Элементарных преобразований

Атомы элементарных полупроводников (кремния, германия), обладающие четырьмя валентными электронами, образуют кристаллическую решетку со структурой типа алмаза, в которой каждый атом имеет по четыре ближайших соседних атома ( 1). Атомы кристаллической решетки связаны между собой ковалентной (гомеополярной) связью, при которой каждый валентный электрон принадлежит одновременно двум соседним атомам.

^масштабе применяют также для расчетов процессов жидкофазной •эпитаксии, в которых используются нестехиометрические расплавы полупроводниковых соединений или растворы их и элементарных полупроводников в металлах.

яиковое соединение ( 1.7,6), или кривые растворимости соединения в металлах ( 1.7, б). Для элементарных полупроводников используют диаграммы состояния полупроводник—примесь или линии ликвидус в координатах х—1/Т ( 1.7, г).

В производстве полупроводниковых материалов вещества особой чистоты применяют на основных операциях (синтез полупроводниковых соединений, легирование и др.). На подготовительных операциях, особенно при производстве полкристаллических элементарных полупроводников, используют вещества обычной чистоты. Класс таких веществ включает химические реактивы (кислоты, щелочи, соли, органические растворители и др.) марок; ч (чистое) с суммарным содержанием примесей от 2-Ю*"5 до 1,0 % (по массе); чда (чистое для анализа) —от Ы0~5 до 0,4% (по массе); хч (химически чистое)—от 5-10~8 да 0,5 % (по массе).

становления хлорсиланов и тетрахлорида германия, при получении поликристаллов и эпитаксиальных слоев этих полупроводников, в качестве несущего газа в процессах осаж дения эпитаксиальных слоев многих полупроводниковых соединений, а иногда и в качестве защитной среды при выращивании монокристаллов многих, чаще всего элементарных, полупроводников.

Для расчетов по уравнению (4.25), помимо заданного значения удельного электрического сопротивления, необходимо знать значения подвижности носителей заряда. Для их определения пользуются графиками типа, показанного на 4.15, а. Для элементарных полупроводников вместо

кретные условия проведения кристаллизационного процесса. Особенно необходим их учет при получении монокристаллов элементарных полупроводников, имеющих ярко выраженную скоростную зависимость эффективного коэффициента распределения. Однако она проявляется заметно только при скоростях >0,5 мм/мин, когда имеющий экспоненциальный характер график скоростной зависимости эффективного коэффициента распределения, построенный по уравнению (4.4), начинает резко изменять угол

Монокристаллическую лигатуру получают, разрезая сильно легированный монокристалл на пластины толщиной 1 — 3 мм. Затем измеряют электрические параметры каждой пластины. Монокристаллическую лигатуру, используемую в производстве элементарных полупроводников, готовят для определенных групп марок, например 0,1 — 1,0; 1 — 10; 10 — 100 Ом -см и т. д. Массу монокристалличе-

4.22. Расположение точек на торцах монокристаллов элементарных полупроводников, в которых измеряют р для оценки его разброса «по торцу» и «по длине»

Программирование кристаллизационного процесса чаще всего применяют для получения однородно легированных по длине монокристаллов элементарных полупроводников методами Чохральского, горизонтальной направленной кристаллизации и зонной плавки. Условие получения равномерно легированного кристалла выражается в этом случае как

сильно влияют на свойства монокристаллов полупроводников. К их числу относятся в первую очередь кислород (для всех полупроводников), углерод (для элементарных полупроводников) и кремний (для полупроводниковых соединений).

о знаках и особых значениях операндов, их отдельных разрядов, особых значениях промежуточных и конечных результатов операции (например, равенство нулю результата операции и др.). Процесс функционирования во времени устройства обработки цифровой информации состоит из последовательности тактовых интервалов, в которых операционный блок производит определенные элементарные операции преобразования слов. .Операционный блок выполняет некоторый набор элементарных преобразований информации, например таких, как передача слова из одного в другой, взятие обратного кода, сдвиг и др. Выполнение этих элементарных операций инициируется поступлением в операционный блок соответствующих управляющих сигналов из некоторого множества сигналов

Подставив сюда выражения (7.61) и (7.62), после элементарных преобразований получим дифференциальное уравнение относительно напряжения HI'.

после элементарных преобразований из (8.30) получаем следующее трансцендентное уравнение

Задача решается путем многократного повторения двух элементарных преобразований: свертки последовательного и параллельного соединения двух резисторов.

После элементарных преобразований, воспользовавшись обозначениями (IV.4), получим

после элементарных преобразований получим формулу для поверхностной плотности ЭМС, приложенной к элементу границы между средами а и Ь:

дг После элементарных преобразований представим (4.39) в виде

Откуда после элементарных преобразований можно получить второй член см. (6.25) в векторной форме:

После элементарных преобразований [32, форм. 48] записывается в следующем виде:

Две матрицы называются эквивалентными, если от одной из них можно перейти к другой путем конечного числа элементарных преобразований. Эквивалентность матриц обозначается знаком ^.

Выполнение элементарных преобразований над столбцами ступенчатой матрицы позволяет привести последнюю к каноническому виду, т. е. представить в виде матрицы, у которой в начале главной диагонали стоят подряд несколько единиц, а все остальные элементы равны нулю [Л. 4].