Элементов электронной

Очень важная область применения стабилитронов — схемы защиты чувствительных k перегрузкам элементов электронных схем.

фазосдвигающей КС-цепи). Структурная схема генератора, приведенная на 12.2, содержит два четырехполюсника. Первый четырехполюсник представляет собой нелинейный элемент (НЭ), характеризующий нелинейные свойства усилителя, связанные с нелинейностью характеристик входящих в него усилительных элементов (электронных ламп, транзисторов). Второй четырехполюсник — линейная часть (ЛЧ) — включает в себя линейные элементы, содержащиеся как в схеме усилителя, так и в цепи обратной связи. Таким образом, комплексный коэффициент петлевого усиления

При введении обратной связи динамический диапазон работы усилителя D увеличивается. Нелинейность амплитудной характеристики обусловлена наличием в схеме нелинейных элементов электронных ламп, транзисторов, трансформаторов, дросселей и др.

Задачей синтеза в алгебре логики является построение логических схем по заданным логическим выражениям, а также уменьшение числа логических элементов электронных схем и установление их взаимосвязей.

Увеличение сложности и числа элементов электронных устройств приводит к возрастанию их массы, потребляемой мощности и стоимости. Поэтому применение функционально сложных элементов вместо обычных транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов и т. д. должно также решить проблемы существенного снижения размеров И МаССЫ всего устройства и его составных частей, потребляемой мощности и стоимости.

Нелинейные искажения возникают из-за нелинейности вольтамперных характеристик усилительных элементов (электронных ламп, транзисторов) и проявляются в искажении формы усиливаемого сигнала.

Какой параметр полезного сигнала искажается за счет нелинейности усилительных элементов (электронных ламп и транзисторов)? Частота сигнала 85

Основой ферромагнитных запоминающих элементов электронных вычислительных машин является тороидальный сердечник, выполненный из магнитных материалов, обладающих почти прямоугольной предельной (т. е. при очень больших ±Ятах) петлей гистерезиса В (Я).

1. Высокой надежностью и технологичностью, поскольку ИМС изготовляют на специализированных предприятиях на основе хорошо автоматизированной современной технологии. При создании аппаратуры на ИМС резко снижаются затраты труда на сборку и монтаж аппаратуры, уменьшается число паяных соединений, которые являются одним из наименее надежных элементов электронных узлов. Поэтому аппаратура на ИМС намного надежнее, чем аппаратура на дискретных элементах, меньше вероятность ошибок при монтаже. Только ИМС обеспечили высокую надежность, необходимую для создания систем управления космическими аппаратами и современных больших вычислительных систем.

Опасность самовозбуждения часто подстерегает разработчиков электронных устройств даже при правильно вы-брашшх цепях коррекции. Самовозбуждение может возникнуть за счет паразитных ОС, т. е. таких, которые не предусматриваются разработчиком. Эти связи могут возникнуть кз-зп наличия паразитных реактивных элементов в схеме, за счет применения недостаточно стабилизированного источника питания и т. п. Только создание систем автоматизированного проектирования (САПР) электронных устройств позволяет учесть множество основных и паразитных параметров элементов электронных узлов и надежно обеспечить при проектировании исключение самовозбуждения. В § 2.15 и в гл. 3 мы познакомимся с устройствами с ПОС, в которых самовозбуждение не является нежелательным, а, напротив, используется при создании многих важных электронных узлов.

Основные дестабилизирующие факторы. Во время работы любого автогенератора его частота не остается постоянной, изменяясь под влиянием ряда факторов, которые называют дестабилизирующими. Ими являются: изменение внешних условий работы генератора (температуры, влажности, механических воздействий), изменение нагрузки, флуктуации напряжений источников питания, шумы активных элементов (электронных ламп и транзисторов).

Современная микроэлектроника базируется на интеграции дискретных элементов электронной техники, при которой каждый элемент схемы формируется отдельно в полупроводниковом кристалле. При этом в основе создания ИМС лежит принцип элементной (технологической) интеграции, сопровождающейся микроминиатюризацией элементов (активных и пассивных) микросхемы. В ИМС можно выделить области, представляющие собой активные (диоды, транзисторы) и пассивные (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности) элементы. В интегральной микроэлектронике сохраняется главный принцип дискретной электроники, основанной на разработке электрической схемы по законам теории цепей. Этот принцип неизбежно связан с ростом числа элементов микросхемы и межэлементных соединений по мере усложнения выполняемых ею функций.

Несоответствие между размерами и высокой плотностью информации чертежа топологии БИС, с одной стороны, и разрешающей способностью дисплеев, с другой стороны, приводит к необходимости использования иерархического принципа представления данных о топологии БИС, согласно которому чертеж топологии рассматривается как многоуровневая информационная структура, нижний уровень которой соответствует сведениям о топологии элементов электронной схемы (транзисторов, диодов, их сборкам и т. д.), а верхний отображает топологию всей БИС.

Рассмотрим более подробно устройство и назначение отдельных элементов электронной пушки.

Рассмотрим более подробно устройство и назначение отдельных элементов электронной пушки.

Первой задачей микроэлектроники является создание максимально надежных электронных схем и устройств. Эта задача решается в основном путем использования качественно новых принципов изготовления электронной аппаратуры, т. е. путем отказа от использования дискретных элементов электронной аппаратуры и создания интегральных микросхем, в которых формирование активных элементов (транзисторов, диодов), пассивных элементов (резисторов, конденсаторов) и соединительных элементов электронной схемы происходит на поверхности или в объеме полупроводникового кристалла или на поверхности диэлектрической подложки в едином технологическом цикле. Минимальное количество внутрисхемных соединений дает возможность резко повысить надежность микроэлектронной аппаратуры. Именно этим преодолеваются сложные противоречия между возросшими требованиями к надежности электронной аппаратуры и ее стремительным усложнением.

В ЦИП находит применение ряд специальных узлов, выполняемых с применением элементов электронной техники. В настоящее время при производстве ЦИП широко применяются изделия микроэлектроники — интегральные схемы, представляющие собой очень компактные и надежные функциональные узлы.

Астигматизм — искажение формы пятна вследствие неравномерности фокусировки по вертикальной и горизонтальной осям. Причиной является неправильная юстировка элементов электронной пушки относительно отклоняющих пластин. Астигматизм можно «есмолько уменьшить путем раздельного регулирования среднего потенциала каждой пары отклоняющих пластин относительно „второго анода.

Компаунд К.М-9 применяется для заливки тонких элементов электронной аппаратуры, чувствительных к деформации (до —60° С). Компаунд отличается высокой адгезией, химической инертностью к металлам.

Книга состоит из восьми глав. В первой главе рассмотрены основные направления развития миниатюризации, микроминиатюризации элементов электронной аппаратуры и микроэлектроники, приведены классификация изделий микроэлектроники и их характеристика.

МИНИАТЮРИЗАЦИЯ И МИКРОМИНИАТЮРИЗАЦИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ

Миниатюризация дискретных элементов электронной аппаратуры, часто называемых радиодеталями, являлась и является важнейшей задачей в течение всего периода развития радиотехники и электроники. Радиодетали — резисторы, конденсаторы, лампы, трансформаторы, переключатели, разъемы — непрерывно уменьшаются по габаритам и массе за счет применения более рациональных конструкций и новых материалов. Особенно большие успехи в миниатюризации дискретных элементов электронной аппаратуры были достигнуты за последнее десятилетие в связи с заменой электронных ламп полупроводниковыми приборами и использованием печатного монтажа. Применение транзисторов и диодов, работающих в большинстве случаев щри значительно меньших иаиряже-ниях, чем радиолампы, и имеющих более высокий КПД, позволило существенно сократить габариты радиодеталей. Так, за последние 10 лет объем резисторов уменьшен в 50—75 раз, а удельный объем пленочных конденсаторов — в 60—70 раз; удельная емкость керамических конденсаторов увеличена в 250—300 раз, удельный з&ряд на единицу объема электролитических конденсаторов — в 4—5 раз; масса и габариты радиокомпонентов уменьшены в 2— 15 раз.