Элементов радиоэлектронной

Монтаж незакрепляемыми проводами осуществляется на оборудовании, аналогичном вышеописанному. Проложенные проводники сразу соединяются с контактными площадками ПП пайкой или сваркой. Сварка обеспечивает более надежное соединение элементов, работающих в условиях вибрационных и ударных нагрузок. Для обеспечения высокой механической прочности и коррозионной стойкости этих соединений используют диэлектрические основания с высокой нагревостойкостью, одножильные никелевые 336

Если допустим, производится запись 1 в триггер, находившийся перед этим в состоянии ! (открыт транзистор Га), то подача потенциала низкого уровня на эмиттер 21 не меняет состояние триггера. Если до записи триггер находился в состоянии 0, то при подаче потенциала низкого уровня на эмиттер 21 (запись 1) открывается транзистор Тг, при этом транзистор Т\ закрывается и триггер устанавливается в состояние 1. , Интегральная микросхема биполярного ЗУ представляет собой кристалл кремния, в котором образованы массив ЗЭ (триггеров) со всеми межсоединениями, а также адресные дешифраторы, усилители-формирователи записи и считывания и другие схемы для управления адресной выборкой, записью и считыванием. Для повышения быстродействия ЗУ эти обслуживающие схемы могут быть выполнены на основе ЭСЛ-элементов, работающих в линейной области, в то время как построенные на основе ТТЛ-элементов триггеры ЗЭ работают с насыщением. В таком случае кристалл содержит схемы согласования уровней сигналов для перехода от схем ТТЛ к схемам ЭСЛ и обратно.

Тугоплавкие металлы имеют достаточно высокое р и сравнительно небольшой ТКр. Эти металлы и их сплавы применяются для изготовления нагревательных элементов, работающих в вакууме или в инертной среде, термопары для измерения высоких температур. Тонкие плёнки (десятки -сотни нанометров) тугоплавких материалов, нанесённые на диэлектрические подложки, используются в качестве резисторов в интегральных микросхемах.

К благородным металлам принято относить платину, палладий, золото и серебро. Химическая инертность по отношению к составляющим атмосферы, в том числе и при повышенной температуре, делает благородные металлы и сплавы незаменимыми для изготовления термометров сопротивления, термопар и нагревательных элементов, работающих в особых условиях; ответственных электрических контактов; выводов интегральных микросхем и полупроводниковых приборов.

Первая группа включает так называемую «грубую» аппаратуру. Ее изготовляют из типовых (массовых) радиоэлементов, работающих длительное время в широком диапазоне изменения климатических и механических дестабилизирующих факторов.

Ко второй группе относится «точная» радиоаппаратура. Такую аппаратуру изготавливают либо из высокоточных элементов, работающих в широком диапазоне внешних воздействий, либо из стандартных элементов, работающих в условиях стабильной окружающей среды (герметизации, термостатирования, амортизации, кондиционирования и т.п.). Кроме того, эта аппаратура периодически подвергается профилактике, подстройке.,и регулировке.

К третьей группе «высокоточной» аппаратуры относятся устройства, изготовленные из высокоточных деталей, работающих в условиях микроклимата. Аппаратуру этой группы обслуживает высококвалифицированный персонал. Она калибруется и подстраивается перед каждым использованием. В указанной аппаратуре применяют схемы автоматической подстройки и поддержания стабильности выходных параметров, устройства встроенного контроля. Если подстройка и регулировка параметров производится непрерывно в процессе работы аппаратуры, то потери энергии и достоверности определяются только неидеальностью выполнения функций и наличием паразитных параметров. Нестабильность параметров элементов схем в этом случае не играет существенной роли.

В случае, когда не требуется высокая верность восстановления низкочастотного сигнала, применяется детектирование с помощью нелинейных элементов, работающих в режиме выпрямления амплитудно-модулированного колебания. Выпрямление, например, достигается с помощью полупроводникового диода VD, включенного последовательно с источником модулированного сигнала t/AM (t) и сопротивлением нагрузки ( 91, а). При этом на сопротивление нагрузки действует однополупериодно-выпрямленное напряжение:

стояния, взятого за большой период наблюдения (или для большого числа одинаковых элементов, работающих в сходных условиях, при малом периоде наблюдения), к длительности этого периода. Так, вероятность аварийного простоя равна:

В последнее время появилось еще одно направление полупроводниковой тензометрии, связанное с применением полупроводниковых мостовых тензорезисторных структур [111], которые представляют собой монолитно соединенные в схему одинарного моста полупроводниковые тензорезисторы. Мостовая тензорезисторная структура в виде квадрата ( 6.16, а) является универсальной для упругих элементов, работающих на растяжение, сжатие или изгиб, а структура на 6.16,6 — для мембранных датчиков давления. Габариты таких преобразователей составляют 2...6 мм при толщине 20...25 мкм.

В силовых трансформаторах изоляция состоит из ряда различных по конструкции элементов, работающих в неодинаковых условиях и имеющих разные характеристики. Воздушные промежутки между вводами и по их поверхностям на землю составляют внешнюю изоляцию, а все изоляционные участки, расположенные внутри бака, — внутреннюю изоляцию трансформатора. В свою очередь внутренняя изоляция подразделяется на главную и продольную. К первой относится изоляция обмоток относительно земли и между разными обмотками, например, участки обмотка — магнитопровод или бак; обмотка НН — обмотка ВН; отвод — стенка бака; между отводами разных обмоток. Продольная — это изоляция между разными точками одной и той же обмотки: между витками, слоями, катушками,

При использовании второго метода предполагается, что все влияющие факторы носят случайный характер, а также случайными являются сочетания вносимых ими отклонений. Поэтому результирующее отклонение определяется на основании теории вероятности. Согласно проведенным исследованиям, отклонения параметров элементов радиоэлектронной аппаратуры, как правило, подчиняются нормальному закону распределения. Тогда результирующее отклонение с весьма большой вероятностью (больше 0,99) может быть найдено из выражения

Контакгол К-12 наряду с высокой прводимостью обладает также высокой прочностью склеивания. Клей широко используется для монтажа элементов радиоэлектронной аппаратуры, таких, как ниточные резисторы, фоторезисторы и др.

При рассмотрении конструкции отдельных элементов радиоэлектронной аппаратуры будут приведены примеры конструктивных решений, удовлетворяющих требованиям технологичности.

Как было показано, надежность элементов радиоэлектронной аппаратуры сильно зависит от температуры окружающей среды. Для каждого типа элемента в технических условиях указывается предельная температура, при превышении которой элемент нельзя эксплуатировать. Поэтому одна из важнейших задач конструктора радиоэлектронной аппаратуры состоит в том, чтобы обеспечить правильные тепловые режимы для каждого элемента.

Для многих элементов радиоэлектронной аппаратуры (полупроводниковых приборов, микросхем, многих конденсаторов и др.) защита от влаги может достигаться только полной герметизацией, путем помещения в запаянный или заваренный корпус или покрытием их толстым слоем специальных влагозащитных материалов. В процессе производства некоторых типов ЭРЭ до установки в герметичный корпус их приходится хранить в специальных условиях, исключающих воздействие влаги. В силу перечисленных причин почти все ЭРЭ имеют индивидуальные средства защиты от влаги.

На основе полиуретанов могут быть получены высококачественные лаки. Полиуретаны могут быть использованы в качестве пропиточных и заливочных масс, создающих монолитную изоляцию. Эластичный пористый полиуретан под названием «поролон» применяется в различных отраслях техники в качестве тепло- и звукоизоляции, в качестве мягких покрытий и т. д. Жесткий пенопласт применяется для заполнения элементов радиоэлектронной аппаратуры в авиации и судостроении (в качестве конструкционного заполнителя).

Надежность полупроводниковых диодов обычно значительно выше надежности других элементов радиоэлектронной аппаратуры. Однако в связи с усложнением схем требуется дальнейшее повышение надежности полупроводниковых диодов.

Под надежностью 'Интегральных микросхем .понимают их свойство выполнять задамные функции при 'сохранении эксплуатационных показателей в заданных пределах <в течение требуемого промежутка времени или требуемой наработки. Надежность различных элементов радиоэлектронной аппаратуры, в том числе и интегральных микросхем, характеризуется вероятностью 'безотказной работы Р и интенсивностью отказов ,в единицу времени Я,. Опыт показывает, что надежность интегральных микросхем, определяемая интенсивностью отказов, в нормальных условиях эксплуатации составляет Ы0~7—1-10~9 в час, т. е. в десятки и сотни раз меньше, чем интенсивность отказов аналогичных схем на обычных дискретных элементах.

контрольной аппаратуры (табл. 18.5). При радиографическом способе регистрации результатов контроля используют фоточувствительную пленку (пленочная радиография) или обычную бумагу, на которой получают изображение с помощью полупроводниковых пластин (электрорадиография). В рентгенотелевизионных аппаратах (интроско-пах) рентгеновское изображение преобразуется в видимое на экране телевизора с помощью специальных передающих электронно-лучевых приборов (табл. 18.6). Радиографический способ дает большую чувствительность и глубину контроля, а рентгенотелевизионный позволяет повысить оперативность контроля. Рентгенотелевизионные установки позволяют получить увеличенное в десятки раз изображение внутренней структуры ОК и поэтому широко используются для контроля элементов радиоэлектронной аппаратуры (полупроводниковые приборы, интегральные микросхемы и т.д.). Наивысшую разрешающую способность, возможность послойного изучения структуры объекта контроля имеют рентгеновские вычислительные томографы, например микротомограф ВТ-50. Он позволяет контролировать объекты диаметром до 50 мм при разрешающей способности 25 мкм и габаритах 5700x1200*800 мм.

22. Никулин С. М. Надежность элементов радиоэлектронной аппаратуры. М., Энергия, 1979.

Для локального охлаждения и стабилизации температуры малогабаритных элементов радиоэлектронной аппаратуры разработан унифицированный ряд микромодулей типа ТЭМО (твердотельные электронные микроохладители) [14]. Они предназначены для работы в следующих условиях эксплуатации: изменение температуры окружающей среды от 213 до 353 К; относительная влажность воздуха до 98% при температуре окружающей среды 313 К; нормальное и пониженное (до 666 Па) атмосферное давление; Вибрационные нагрузки в'диапазоне частот от 1 до 600 Гц с ускорением 28,1 м/с2; многократные ударные нагрузки с ускорением до 392,4 м/с2; одиночные ударные нагрузки с ускорением до 735 м/с2; линейные (центробежные) нагрузки с ускорением до 98,1 м/с2; акустические шумы в диапазоне частот от 50 до 10 000 Гц с интенсивностью звуковых колебаний 130 дБ. %