Электронов покидающих

Плотность электронного диффузионного тока пропорциональна градиенту концентрации: jno = "qDn (dn/dx), где Dn — коэффициент диффузии электронов; dn/dx — градиент концентрации электронов.

верхности которого под действием световой энергии происходит выбивание фотоэлектронов. Поток фотоэлектронов устремляется к аноду 4, на который подано ускоряющее напряжение. В плоскости анода образуется так называемое электронное изображение 6, представляющее поток электронов, плотность которого в различных точках сечения пропорциональна яркости соответствующей точки объекта. В центре анода имеется отверстие 7 размером в элемент разложения. Под действием отклоняющих катушек 2 электронное изображение перемещается относительно этого отверстия в вертикальном и горизонтальном направлениях с частотой строк и полей. Таким образом, в развертывающее отверстие 7 поочередно попадают фотоэлектроны со всех участков проецируемого на ФК изображения, чем и обеспечивается его разложение. Правильность (неискаженность) переноса электронного изображения с плоскости фотокатода в плоскость анода поддерживается с помощью длинной фокусирующей катушки 3.

Прошедший через отверстие поток фотоэлектронов попадает на ФЭУ 5, с нагрузочного сопротивления которого R снимается выходной сигнал. Величина сигнала в каждый момент времени определяется плотностью электронного потока в том его месте, которое в данный момент времени находится против отверстия 7. Следовательно, из всего светового потока, падающего на ФК трубки, используется только 1/N часть его, где N — число элементов разложения. В связи с этим для получения изображения удовлетворительного качества требуется большая освещенность ФК и соответственно объекта передачи.

При нагревании тела (используемого как излучатель электронов и называемого в электронной технике катодом или э м и т т е р о ы) увеличивается скорость движения электронов проводимости, возрастает их кинетическая энергия и все большее их число покидает катод. Вблизи поверхности катода возникает своеобразное электронное облако вылетающих из катода и возвращающихся в него электронов, плотность которого прямо пропорциональна температуре катода и почти обратно пропорциональна работе выхода:

где С4 — коэффициент пропорциональности; Е — энергия процесса электромиграции; Т — абсолютная температура; т — среднее время свободного пробега электрона; 0 — сечение рассеяния электронов; / — плотность тока в проводнике.

Термоэлектронной эмиссией называют явление испускания электронов нагретым металлом (катодом). При нагревании катода скорости хаотического движения электронов увеличиваются, что приводит к возрастанию их кинетической энергии. В результате число электронов, выходящих из металла, увеличивается. Эти электрэны скапливаются около катода за счет притягивающего действия положительных ионов металла. Таким образом, вокруг катода образуется электронное облако, внутри которого электроны перемещаются в различных направлениях. При этом определенная часть их возвращается обратно на катод. С увеличением числа вышедших электронов плотность облака растет и дальнейший выход их затрудняется, а число возвращающихся на катод электронов увеличивается до тех пор, пока не наступит динамическое равновесие: число вышедших электронов окажется равным числу возвратившихся.

Термоэлектронной называют эмиссию электронов под действием тепловой энергии, сообщаемой катоду. Чем выше температура катода, тем больше эмиссионный поток электронов. Плотность эмиссионного потока при заданной температуре катода зависит от его материала и состояния поверхности.

Вакуумные люминесцентные индикаторы. В отличие от ЭЛП в вакуумных люминесцентных индикаторах (ВЛИ) используют низковольтную катодолюминесценцию, вызываемую электронным потоком. Низковольтная катодолюми-несценция возникает в люминофорах на проводящей основе (ZnO : Zn, ZnS : Cl, SnO2: Eu), смешанных люминофорах (ZnS : Ag+In2O3) и некоторых других. Теоретически яркость низковольтной катодолюминесценции может достигать 1600 кд/м2 при плотности тока 1 мА/см2, энергии электронов 20 эВ и энергетическом КПД 25—30 %. При малой энергии электронов, бомбардирующих люминофор, свет излучается из поверхностного слоя толщиной в несколько атомных слоев. Из-за малой глубины проникновения первичных электронов плотность возбужденных атомов в поверхностных слоях люминофора велика, что приводит к насыщению яркости при некоторой плотности тока, перегреву люминофора и температурному гашению люминесценции.

Прежде чем записать эти уравнения, отметим, что при температурах выше критической электронная жидкость в проводнике обладает и нормальными и сверхпроводящими свойствами. В соответствии с этим плотность тока обусловлена и нормальными (индекс н) и сверхпроводящими (индекс с) свойствами электронов.

Из табл. 8-4 видно, что с увеличением суммарного атомного номера компонентов в пределах каждой из групп соединений происходит уменьшение твердости вещества. С уменьшением ширины запрещенной зоны в пределах каждой группы соединений наблюдается закономерный рост подвижности носителей зарядов, более ярко выраженный для электронов, чем для дырок. Абсолютное значение подвижности электронов для большинства соединений существенно превышает подвижность дырок. Исключение представляет только антимонид алюминия, у которого подвижность дырок почти в три раза превышает подвижность электронов. Плотность веществ по мере увеличения «металличности» соединений возрастает.

При нормальной температуре выхода электронов из катода почти не наблюдается, так как число электронов, у которых запас кинетической энергии достаточен для совершения работы выхода, очень мало. При нагревании катода скорость свободных электронов увеличивается и число свободных электронов, покидающих катод, возрастает. Особенно активно выбрасываются свободные электроны из раскаленного катода.

Наряду с дрейфом стремятся также ограничить по возможности и шумы. Их появление обусловлено главным образом: 1) дискретным характером процессов эмиссии электронов из катода. Здесь имеет место так называемый дробовой эффект, выражающийся в том, что число электронов, покидающих катод, подвержено статистическим флюктуациям по месту и времени; 2) дискретным характером процессов ионизации атомов газа в катодной части разряда. При наличии в приборе, кроме катодной, еще и анодной части имеют место также флюктуации, обусловленные нестабильностью электрокинетических процессов у анода. Чтобы не увеличить шумы из-за анодной части разряда, стремятся в стабилитронах ограничиться только катодной частью разряда.

сования значения потока электронов, покидающих плазму в процессе их хаотически направленного движения в направлении к аноду и тем значениям потока, которые должен принять анод в анодную цепь.

порождается тем, что плотность электронного потока в отверстии должна повыситься против плотности потока в свободном сечении дуги, так как направленный ток по всей длине дуги остается неизменным. Повышению плотности электронного потока предшествует появление положительного объемного заряда у входа в отверстие. Этот заряд возникает в переходном режиме в связи с тем, что вначале число электронов, покидающих отверстие, превышает число их, входящих в отверстие из плазмы.

Наряду с полезной эмиссией электронов с поверхности катода происходит обратная эмиссия электронов с поверхности анода, которая приводит к появлению вблизи катода пространственного заряда, препятствующего перемещению электронов от катода к аноду. Большая часть электронов, покидающих катод, возвращается обратно, так и не достигнув анода из-за отрицательного заряда.

Скорость электронов, покидающих катод, можно увеличить с помощью ускоряющего электрода, на который подается высокий положительный потенциал.

П-роцесс выхода электронов из тела называют электронной эмиссией. В зависимости от вида сообщаемой телу дополнительной энергии различают термоэлектронную, фотоэлектронную, вторичную электронную и электростатическую электронную эмиссию. Число электронов, покидающих тело, их скорость в вакууме зависят от количества полученной энергии, а также от физических

Величина анодного тока, определяемая числом электронов, достигающих анода, зависит как от тока эмиссии /е, так и от анодного напряжения С/а. При увеличении тока эмиссии возрастает число электронов, покидающих катод и участвующих в движении к аноду, а следовательно, увеличивается и анодный ток. Анодное напряжение также влияет на число электронов, достигающих анода. При малых положительных анодных напряжениях не все электроны попадают на анод; электроны с малыми начальными скоростями возвращаются обратно на катод. Рассмотрим эти явления более подробно.

П-роцесс выхода электронов из тела называют электронной эмиссией. В зависимости от вида сообщаемой телу дополнительной энергии различают термоэлектронную, фотоэлектронную, вторичную электронную и электростатическую электронную эмиссию. Число электронов, покидающих тело, их скорость в вакууме зависят от количества полученной энергии, а также от физических

Величина анодного тока, определяемая числом электронов, достигающих анода, зависит как от тока эмиссии /е, так и от анодного напряжения С/а. При увеличении тока эмиссии возрастает число электронов, покидающих катод и участвующих в движении к аноду, а следовательно, увеличивается и анодный ток. Анодное напряжение также влияет на число электронов, достигающих анода. При малых положительных анодных напряжениях не все электроны попадают на анод; электроны с малыми начальными скоростями возвращаются обратно на катод. Рассмотрим эти явления более подробно.

Прохождение электронов воспроизводящего прожектора сквозь сетчатую мишень определяется потенциалами металлической подложки мишени и поверхности диэлектрика. Если перед циклом записи напряжение на сетке имеет определенный отрицательный потенциал — электроны считывающего пучка не достигают люминесцирующего экрана и он не светится. При записи электроны сфокусированного записывающего пучка подходят к мишени с энергией 1000 ... 3000 эВ. При такой большой энергии количество вторичных электронов, покидающих мишень, значительно больше первичных, и потенциал облученных участков диэлектрика повышается. В этих местах воспроизводящий пучок начинает проходить на экран и вызывает его свечение. На эк-