Элементов изготовленных

Последовательное соединение схем логических элементов, позволяющее выполнять передачу информации, естественно, подразумевает возможность соединения выходов одних элементов со входами других. Соединение между собой выходов элементов в общем случае считается недопустимым. Однако существуют элементы, выходы которых предназначены именно для работы в условиях взаимного соединения. Такие элементы позволяют строить схемы обработки информации, в которых несколько элементов — источников сигналов — передают информацию приемнику (или нескольким приемникам) по одной общей соединительной линии, к которой присоединены выходы нескольких источников. Схема каждого источника строится таким образом, чтобы его выход мог находиться в электрически отключенном состоянии от соединительной линии либо в состоянии 0 или 1 при подключении к соединительной линии. В каждый данный момент времени к соединительной линии подключается не более одного источника, отключенные электрически от линии источники не влияют на работу друг друга и подключенного к линии источника. Рассматриваемые элементы обычно называются элементами с отключаемыми выходами (выходами с тремя состояниями).

Транзисторные ключи. Ключ — элемент, осуществляющий под действием управляющих сигналов различные коммутации, включение и выключение пассивных и усилительных элементов, источников питания и т. д. В статическом режиме ключ находится в одном из двух состояний: замкнутом (включенном) или разомкнутом (выключенном).

В заключение отметим возможность оценки чувствительности решений уравнений состояния RL- и /?С-цепей к изменению параметров функций u(t) их активных элементов — источников напряжений. Здесь под параметрами функций u(t) понимают те наборы (множества) констант Y—(YI> Y2>-->Y*}> которые входят в соответствующие аналитические выражения для u(t). Например, для источника экспоненциально изменяющегося во времени напряжения функция u(t) = и0еа( зависит от констант «0 и а. Следовательно, можно считать, что у = {уь yz} = {«о. о}, где y\ = U0; У2 = а. При этом изображения U(p; t) функций u(t) и соответствующие решения МО. "с(0 также являются функциями параметров у{, г=1, k, т. е. U(p; t) = U(p; t; уь ..., yh), MO=M*. YI> •••» Y*)» Uc(t)=uc(t; уь ...» УЙ). Ограничившись рассмотрением только чувствительности установившихся составляющих решений уравнений состояния RL- и ЯС-цепей к изменению параметров у,-, t= I, k, можно, согласно выражениям (1.4), (1.5), записать

Механические системы с сосредоточенными параметрами, которые по аналогии с электрическими цепями будем называть механическими цепями, состоят из активных элементов (источников энергии) и пассивных элементов.

Механические системы с сосредоточенными параметрами, которые по аналогии с электрическими цепями будем называть механическими цепями, состоят из активных элементов (источников энергии) и пассивных элементов.

Схемы распределительных устройств (РУ). Электрические станции и подстанции, как правило, имеют распределительные устройства, которые представляют собой электротехнические устройства, предназначенные для приема электроэнергии от источников и распределения ее к потребителям. Цепь непосредственного подключения к РУ внешних элементов, источников, потребителей, линий связи электроустановок), содержащая те или иные коммутационные аппараты (разъединители, выключатели, выключатели нагрузки, отделители, предохранители и т. п.), называется присоединением.

конфигурации и вытяжка при элементов источников

.дом теле и пл&нках, схемотехнических средств и групповых технологических методов. Разработка такой РЭА предусматривает комплексную миниатюризацию всех ее элементов, т. е. применение в аппаратуре, кроме интегральных микросхем, малогабаритных деталей, соединительных элементов, источников питания и других радиокомпонентов.

Методической основой решения данных вопросов являются задачи оптимальной реконструкции и расширения ТСС, состоящие в выявлении «узких» мест в системах и в их устранении путем замены или усиления некоторых существующих элементов, а также введения ряда новых элементов (источников теплоты, насосных станций, участков тепловой сети).

Схемы распределительных устройств (РУ). Электрические станции и подстанции, как правило, имеют распределительные устройства, которые представляют собой электротехнические устройства, предназначенные для приема электроэнергии от источников и распределения ее к потребителям. Цепь непосредственного подключения к РУ внешних элементов, источников, потребителей, линий связи электроустановок), содержащая те или иные коммутационные аппараты (разъединители, выключатели, выключатели нагрузки, отделители, предохранители и т. п.), называется присоединением.

Для плоских элементов — источников излучения, имеющих лучистость, одинаковую во всех направлениях, действует закон Ламберта, согласно которому сила излучения пропорциональна косинусу угла излучения. Для поверхностей, подчиняющихся этому закону,

Метод аппликаций состоит в наклеивании на прозрачное основание калиброванных одиночных и групповых элементов, изготовленных из светонепроницаемой безусадочной антистатической пленки. Для получения изображения ДПП на одну сторону основания наклеивают красные (желтые) элементы, а на другую синие (фиолетовые). Последующее фотографирование через соответствующий светофильтр обеспечивает получение совмещенного оригинала рисунков с точностью ±0,2 мм. Метод рекомендуется для изготовления ОПП и ДПП, простых по конструкции, с пониженной плотностью монтажа.

Распределительные устройства на подстанции собирают из отдельных элементов, изготовленных заранее (сборные РУ), но во многих случаях, особенно для закрытых цеховых подстанций, предпочитают комплектные РУ, полностью смонтированные на заводе-изготовителе, а на подстанции их устанавливают и делают необходимые подключения линий и трансформаторов.

Одним из основных параметров полупроводника является подвижность носителей заряда и. Подвижность носителей — их средняя направленная скорость в полупроводнике при напряженности электрического поля Е= 1 В/см. Подвижность электронов и„ всегда больше подвижности дырок \ip. Это объясняется большей инерционностью дырок (соответствующей инерционности валентного электрона), чем свободных электронов. Наибольшая подвижность наблюдается у электронов в арсениде галлия. Чем больше д, тем выше скорость движения носителей и тем выше быстродействие полупроводникового прибора. Отсюда становится ясным преимущество высокочастотных элементов, изготовленных из электронного арсенида галлия. Отметим также, что с повышением температуры обычно наблюдается уменьшение подвижности носителей заряда.

Современная электроника характеризуется массовым выпуском изделий микроэлектроники — интегральных микросхем с быстро растущей степенью интеграции. Интегральной микросхемой (ИМС) называется совокупность нескольких взаимосвязанных элементов, изготовленных в едином технологическом цикле, на одной подложке; ИМС выполняет функцию определенного электронного устройства. В современных ИМС на 1 см удается выполнить более 10б элементов. По способу изготовления и получаемой при этом структуре ИМС можно разделить на три основных типа: гибридные, пленочные и полупроводниковые.

3) независимостью погрешностей параметров пленочных элементов, изготовленных на разных технологических операциях.

Критерием оценки сложности микросхемы, т. е. числа N содержащихся в ней элементов и простых компонентов, является степень интеграции. Она определяется коэффициентом К — lg N, значение которого округляется до ближайшего большего целого числа. Так, микросхема первой степени интеграции (/( = 1) содержит до 10 элементов и простых компонентов, второй степени интеграции (К. = 2) — свыше 10 до 100, третьей степени интеграции (К — 3) — свыше 100 до 1000 и т.д. В настоящее время микросхему, содержащую 500 и более элементов, изготовленных по биполярной технологии, или 1000 и более элементов, изготовленных по МДП-технологии, называют большой интегральной микросхемой (БИС). Если число элементов превышает 10 000, то микросхему называют сверхбольшой (СБИС).

Основным достоинством ИС по сравнению с аналогичными схемами на дискретных элементах являются малые габаритные размеры, масса и повышенная надежность. При производстве ИС требуются меньшие затраты за счет применения высокопроизводительного автоматизированного оборудования, возможно существенное сокращение труда и получение лучших характеристик схем благодаря идентичности параметров элементов микросхем. Повышается надежность за счет автоматизации технологических операций и снижения вероятности выхода из строя отдельных элементов, изготовленных в едином технологическом цикле. При эксплуатации таких приборов без существенных затрат может быть введено резервирование, что повышает надежность их работы.

3) независимостью погрешностей параметров пленочных элементов, изготовленных на разных технологических операциях.

Основными полупроводниковыми материалами, используемыми для изготовления активных и пассивных элементов изделий электронной техники, являются германий и кремний (табл. 1). Ограниченный подвижностью носителей заряда частотный предел работы активных элементов, изготовленных из германия, выше частотного предела работы активных элементов, изготовленных из кремния. Однако последние могут эффективно работать при более высоких температурах (вплоть до 250 °С), чем германиевые элементы. Пластичность германия становится значительной только при 600—700 °С и при 800 °С он легко скручивается, изгибается, протягивается и прокатывается.

В 1985—1986 гг. &Резенде (Бразилия) проведены испытания первого каскада опытного завода, состоящего из 24 ступеней с радиусом отклоняющей канавки 100 мкм. Построены и испытаны в ФРГ разделительные ступени трех типоразмеров (CR-33, CR-100, CR-300) с компрессорами производительностью 33, 100 и 300 тыс. м3/ч соответственно. В качестве газа-разбавителя принят гелий. Разделительная мощность CR-300 с использованием разделительных элементов, изготовленных методом рентгеновской литографии и гальванопластики (LlGA-метод), составит 15—22 тыс. ЕРР/год, т. е. в 1,5—2 раза больше мощности самой крупной диффузионной ступени на заводе фирмы «Евродиф».

этих элементов, изготовленных при различных условиях плазменного осаждения' [ 75]. В работе содержится аналих различий к.п.д. элементов на подложках из листовой нержавеющей стали и полимерной пленке, связанной с морфологией поверхности слоев a-Si: Н. Показано, что солнечные элементы на основе a-Si: Н с к.п.д. 6,36 % могут быть получены на органической полимерной пленочной подложке при использовании микрокристаллического и-слоя вместо аморфного и-слоя в инвертированном p-i-n/ОИО-солнечном элементе [13].