Электронно оптического

трапецеидальных искажений и типа «параллелограмм» ( 2.10, в, г), возникающих при нарушении ортогональности соответственно оптической (или электронно-оптической) оси к плоскости изображения и отклоняющих полей по строке и кадру:

Приемные ТВ трубки, созданные на основе первого метода, получили название кинескопа. Различают кинескоп для черно-белого и цветного ТВ. В основе работы кинескопа лежит явление катодолюми-несценции, заключающееся в способности некоторых веществ светиться под воздействием ударов потока электронов. Эти вещества называются катодолюминофорами или просто люминофорами. Кинескоп черно-белого телевидения (см. 1.6, б) состоит из стеклянной вакуумной колбы, катодолюминесцентного экрана и электронно-оптической системы. Последняя формирует электронный луч и включает термокатод К, управляющий электрод (модулятор) М, ускоряющий электрод УЭ, первый анод, фокусирующий электрод ФЭ и второй анод AZ, представляющий собой то ко про водя щи и слой, который покрывает изнутри коническую часть колбы. Экран состоит из слоя люминофора Л, нанесенного на переднюю стенку (дно) колбы, и тонкой алюминиевой пленки, соединенной со вторым анодом.

Существует и другой метод использования вторичной электронной эмиссии, когда электроны, формирующие изображение, имитируются самим образцом под действием нагрева, облучения светом, ионами или электронами. В данном случае исследуемое изделие является как бы составной частью электронно-оптической системы эмиссионного электронного микроскопа (ЭЭМ) и в этом его принципиальное отличие от РЭМ. Изэбраже-ние формируется' главным образом в прикатодной области ускоряющего поля объектива. Сфокусированное изображение в увеличенном виде наблюдается на экране. При наличии на исследуемой поверхности .электрических или магнитных микрополей плотность тока в луче, несущем информацию, перераспределяется. Это яв-Ление ИСПОЛЬЗуеТСЯ В ЭЭМ ДЛЯ визуализации таких микрополей. Например, если р-п переход поместить в однородное электрическое поле и подать на него запирающее напряжение, то поле, создаваемое р-п переходом, будет искривлять линии основного поля. Искривление поля приведет к искривлению электронных траекторий. Как видно из 3.13, правее области р-п перехода плотность тока больше средней плотности, а левее — меньше. Если теперь изображение сфокусировать на плоскость, расположенную на некотором уровне над поверхностью образца, где распределение плотности установилось, то распределение я-ркости на экране отобразит электрическое микрополе на поверхности полу-лроводника. • не

фотокатод ФК и ускоряющий электрод УЭ электронно-оптической части трубки — отрицательное напряжение 200—500 В;

мишень Мш, являющаяся анодом электронно-оптической части,— отрицательное или положительное напряжение порядка нескольких вольт;

При этом минимальный радиус пятна, полученный с помощью электронно-оптической системы и определяющий разрешающую способность,

Фотоумножители состоят из двух конструктивных частей: электронно-оптической системы входной каморы и динодной системы.

4 — электроды электронно-оптической системы; 5 — динод.

Для электронно-оптической системы границей раздела двух сред служит эквипотенциальная поверхность, приближающаяся в практических системах к сферической.

Площадь экспонирования методом -сканирования сфокусированного электронного луча ограничена сферической аберрацией электронно-оптической системы и для систем с разрешением порядка 0,3 мкм не превышает площади диаметром 5 мм.

Тетродный прожектор. Является трехлинзовой электронно-оптической системой: первая линза создается катодом, модулятором и первым ускоряющим электродом УЭ1; вторая слабая линза заключена между двумя ускоряющими электродами УЭ1 и УЭ2, и главная линза образована вторым ускоряющим электродом УЭ2, первым А1 и вторым А2 анодами. Первый ускоряющий электрод обычно выполняют в виде короткого цилиндра с ограничивающей диафрагмой, которая уменьшает проницаемость этого электрода, а это в свою очередь уменьшает значение запирающего напряжения.

плоскости оптической системы. На приемной стороне ТВ системы на экране электронно-оптического преобразователя, например кинескопа, образуется выходное изображение 3, которое рассматривается

секций трубки, где еще не происходит коммутация электронным лучом. С этой целью разрабатываются новые, более эффективные фотокатоды и мишени, а также способы дополнительного предварительного усиления фототока изображения до его электронного или оптического проецирования на накопительную мишень. Одним из таких способов является применение в качестве предварительного усилителя яркости электронно-оптического преобразователя (ЭОП), сочлененного с трубкой ( 9.18). Фотоэлектроны, выбитые с фотокатода /, устремляются под действием ускоряющего напряжения U[ к. люминесцирующему экрану 2, на котором создается вторичное оптическое изображение. Яркость его в десятки и сотни раз превышает яркость исходного изображения, спроецированного на ФК, /. Экран 2 ЭОП и фотокатод 4 передающей трубки наносят на противоположные поверхности стекловолоконной планшайбы 3, котора'я представляет собой несколько миллионов волоконных световодов, спрессованных вместе. Такое построение планшайбы 3 улучшает ее оптические характеристики и, кроме того, допускает возможность разрезания ее на две части. Это позволяет ЭОП и передающую трубку изготавливать отдельно, что удобно в производстве, и включать последовательно несколько ЭОП для повышения чувствительности.

мум излучения кремниевых, переходов соответствует длине волны 1,1 мкм (для Ge—1,7 мкм). Введение легирующих примесей приводит к возникновению дополнительных максимумов, причем чем больше концентрация примесей, тем выше интенсивность излучения. Зависимость интенсивности излучения от плотности тока инжекции и физико-химического состояния кристалла позволяет применять рекомбинационное излучение для выявления дефектов структуры, связанных с неоднородным токораспреде-гением 'и наличием механических дефектов. Качественную картину поля реком-бинационного излучения можно наблюдать на экране электронно-оптического преобразователя.

Схема включения простейшего электронно-оптического преобразователя (ЭОП) приведена яа 15.16, а. Между фотокатодом ФК и люминесцирующим экраном Э прикладывается высокое напряжение U порядка 5—10 кВ. Эмиттированные фотокатодом электроны, количество которых пропорционально «освещенности» данного участка катода, попадая на экран — анод, вызывают свечение соответствующего участка экрана с яркостью, также пропорциональной «освещенности».

ческие усилители. На р>ис. 15.17 приведена схема включения двух-каскадного электронно-оптического усилителя, принцип действия которого очевиден: световое изображение, полученное на экране Э[ первого ЭОП, вызывает эмиссию с фотокатода ФКа второго ЭОП, на экране которого получается усиленное световое изображение. Питание отдельных каскадов электронно-оптического усилителя производится от общего источника питания U.

ронных приборов: электронно-оптического преобразователя, более простых передающих трубок и фотоэлектронного умножителя.

На фиг. 52 .представлена схема получения изображения на экране с использованием электронно-оптического преобразователя, позволяющая оператору, находящемуся на достаточном, с точки зрения безопасности, удалении от просвечиваемого изделия, наблюдать за качеством сварного шва (или литого изделия).

ИК-луч, распространяющийся в пленке, визуализировался с помощью кремниевого электронно-оптического преобразователя, преобразующего ИК-свет в видимый. На 7.2.1 показан луч ПГ0-моды в планар-ном Ge,0As4oSe25S25-волноводе толщиной 0,8 мкм, изготовленном на кремниевой пластине, на которую центрифугированием наносился слой резиста из полиметилметакрилата (ПММА) толщиной 1 мкм. Обнаружено, что на таких подложках, покрытых ПММА, потери на распространение слишком малы (ниже 1 дБ/см), чтобы их можно было точно измерить.

ИК-луч, распространяющийся в пленке, визуализировался с помощью кремниевого электронно-оптического преобразователя, преобразующего ИК-свет в видимый. На 7.2.1 показан луч ПГ0-моды в планар-ном Ge,0As4oSe25S25-волноводе толщиной 0,8 мкм, изготовленном на кремниевой пластине, на которую центрифугированием наносился слой резиста из полиметилметакрилата (ПММА) толщиной 1 мкм. Обнаружено, что на таких подложках, покрытых ПММА, потери на распространение слишком малы (ниже 1 дБ/см), чтобы их можно было точно измерить.

Дистанционная проверка (контроль) изоляторов может производиться с использованием электронно-оптического дефектоскопа «Филин» или других приборов. Отбраковка в этом случае производится в соответствии с инструкциями по применению приборов.

На 2. 11 представлены схема экспериментальной установки и результаты фотометрирования тестового образца GaAs-СЭ (кривые 1—4) при /т в диапазоне 0.05—1.0 А [18]. Фотометрирование производилось при сканировании фотоприемником малой площади по изображению образца, получаемому с помощью объектива. Картина ЭЛ контролировалась также и визуально с помощью электронно-оптического преобразователя ИК-излучения в видимое, как это изображено на 2. И, а. Визуально неравномерность распределения интенсивности ЭЛ начинает замечаться при контрасте около