Электровакуумных газоразрядныхКоэффициент газового усиления электровакуумных фотоэлементов достигает 6—10, интегральная чувствительность составляет 100—300 мкА/лм.
Обозначения электровакуумных фотоэлементов состоят из трех элементов.
Примеры обозначений электровакуумных фотоэлементов и фотоэлектронных умножителей: СЦВ-3 — вакуумный фотоэлемент с сурьмяно-цезиевым катодом, номер разработки 3; ЦГ-4 — газоразрядный фотоэлемент с кислородно-цезиевым катодом, номер разработки 4; ФЭУ-19 — фотоэлектронный умножитель, номер разработки 19.
а — внешний вид и условное обозначение электровакуумного фотоэлемента; б — вольт-амперные характеристики электровакуумного фотоэлемента; в — вольт-амперные характеристики газонаполненного фотоэлемента; г — световая характеристика электровакуумного фотоэлемента; д — спектральные характеристики электровакуумных фотоэлементов
Световая характеристика /ф = / (F) при Ua = const ( 4.2, г) электровакуумного фотоэлемента прямолинейна, так как число электронов, эмиттируемых фотокатодом, пропорционально освещенности фотоэлемента *. Линейная световая характеристика сурьмяно-цезие-вых и серебряно-цезиевых электровакуумных фотоэлементов дает возможность применять их для звукового кино, где запись звука основана на принципе изменения светового потока, проходящего через звуковую дорожку киноленты. Темновой ток фотоэлементов с внешним фотоэффектом объясняется термоэлектронной эмиссией фотокатода, существующей даже при комнатной температуре, а также током утечки фотоэлемента и током электростатической эмиссии. Темновой ток электровакуумных фотоэлементов не превышает обычно десятых долей микроампера.
Спектральные характеристики ( 4.2, д) электровакуумных фотоэлементов лежат обычно в пределах видимого спектра. Характеристика (кривая 1) кислородно-цезиевого фотоэлемента имеет два максимума чувствительности: один в области ультрафиолетового излучения, другой — в области инфракрасного излучения. Это объясняется тем, что при низких частотах, соответствующих инфракрасной области спектра, фотокатодом является монокристаллический слой цезия, расположенный у поверхности катода, а при более высоких частотах, соответствующих максимуму ультрафиолетового излучения, лучистая энергия проникает глубже в толщу фотокатода. В этом случае фотоэлектронная эмиссия начинается из слоя окиси цезия, в котором имеются вкрапленные частицы цезия и серебра. Характеристика (кривая 2) сурьмяно-цезиевого фотоэлемента имеет максимум чувствительности в области синего и зеленого цветов (около 0,45 -г- 0,5 ммкм).
Разновидностью электровакуумных фотоэлементов с внешним фотоэффектом является фотоэлектронный умножитель. Фотоэлектронные умножители были разработаны советским инженером Л. А. Ку-бецким в 1934 г. Фотоэлектронным умножителем называют фотоэле-
15.7. Общий вид электровакуумных фотоэлементов.
Недостатком электровакуумных фотоэлементов является их низкая интегральная чувствительность и значительные габариты.
Разновидностью электровакуумных фотоэлементов являются фотоэлектронные умножители — комбинированные фотоэлементы, использующие первичную фотоэлектронную и вторичную электронную эмиссии. При этом вторичная электронная эмиссия вызывается бомбардировкой потоком первичных электронов вторичных катодов, находящихся под более высокими потенциалами. Общий коэффициент усиления может достигать сотен тысяч и даже нескольких миллионов.
Устройство электровакуумных фотоэлементов показано на 6-1. Фотокатоаом служит тонкий слой светочувствительного вещества, нанесен-
11.3. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ ОБ ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ГАЗОРАЗРЯДНЫХ ПРИБОРАХ
1 .3. Общие сведения об электровакуумных газоразрядных приборах ... 99
11.3. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ ОБ ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ГАЗОРАЗРЯДНЫХ ПРИБОРАХ
11.3. Общие сведения об электровакуумных газоразрядных приборах . 333
11.3. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ ОБ ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ГАЗОРАЗРЯДНЫХ ПРИБОРАХ
11.3. Общие сведения об электровакуумных газоразрядных приборах ... 99
Промышленная электроника - это прикладная область знаний, охватывающая теорию и практику использования электровакуумных, газоразрядных и полупроводниковых приборов, а также микроэлектронных устройств в сфере производства. Это определение учитывает исторически сложившиеся закономерности внедрения в различные отрасли народного хозяйства электронных приборов, узлов и устройств, от простейших электронных регуляторов и управляемых выпрямителей до систем управления и научных комплексов, насчитывающих тысячи и десятки тысяч элементов.
Промышленная электроника — раздел технической электроники, охватывающий разработку и применение в промышленности электровакуумных, газоразрядных и полупроводниковых приборов и устройств. В промышленной электронике различают три класса устройств и систем:
В книге изложены физические основы электровакуумных, газоразрядных и полупроводниковых приборов, рассмотрены методы преобразования, усиления и генерирования электрических сигналов, логические устройства и вопросы микроминиатюризации радиоэлектронной аппаратуры. В данном издании (1-е — в 1976 г.) обновлен материал с учетом современной элементной базы; включены новые главы: «Электровакуумные приборы», «Полупроводниковые приборы», «Микроэлектронные схемы» и др.
В книге описаны физические процессы, происходящие в электровакуумных, газоразрядных и полупроводниковых приборах, а также в различных радиотехнических схемах, выполненных на их основе. Приведены формулы для расчета параметров схем усилителей, генераторов, мультивибраторов и др. Рассмотрены основы радиосвязи, телевидения, радиолокации, вычислительной техники, записи и воспроизведения звука.
Электроника изучает взаимодействие электронов и электромагнитных полей, являющееся физической основой работы электровакуумных, газоразрядных и полупроводниковых приборов, интегральных микросхем.
Описанная технология изготовления и сварки монокри-сталльных молибденовых труб применима не только для ядерных ТЭП, но и для изготовления особо ответственных деталей электровакуумных газоразрядных приборов, гироскопов, деталей газотурбинных двигателей и т. п.
Похожие определения: Элементов автоматики Элементов интегральной Элементов измерительной Элементов механизма Элементов необходимо Элементов определяются Элементов поверхности
|