоэлектронного устройства;

На первом листе чертежа помещают таблицу, аналогичную табл. 2 12.9, в которую заносят параметры всех элементов, расположенных на плате. На графическом изображении слоев на первом листе условно показаны номера контактных площадок (2, 3, 4, 5, 6 на 12.9), к которым следует присоединять выводы измерительного прибора при проверке элемента.