Элементов необходимо

7. Большая свобода при конструировании функциональных схем, что приводит к оптимальным конструкциям и позволяет уменьшить число элементов, необходимых для построения одного функционального узла.

Любое логическое выражение может быть изображено в виде схемы, построенной из логических элементов. Преобразование логического выражения отражает преобразование логических схем в эквивалентные им схемы. В связи с этим понятно значение алгебры логики как математического аппарата при проектировании логических схем. Вначале на основании анализа функций, которые должна выполнять схема, составляются логические выражения, описывающие работу схемы. При выборе наиболее приемлемого логического выражения необходимо учитывать ряд факторов: число элементов, необходимых для реализации данного логического выражения, унификацию и взаимозаменяемость элементов и устройств, их надежность, габаритные размеры, стоимость и др. Полученные логические выражения преобразуются и упрощаются для выбора наименьшего числа элементов схемы. Все эти вопросы рассматриваются во взаимосвязи с конкретными условиями и представляют собой задачу анализа логических схем.

1) производят анализ технического задания с учетом особенностей и возможностей пленочной технологии: получения пленочных элементов необходимых номинальных значений с заданными точностью, пробивным напряжением, мощностью рассеяния и др.; при этом учитывают параметры и конструкции активных и других компонентов, надежность и экономические факторы; в случае необходимости производят уточненный электрический расчет;

Схемное проектирование заключается в разработке электрической схемы и методов ее контроля с помощью макетирования или моделирования. Именно при схемном проектировании выбирают оптимальный базовый элемент и определяют число базовых и других элементов, необходимых для построения БИС.

Тождества алгебры логики полезно запомнить. Используя тождества, можно упростить логические уравнения, при этом сводится к минимуму число логических элементов, необходимых для реализации логической функции.

1) производят анализ технического задания с учетом особенностей и возможностей пленочной технологии: получения пленочных элементов необходимых номинальных значений с заданной точностью, пробивным напряжением, мощностью рассеяния и др.; при этом учитывают параметры и конструкции активных и других дискретных элементов, надежность и экономические факторы; в случае необходимости производят уточненный электрический расчет;

Схемное проектирование заключается в разработке электрической схемы и методов ее контроля с помощью макетирования или моделирования. Именно при схемном проектировании выбирают оптимальный базовый элемент и определяют число базовых и других элементов, необходимых для построения БИС.

ских и логических характеристик используют метод логического моделирования с помощью ЭВМ. Для этого информацию о существующих базовых элементах заносят в библиотеку памяти ЭВМ, а для описания БИС задаются ее конкретными характеристиками. Такими характеристиками являются потребляемая мощность, быстродействие, число пассивных и активных элементов, логических связей, необходимых изолированных областей и др.

Функциональный состав. Функциональная сложность БИС и выбор базового элемента позволяют определить функциональный состав БИС, т. е. число базовых элементов, необходимых для реализации функции БИС.

Развитие функциональной микроэлектроники приведет к дальнейшему повышению степени интеграции. Это связано с тем, что функциональные микросхемы отличаются от интегральных существенно меньшим числом элементов при том же или большем числе функций. Так, применение транзисторного эффекта для создания не только двухуровневых, но и многоуровневых микросхем может дать увеличение на 2—3 порядка степени функциональной интеграции логических интегральных микросхем вследствие уменьшения в схеме числа элементов, необходимых для выполнения функций. Значительное повышение степени функциональной интеграции микросхем можно ожидать от применения оптоэлектронных микро-

Рассмотрим, например, задачу определения числа проверочных элементов, необходимых для исправления одиночной ошибки в n-элементной кодовой комбинации. Эта задача по существу сводится к отгадыванию одного из п+\ числа с помощью вопросов, ответы на которые даются в форме «да» или «нет» и каждому из которых ставится в соответствие проверочный элемент (1 или 0). Здесь л + 1 означает, что либо кодовая комбинация принимается. 94

Решение. Рассматриваемый срез формируется элементами Cpi, CP2, ?д, Сбл эь Сбл 82, Сбл эз- Первые три из них определяют асимптоту низкочастотного среза, так как образуют нули функции передачи на частоте, равной нулю. Для расчета этих элементов необходимо знать параметры асимптоты АЧХ I'd и f'c (см. 7.12). Согласно (7.14) f'd = 0,5-0,3-10e-10-<39+10)/4°(1-1/6) = 5,l кГц, /'с = 5,1-103-2(1—1/6)/3 = 2,8 кГц.

Оксиды редкоземельных элементов. Эти материалы имеют общую формулу Ln2O3, обладают высокой температурой плавления (выше 2500 К). В зависимости от положения в ряду редкоземельных элементов их кристаллические решетки относятся к различным структурным типам. Гексагональный структурный тип А характерен для редкоземельных элементов начала ряда (с меньшими порядковыми номерами), кубический тип С — для элементов от тербия до лютеция, а низкосимметричный тип В — для середины ряда. Различие структурных типов редкоземельных элементов необходимо принимать во внимание при оценке изоморфизма легирующих ионов. Одновременно необходимо отметить наличие высокотемпературных полиморфных переходов у всех редкоземельных оксидов, за исключением оксида лютеция, затрудняющих получение качественных монокристаллов. В настоящее время для лазеров применяют монокристаллы оксидов иттрия, эрбия, гадолиния и тулия, выращивае-

Отказы элементов в ремонтном состоянии электроустановки могут приводить к наиболее тяжелым последствиям, поэтому кроме показателей надежности элементов необходимо оценивать и показатели их плановых ремонтов. Такими показателями являются частота плановых (капитальных, текущих) ремонтов, остановов и преднамеренных отключений элементов ц, 1/год, и средняя продолжительность планового ремонта Гр, ч.

напряжение l/i, то транзистор Тг закрыт и на каждом выходе транзистора Тг создается напряжение l/i, что соответствует выполнению функции И. При подключении к одному или каждому эмиттеру Т 2 источника сигнала (эмиттерных повторителей, аналогичных 7\) реализуется логическая функция Монтажное ИЛИ. Таким образом, элемент выполняет логическую функцию И — ИЛИ. Для осуществления переключения тока между Т2 и ТУ последующего каскада в цепи последовательно соединенных элементов необходимо выполнение основного условия Е„ = 0,5А U6.f, где Д?/б2 — перепад напряжения по базе Т2. Этот перепад Д?/С2 так же, как и в элементах ЭСЛ, составляет примерно 0,8 В. При закрытом транзисторе 7\ транзистор Г2 открыт; выходное напряжение составляет — 0,8 В. При открытом транзисторе 7\ на его коллекторе создается напряжение—0,8 В, транзистор Т2 закрывается. В этих условиях напряжение на выходе элемента ограничивается эмиттерным переходом TI последующего элемента на уровне \U6a + E0\. Таким образом, для данного элемента напряжение логической «1» определяется значением (7бз, а логического «О» — 1,5 U6a.

При описании топологии схемы не учитывают компонентных данных Это позволяет каждую ветвь схемы представлять линией соединяющей соответствующие узлы. При этом образуется так называемый граф цепи. На 1.8,а представлена схема, в которой пронумерованы узлы, элементы и для последних выбраны положительные направления тока и напряжения. Нумерация узлов выполняется произвольно (на 1.8,а номера узлов заключены в кружки). Причем следует иметь в виду, что всякое соединение двух и более элементов рассматривается как узел (обозначение узлом точки соединения двух элементов необходимо, чтобы для каждого элемента можно было указать пару узлов, между которыми включен в схеме элемент).

емкостных и индуктивных элементов необходимо в начале программы ввести их количество. Затем в строке 11442 вводится ключ — переменная К, которому присваивается значение К= — 1 в том случае, когда рассчитываются коэффициенты влияния емкостных элементов, и К=1 для индуктивных элементов. Комплексные коэффициенты влияния выводятся сначала для резисторов, затем для емкостных и индуктивных элементов. При этом следует иметь в виду, что порядок следования выводимых коэффициентов влияния определяется порядком элементов в соответствующих векторах схемы, т. е. в векторах X и 1рез. Продемонстрируем сказанное на примере.

Если управление элементом производится от измерительного органа, питаемого также от напряжения Ек = —12 В, то сопротивление резистора ^к в цепи коллектора выходного транзистора этого органа выбирается в зависимости от числа управляемых им логических элементов. Необходимо обеспечить достаточно большой входной ток 7(1)вх.мин логического элемента при сигнале 1. С учетом суммарного падения напряжения на входном диоде и переходе эмиттер —база V4 около 1 В при ?/(1)вх.мин=4 В и Ri = l,2 кОм этот ток должен быть больше (4—!)/(1,2-103) =0,0025 А. Падение

2. Вывод на экран системы уравнений для заданной электрической цепи (строки 460-540). Под схемой электрической цепи на экран выводится система уравнений для заданной цепи с токами, написанными в порядке возрастания их индексов, и свободными членами, записанными в первой части уравнений. Такое расположение элементов необходимо для обеспечения правильного ввода коэффициентов системы уравнений в ЭВМ.

Совершенствование конструирования дискретной аппаратуры в значительной степени зависит от развития элементной базы. Для цифровых интегральных схем наряду с повышением точности параметров необходимо обеспечить повышение граничной частоты и величины отдаваемой мощности. Для развития радиотехнических систем с электронным сканированием и использования фазированных антенных решеток, состоящих из дискретных изучающих или приемных элементов, необходимо разработать малогабаритные излучающие сверхвысокочастотные устройства. В частности, создаются миниатюрные лампы бегущей волны, работающие в диапазоне частот 84-12 ГГц, длиной 15 см и массой 170 г. Для сравнения укажем, что обычная лампа бегущей волны имеет массу до 1,13 кг.

Кроме того, при анализе отклонения выходного параметра ИМС можно осуществить переход от погрешностей комплексов1 пленочных элементов к погрешностям геометрических и физических параметров элементов, являющихся следствием взаимно независимых технологических операций (ширина и длина резисторов, удельное поверхностное сопротивление резистивной пленки и т. д.). При этом выражение (4.12) значительно упрощается, так как абсолютные отклонения геометрических и физических параметров элементов будут одинаковыми в пределах каждого комплекса. Следовательно, за а„, можно принять среднеквадрати-ческое отклонение выходного параметра ИМС от погрешности каждого из взаимно независимых комплексов геометрических и физических параметров пленочных элементов. Необходимо отметить, что в производственных условиях изготовления ИМС фак-

логических функций, может производиться лишь путем обмена информацией между элементами через электрические цепи. Поэтому на схемы из магнитных элементов необходимо подавать в определенной временной последовательности считывающие (и вспомогательные) импульсы — тактовое питание.