Элементов предназначенных

Вычислительные комплексы с мажоритарным управлением (тройное дублирование).-Принцип мажоритарного управления состоит в выполнении одних и тех же вычислений несколькими (более двух) ЭВМ или устройствами, сопоставлении получаемых машинами результатов по методу «голосования» и выдаче на объект управления результатов обработки, оказавшихся одинаковыми у большинства машин (устройств) комплекса. Комплекс снабжается мажоритарным устройством, в определенные моменты сравнивающим выходные данные машин и .формирующим путем «голосования» общий выходной управляющий сигнал. Выход из строя одного из элементов практически не сказывается на выходных сигналах УВК- Комплексы с мажоритарным управлением в состоянии практически исключить ошибки в управлении. Примером УВК с тройным дублированием и мажоритарным, управлением может служить система «Аугуст» ( 15.9) [61]. Три одинаковые управляющие микроЭВМ выполняют независимо все операции. Имеется возможность обращения для считывания одной микроЭВМ к памятям двух других. Это используется для обнаружения и исправления ошибок.

Наиболее распространены в квантовой электронике монокристаллы алюмоиттриевого граната с неодимом, позволяющие получать при комнатной и повышенной температуре генерацию лазерного излучения на переходах 4F3/12—»- 41ц/2 и 4Рз/2~*" 4Ii (CM- Рис- 34 и 42). Использование в качестве активатора ионов хрома позволяет на переходах 2Е, 4F2-v 2A2 создавать перестраиваемые лазеры в красной и ближней инфракрасной областях спектра. В решетку граната можно изоморфно вводить до 100% активаторных ионов некоторых редкоземельных элементов, например Ег3+ или Но3+, что способствует созданию лазеров, генерирующих излучение с длиной волны около 3 мкм. Эти лазеры открывают новые возможности в лазерной хирургии и инженерной биологии. Трехподрешеточная структура граната позволяет изоморфно вводить ионы элементов практически всех групп периодической системы, что при условии сохранения локальной электронейтральности обеспечивает необходимое окружение активаторных центров. Монокристаллы гранатов выращивают методами Чохральского и Багдасарова.

Полупроводниковые интегральные микросхемы в сборе помещают в металлический или пластмассовый корпус. Изготовление микросхем (сразу большого количества) в едином технологическом цикле позволяет существенно усложнять их схему и увеличивать количество активных и пассивных элементов практически без повышения трудоемкости изготовления. Это дает возможность создавать сложные микросхемы с большой степенью интеграции (более 104—106 элементов).

Фазочастотная характеристика каскада (см. 9.3, б) за пределами полосы пропускания достигает углового сдвига + 90 ° и —90 °, пересекает точки +45 ° и —45 ° на граничных частотах и плавно приближается к нулю в полосе средних частот, где влияние реактивных элементов практически не проявляется.

Описанный метод совместного размещения и трассировки элементов практически применим для относительно несложных фрагментов БИС, например, для разработки библиотеки топологии типовых модулей БИС.

энергии, например выделяющейся при ядерных преобразованиях, непосредственно в электрическую энергию. Полупроводниковые термогенераторы, в которых преобразуется энергия домашних отопительных и осветительных приборов, устанавливаются, например, для питания радиоаппаратуры. Срок действия таких источников питания в отличие от аккумуляторов и первичных элементов практически не ограничен.

где /8 — обратный ток запертого диода Д. Так как /s и /К0 малы, выходное напряжение можно считать равным — Е. Напряжение в точке а, соответствующей отрицательной клемме источника Е0, Ua = = +?i — (/s+/Ko)^6- Видим, что 1/а #» ?д Запирающее напряжение на диоде Олк = EI + \Е\ . Запирающее напряжение на базе Т U 'вэ = Ua + ?« ^ EJ. + ?о- Пренебрегая обратным током запертого диода Is, можно считать, что введение дополнительных элементов практически не изменило режим выходной цепи транзисторного ключа при запертом транзисторе.

где Is—обратный ток запертого диода Д. Так как fs и 7КО малы, выходное напряжение можно считать равным —Е. Напряжение в точке а, соответствующей отрицательной клемме источника Е0, Ua = + El — (Is + 7KO) R6. Видим, что Ua^El. Запирающее напряжение на диоде Uак = Е1-\~\Е\. Запирающее напряжение на базе Т Уб»~ ^л + ?<> ~ ?i + ?3- Пренебрегая обратным током запертого диода 7^ можно считать, что введение дополнительных элементов практически не изменило режим выходной цепи транзисторного ключа при запертом транзисторе.

защит этих элементов (практически в конце первых), когда перестают срабатывать первые ступени их защит с током /с. 3(л— о- Поэтому

характеризуется коэффициентом к' первой ступени при к. з. на защищаемой секции, а также /с^п третьей ступени при повреждениях в конце присоединенных к ней элементов (практически при к. з. за реакторами линий).

элементов электрической системы значительно превышают их индуктивные и активные сопротивления, что позволяет при определении тока простого замыкания на землю пренебречь последними и, следовательно, считать, что величина этого тока практически не зависит от места

Усилителями постоянного тока называются устройства, предназначенные для усиления медленно изменяющихся сигналов вплоть до нулевой частоты. На 3.38 приведена АЧХ для усилителя постоянного тока (УПТ). Отличительной особенностью УПТ является отсутствие разделительных элементов, предназначенных для отделения усилительных каскадов друг от друга, а также от источника сигнала и нагрузки по постоянному току.

Конструкции элементов, предназначенных для выполнения аналогичных функций в различных типах МЭА, должны исключать перенастройку зрительной системы человека-оператора и облегчать выработку определенных стереотипов действий, упрощающих эксплуатацию аппаратуры.

Под электроэнергетической системой понимается совокупность взаимосвязанных элементов, предназначенных для производства, преобразования, передачи, распределения и потребления электроэнергии.

Ряд элементов, предназначенных для повышения надежности, увеличения пропускной способности, улучшения условий эксплуатации и работы основных элементов и всей системы в целом, можно назвать дополнительными устройствами (переключательные пункты, установки, компенсирующие индуктивные сопротивления электропередачи, промежуточные синхронные компенсаторы, повышающие устойчивость, активные и индуктивные сопротивления в нейтрали трансформаторов, нагрузочные сопротивления для торможения генераторов при сбросах нагрузки, специальные устройства для синхронизации и ресинхронизации генераторов). Указанные устройства могут устанавливаться не сразу, а после сооружения передачи. Аналогичное условное деление можно провести и в отношении мероприятий по улучшению устойчивости и качества переходных процессов. Их можно разделить на основные, изменяющие параметры основных элементов, и дополнительные, заключающиеся в установке дополнительных устройств.

Элементы 045, 076, 145 и 165 заливают композицией № 19, которая содержит 70% битума V и 30% парафина. Заливку элементов, предназначенных для эксплуатации при температурах от —40 до +60°С, производят композицией № 20. Она состоит из 40%

Советской промышленностью выпускается более десяти типов цилиндрических стаканчиковых элементов, предназначенных для питания радиотехнической и осветительной аппаратуры. Эти элементы имеют диаметр от 10,5 до

Из элементов, предназначенных для изготовления батареи, собирают секции. Внешний вид секции ртутно-цинковых элементов показан на 183, а, а конструкция приведена на 183, б.

Под электроэнергетической системой понимается совокупность взаимосвязанных элементов, предназначенных для производства, преобразования, передачи, распределения и потребления электроэнергии.

Входная цепь и входной каскад обычно оказываются наиболее удобными для расположения в них элементов, предназначенных для регулировки усиления (или тембра).

пенным. Разница в целях приводит к разным техниче-: оким решениям даже при использовании элементов од-^яого и того же типа. Другие различия являются следствием разработки специальных электронных элементов, предназначенных для применения исключительно в одной из этих сфер. В качестве примера можно упомянуть используемые в силовой электронике приборы на высокое напряжение с ртутным катодом на большие токи и мощные полупроводниковые приборы. Однако нельзя провести четкую границу раздела между силовой электроникой и электроникой связи. Более того, аппаратура управления и регулирования устройств силовой электроники по своим техническим решениям близка к области электроники связи, в то время как, например, блоки питания оборудования связи должны быть рассчитаны и сконструированы в соответствии с принципами, существующими в силовой электронике.

Кроме того, фирма VARTA изготовляет серию элементов, предназначенных для работы с отбором малого тока в электрических и электронных часах с аналоговой индикацией (табл. 4.9).