Электронов достигающих

Под действием электрического поля эти частицы (преимущественно электроны) приобретают скорость и сталкиваются с нейтральными атомами и молекулами диэлектрика. При увеличении напряженности поля скорость электронов достигает величины, до-

Диод работает при условии (/а>0,С/н>0. В этом случае электрическое поле в промежутке анод-катод обусловлено объемным зарядом и анодным напряжением (внешнее поле) . Под действием результирующего поля часть электронов достигает анода, и в цепи протекает электрический ток, называемый анодным / _.

где р — коэффициент переноса электронов через базу, показывающий, какая часть инжектированных электронов достигает коллекторного перехода; у — коэффициент инжекции электронов из эмиттера в базу. •

Инжектированные через эмиттерный переход электроны проникают вглубь базы, для которой они являются неосновными носителями. В базе происходит частичная рекомбинация электронов с дырками. Однако если база тонкая, то преобладающая часть электронов достигает коллекторного перехода, не успев рекомби-нировать. При этом электроны попадают в ускоряющее поле коллекторного перехода. В результате экстрации электроны быстро втягиваются из базы в коллектор и участвуют в создании тока коллектора.

Для оценки влияния рекомбинации носителей заряда в базе на свойства БТ в активном режиме используют коэффициент переноса носителей в базе vn. Этот коэффициент показывает, какая часть инжектированных эмиттеров электронов достигает коллек-

Электрический пробой р-п перехода обусловлен лавинным размножением носителей заряда или тоннельным эффектом. При этом скорость электронов достигает скорости ионизации Vu,= \inE, где цга — подвижность электронов; Е — напряженность электрического поля, см. (3.1) и (3.2).

Слабонеоднородными называют поля разрядных промежутков в том случае, если при начальном напряжении самостоятельного разряда на всей длине промежутка вдоль линии максимальной напряженности а — т) е ^ 0. В этом случае возникшая с поверхности катода лавина электронов достигает анода. Если при начальном напряжении самостоятельного разряда на какой-либо части разрядного промежутка вдоль линии максимальной напряженности а — т]е<; 0, то ионизационные процессы вблизи катода и анода развиваются изолированно. Поля таких промежутков относят к сильнонеоднородным.

В слое 2 энергия электронов достигает и превосходит минимальные уровни возбуждения. Поэтому здесь имеют место процессы возбуждения атомов с последующим их высвечиванием при нормализации. Этот слой называют первым катодным свечением.

Если в полупроводниковом фоточувствительном слое есть примеси, являющиеся ловушками захвата для неосновных носителей заряда (сенсибилизирующие или очувствляющие примеси), то захват неосновных носителей этими ловушками может существенно (на несколько порядков) увеличить эффективное время жизни неравновесных основных носителей. В этом случае время жизни может значительно превышать время пролета носителей между электродами. Когда один из электронов достигает положительного электрода, другой электрон входит в полупроводниковый слой из отрицательного электрода для сохранения электрической нейтральности объема полупроводника, в котором осталась нескомпенсированная положительно заряженная ловушка захвата. Таким образом, поглощение одного фотона может служить причиной прохождения через фоторезистор многих электронов.

При наличии тока эмиттера через ОПЗ коллекторного перехода протекают электроны, инжектированные эмиттером. Рассмотрим случай задания на коллекторе достаточно большого обратного напряжения UK, при котором напряженность электрического поля в большой части ОПЗ превышает значение 10" В/см, и скорость дрейфа электронов достигает насыщения (в кремнии os/I = 107 см/с). Плотность тока коллектора при этом Jn=qvsnn, в результате чего кон-

Сурьмянистый индий. Полупроводник этого типа получают сплавлением компонентов, после чего сплав подвергают зонной плавке для удаления посторонних примесей. Монокристаллы получают вытягиванием из расплава. Температура плавления Тпл = 523° С, энергия запрещенной зоны невелика, W0 — О,18 зв. Основная акцепторная-при-месь — цинк,-донорная — теллур. Энергия активации доноров порядка 1СГ3 эв. Подвижность электронов достигает огромной величины

Промышленностью выпускается множество различных типов фотоэлектронных умножителей. Наибольшее распространение получили фотоэлектронные умножители с электростатическим управлением и фокусировкой потоков электронов. Устройство фотоэлектронного умножителя такого типа показано на 4.24. Между фотокатодом К. и первым динодом Д^ часто располагают систему электродов, образующих электростатические линзы, которая называется входной камерой ФЭУ. Входная камера предназначена для фокусировки и ускорения электронов, эмиттируемых фотокатодом и направляемых на первый динод. Качество входной камеры характеризуется коэффициентом сбора электронов VK, равным отношению количества электронов, достигающих первого динода, к количеству электронов, эмиттируемых фотокатодом. Анод А изготов-

По мере увеличения анодного напряжения число электронов, достигающих анода, растет и при [/а > С/а н ток анода равен току эмиссии катода (режим насыщения) . Участок насыщения наиболее ярко выражен у диодов с металлическими катодами и менее выражен у диодов с металл опленочными и полупроводниковыми катодами. Это объясняется влиянием электрического поля анода на эмиссию катода (эффект Шотки) . Диоды могут работать как в режиме объемного заряда, так и в режиме насыщения.

водимости металлов, а падение напряжения в плазме не превышает 0,2 •*• 0,5 в на 1 см длины участка, заполненного плазмой. В связи с этим основное падение напряжения происходит вблизи катода ( 2.10, б), так как энергия электрического поля затрачивается на то, чтобы «разогнать» электроны до скоростей, достаточных для ионизации газа. На участке, заполненном плазмой, падение напряжения весьма незначительно. На участке у анода падение напряжения может быть положительным (кривая /), равным нулю (кривая 2) или отрицательным (кривая 3). Полное падение напряжения на участке катод — анод газотрона составляет обычно 10 -4- 15 в, что соответствует рабочему участку ВС характеристики (см. 2.10, а). Точка С вольт-амперной характеристики соответствует току эмиссии газотрона, при котором число электронов, излучаемых в единицу времени катодом, равно числу электронов, достигающих поверхности анода. Пространственный заряд вблизи катода при анодном токе, равном току эмиссии, полностью рассасывается. Это приводит к тому, что положительные ионы, не встречая на своем пути по направлению к катоду пространственного заряда, начинают ударяться о поверхность катода и вызывают электронную эмиссию с его поверхности. Этим объясняется увеличение тока на участке CD. Однако под действием ионной бомбардировки катод быстро разрушается, поэтому работа газотрона при токах, превышающих ток эмиссии катода, недопустима. Повышение падения напряжения на участке CD связано с тем, что электронная эмиссия возможна в результате бомбардировки катода положительными ионами, летящими с достаточной скоростью, а для разгона ионов требуется более сильное электрическое поле.

С ростом анодного напряжения возрастает число электронов, достигающих анода, и положительных ионов, достигающих катода. При некотором значении анодного напряжения рост анодного тока прекращается и наступает резким насыщения. Появление тока насыщения объясняется тем, что число заряженных частиц, имеющихся в газе за сче~ действия внешних ионизаторов, равно числу частиц, достигающих анода и катода за тот же промежуток времени. Ток насыщения можно увеличить только путем увеличения интенсивности внешних ионизаторов.

37. Неверно. Какой бы ни была ампл ггуда тока, температура катода прямого накала будет пульсировать. 38. Неверно. Разве поле анода не влияет на анодный ток лампы? 39. Неверно. Прочитайте внимательней материал. 40. Неверно. Вспомните, какой вид имеет характеристика линейного элемента, и сравните ее с характеристикой диода (см. 14.8, б). 41. Неточно: и\ гораздо больше t.'2. 42. Неверно. Вспомните определение однородного поля. 43. Неверно. Как раз наоборот: такое изменение обоих факторов приводит к затруднению эмиссии. 44. Неверно. 45. Прасильно. 46. Неверно. Это вредное следствие. 47. Неверно. Скорос"ь электронов, достигающих анод, практически не меняется, изменяется их количество в потоке. 48. Неверно. Вспомните правило левой руки для определения направления силы Лоренца. 49. Неверно. Линей 1ым называется такой элемент, сопротивление которого не зависит ни от напряжения, ни от тока. 50. Не только. Катоды косвенного накала тем более. 51. Неверно. 52. Неверно, так как вы определяли К: в пределах нерабочей части характеристики. 53. Правильно. 54. Неверно. При таком соотношении вторичные электроны могут попадать на экранирующую сетку. 55. Важное, но не определяющее достоинство. 56. Правильно, так как эта характеристика снимается при неизменном анодном напряжении. 57. Неверно. Вспомните строение полупроводников. 58. Прочтите консультацию № 48. 59. Это" способ не рационален, так как при работе усилителя в динамическом режиме анодное напряжение может стать меньше, чем нагряхение на экранирующей сетке. 60. Правильно. 61. Неверно. Это тар 1бола, так как случай аналогичен движению камня в поле земного тяготения с горизонтальной начальной скоростью. 62. Неверно. При таком токе температура катода будет пульсировать. 63. Неверно. Наоборот. 64. Неверно. 65. Неверно. Прямое сопротивление близко к нулю, а обратное — к бесконечности. 66. Неверно. Вы забыли, ч го в электротехнике пользуются условным направлением тока. 67. Неверно, так как это не рабочий участок характеристики. 68. Правильно. 69. Неверно. Так как в отрицательные нолупериоды входного напряжения лампа будет запи-

2-57. Если фс = 0, то количество электронов, достигающих в единицу времени анода, будет практически тем же, что и при отсутствии сетки. При фс положительном пространственный заряд становится меньше, а анодный ток больше. При фс отрицательном пространственный заряд увеличивается, а анодный ток уменьшается. При некотором значении отрицательного ф„ анодный ток прекращается («запирающий» потенциал).

и отрицательным. При отрицательном потенциале сетки ее поле тормозит электроны, вылетающие из катода, уменьшая количество электронов, достигающих анода. Влияние сеточного напряжения на объемный заряд в промежутке катод — сетка значительно сильнее, чем влияние анодного напряжения. Это дает возможность эффективно управлять анодным током путем небольших изменений напряжения на сетке.

Величина анодного тока, определяемая числом электронов, достигающих анода, зависит как от тока эмиссии /е, так и от анодного напряжения С/а. При увеличении тока эмиссии возрастает число электронов, покидающих катод и участвующих в движении к аноду, а следовательно, увеличивается и анодный ток. Анодное напряжение также влияет на число электронов, достигающих анода. При малых положительных анодных напряжениях не все электроны попадают на анод; электроны с малыми начальными скоростями возвращаются обратно на катод. Рассмотрим эти явления более подробно.

Характеристики тетрода /а == / (f/a) и /С2 = /L (f/a). полученные расчетным путем, показаны на 4-3 пунктиром. Характеристики реального тетрода, однако, имеют иной вид (сплошные линии на 4-3). Рассмотрим причины их отличия от расчетных кривых. При f/a = 0 все электроны, пролетевшие плоскость управляющей сетки, попадают на экранирующую сетку /к = /02 и /а = 0. При небольших положительных напряжениях С/а на анод попадает лишь часть электронов, пролетевших плоскость экранирующей сетки. Большая часть этих электронов возвращается обратно к виткам экранирующей сетки, образуя в пространстве экранирующая сетка—анод объемный заряд (участок 1, соответствующий режиму возврата электронов). С увеличением напряжения С/а анодный ток быстро возрастает, а ток /С2 падает, так как анодное поле непосредственно воздействует (не будучи экранировано сеткой) на электроны между экранирующей сеткой и анодом. При t/a ^ 20 В энергия электронов, достигающих анода, оказывается достаточной для выбивания с его поверхности вторичных электронов. Эти электроны под действием более высо-

в квазинейтральную область коллектора (произойдет экстракция дырок коллектором). Эффективность перемещения электронов через базу характеризуется коэффициентом переноса х=/к,1//эш где /к/г — ток электронов, достигающих

Кинетическая энергия электронов, подлетающих к аноду при ?/А~ 15^-20 В, мала для возникновения заметной вторичной эмиссии с анода (участок / на 10.1), хотя ^С2>^А- При f/A>15-^20B кинетическая энергия электронов, достигающих анода, возрастает настолько, что появляется большое число вторичных электронов. Коэффициент вторичной эмиссии 0 (см. § 8.1) может оказаться боль-