Электронов увеличивается

При дальнейшем увеличении внешнего постоянного напряжения, приложенного к кристаллу, происходит возбуждение электронов и их переход в верхнюю зону. В этой зоне подвижность электронов уменьшается, а следовательно, уменьшается ток, протекающий через кристалл. При дальнейшем росте напряжения ток будет уменьшаться, что соответствует появлению на вольт-амперной

электронов уменьшается по мере образования потенциального барьера. После появления электрического поля барьера переход электронов из области п в область р становится возможным только для небольшой части электронов, вблизи потенциального барьера, обладающих высокой энергией.

ля. Он заключается в том, что с ростом напряжения t/си и продольной составляющей вектора напряженности электрического поля ?„ подвижность электронов уменьшается, а их дрейфовая скорость увеличивается непропорционально ?„, стремясь к постоянной величине — скорости насыщения унас. Это замедляет рост тока при увеличении напряжения.

С увеличением частоты столкновений vea = 1/тео (с повышением давления газа) избыточная температура электронов уменьшается. На 5.5 приведены данные о температуре электронов и атомов плазмы ствола дуги в зависимости от давления. При р < 2 • 1 03 Па по мере уменьшения давления превышение температуры электронов значительно увеличивается. При р> 2 • 10s Па с увеличением давления температуры Т 'е и Та практически выравниваются. Признаком неизотермич-ности или изотермичности плазмы определяется понятие соответственно дуг низкого и высокого давления.

Практика показывает, что при длительной бомбардировке экрана интенсивным потоком электронов уменьшается его светоотдача. В некоторых пределах этот процесс обратим, поскольку через определенное время после прекращения бомбардировки экрана он может полностью восстановить свои первоначальные свойства. Это явление называется «утомлением» экрана. Если

весных электронов уменьшается в е раз. Аналогичный вывод можно получить и для дырок, решая уравнение (9-20).

С 'повышением давления газа средняя длина свободного пробега электронов уменьшается, вследствие этого уменьшается и ширина темного катодного пространства. Экспериментально найдено, что между шириной темного катодного пространства D' и давлением газа р существует соотношение (при прочих постоянных условиях) :

течет, уровень Ферми постоянен. Повышение потенциала у поверхности соответствует изгибу энергетических зон вниз: энергия дырок здесь увеличивается, а энергия электронов уменьшается. Возрастание ЕФ—ЕВ согласно (1.1) приводит к падению концентрации дырок и росту концентрации электронов

С ростом напряженности электрического поля проводимость полупроводника изменяется. В слабых электрических полях концентрация носителей заряда не зависит от напряженности поля Е, а зависимость тока через полупроводник от напряженности электрического поля подчиняется закону Ома. На 2.9 этому случаю соответствует участок ОА зависимости i — f (E). Начиная с некоторого значения напряженности EI, нарастание z с ростом Е сначала замедляется, а при Е = Екр полностью прекращается (участок АВ на 2.9). При дальнейшем увеличении Е (участок ВС) энергии поля еще недостаточно для увеличения концентрации носителей заряда; при этом подвижность электронов ^ уменьшается (вследствие увеличения числа столкновений с атомами кристаллической решетки) и определяется выражением

Практика показывает, что при длительной бомбардировке экрана интенсивным потоком электронов уменьшается его светоотдача. В некоторых пределах этот процесс обратим, поскольку через определенное время после прекращения бомбардировки экрана он может полностью восстановить свои первоначальные свойства. Это явление называется «утомлением» экрана. Если

весных электронов уменьшается в е раз. Аналогичный вывод можно получить и для дырок, решая уравнение (9-20).

электронной эмиссии. Поток электронов, освобождаемых под действием света фотока.эдом Кат., электрическим, как на 11.12 (или магнитным), полем направляется последовательно на ряд дино-дов - вспомогательных электродов. После каждого динода поток электронов увеличивается, так как добавляются вторичные электроны динода, освобождаемые ударами электронного потока. Таким образом, вследствие многократной вторичной эмиссии поток электронов у анода А оказывается во много раз больше потока фотоэлектронной эмиссии катода. Благодаря такому внутреннему усилению чувствительность фотоэлектронных умножителей чрезвычайно высока и достигает 1-10 А/лм. Однако не следует думать, что фотоэлектронные умножители рассчитаны на большие анодные токи -эти токи не превышают 10-15 мА. Их главная область применения -измерение силы света при очень малых освещенностях.

Поведение электрона в реальном полупроводнике отличается тем, что на него влияют тепловые колебания кристаллической решетки и ионизированные атомы примесей. Вследствие этого при приложении электрического поля происходит дрейфовое движение электронов, которое представляет собой суммарное перемещение под действием электрического поля и хаотического теплового движения. При повышении температуры тепловые колебания решетки возрастают и рассеивание электронов увеличивается,, что приводит к уменьшению подвижности электронов. *

электронной эмиссии. Поток электронов, освобождаемых под действием света фотока. адом Кат., электрическим, как на 11.12 (или магнитным), полем направляется последовательно на ряд дино-дов — вспомогательных электродов. После каждого динода поток электронов увеличивается, так как добавляются вторичные электроны динода, освобождаемые ударами электронного потока. Таким образом, вследствие многократной вторичной эмиссии поток электронов у анода А оказывается во много раз больше потока фотоэлектронной эмиссии катода. Благодаря такому внутреннему усилению чувствительность фотоэлектронных умножителей чрезвычайно высока и достигает 1-10 А/лм. Однако не следует думать, что фотоэлектронные умножители рассчитаны на большие анодные токи -эти токи не превышают 10-15 мА. Их главная область применения -измерение силы света при очень малых освещенностях.

электронной эмиссии. Поток электронов, освобождаемых под действием света фотока.адом Кат., электрическим, как на 11.12 (или магнитным), полем направляется последовательно на ряд дино-дов — вспомогательных электродов. После каждого динода поток электронов увеличивается, так как добавляются вторичные электроны динода, освобождаемые ударами электронного потока. Таким образом, вследствие многократной вторичной эмиссии поток электронов у анода А оказывается во много раз больше потока фотоэлектронной эмиссии катода. Благодаря такому внутреннему усилению чувствительность фотоэлектронных умножителей чрезвычайно высока и достигает 1-10 А/лм. Однако не следует думать, что фотоэлектронные умножители рассчитаны на большие анодные токи — эти токи не превышают 10-15 мА. Их главная область применения -измерение силы света при очень малых освещенностях.

Внутренний фотоэффект наблюдается в полупроводниках и диэлектриках. В них под действием излучения происходит возбуждение электронов. Переход электронов на более высокий энергетический уровень приводит к изменению концентрации свободных носителей заряда и, следовательно, электрических свойств вещества. При воздействии лучистой энергии на полупроводник у части валентных электронов увеличивается энергия настолько, что они преодолевают запрещенную зону и переходят в зону проводимости.

Увеличивается длина свободно, го пробега электронов

Увеличивается длина свободно* го пробега электронов

Термоэлектронной эмиссией называют явление испускания электронов нагретым металлом (катодом). При нагревании катода скорости хаотического движения электронов увеличиваются, что приводит к возрастанию их кинетической энергии. В результате число электронов, выходящих из металла, увеличивается. Эти электрэны скапливаются около катода за счет притягивающего действия положительных ионов металла. Таким образом, вокруг катода образуется электронное облако, внутри которого электроны перемещаются в различных направлениях. При этом определенная часть их возвращается обратно на катод. С увеличением числа вышедших электронов плотность облака растет и дальнейший выход их затрудняется, а число возвращающихся на катод электронов увеличивается до тех пор, пока не наступит динамическое равновесие: число вышедших электронов окажется равным числу возвратившихся.

Увеличивается длина свободного пробега электронов

При нормальной температуре выхода электронов из катода почти не наблюдается, так как число электронов, у которых запас кинетической энергии достаточен для совершения работы выхода, очень мало. При нагревании катода скорость свободных электронов увеличивается и число свободных электронов, покидающих катод, возрастает. Особенно активно выбрасываются свободные электроны из раскаленного катода.

Сущность эффекта Том о она заключается в переносе теплоты с одной стороны контакта на другую носителями электрического тока, в результате чего одна сторона контакта нагревается больше другой. Эффект Пельтье возникает при прохождении тока через место контактирования проводников из двух разнородных металлов. Он объясняется наличием контактной разности потенциалов. Если электрическое поле, создаваемое в спае контактной разностью потенциалов, ускоряет электроны, то в спае выделяется теплота Пельгье; если поле задерживает движение электронов, то теплота поглощается. Эффект Колера является результатом туннельного сопротивления, присущего пленкам на поверхности соприкасающихся контактов. Кинетическая энергия прошедших через пленку туннельных электронов увеличивается, когда они достигают анода, имеющего меньший отрицательный потенциал, чем катод. Избыток энергии преобразуется в виде теплоты. В результате анодная сторона на пленке нагревается сильнее.