Электронная вычислительная

Диффузия электронов из базы в эмиттер восполняется притоком в базу новых электронов из внешней цепи, что и определяет величину и направление электронной составляющей тока эмиттера. Для цепи базы-электронная составляющая /э„ замыкается во входной цепи эмиттер — база и не участвует в создании тока коллектора. Эта составляющая является бесполезной и служит источником тепловых потерь.

Из сказанного выше следует, что электронная составляющая тока эмиттера замыкается по внешнему контуру схемы ( 3.3,а) и формирует ток коллектора

У большинства транзисторов коэффициент передачи эмиттерного тока Л216 = 0,92 •*• 0,997. Чем ближе коэффициент Й216 к единице, тем лучше усилительные свойства транзистора, т. е. тем сильнее влияет изменение тока эмиттера на величину тока коллектора. Для получения больших значений /г21б нужно, чтобы электронная составляющая тока /э(„) была очень мала по сравнению с дырочной составляющей тока /Э(р), т. е. чтобы концентрация дырок в эмиттере была значительно выше концентрации электронов в базе и чтобы тепловой ток коллекторного перехода /кбо был возможно меньше. Примерная картина перемещения зарядов и рекомбинации носителей в транзисторе показана на 3.23, д.

Усилительные свойства п+-р-п-транзистора определяет только электронная составляющая тока инжектированных эмиттером носителей заряда, поскольку именно она доходит до коллектора и выполняет функцию transfer resistor. Дырочная составляющая эмиттерно-го тока никаких полезных функций не выполняет, поэтому ее стремятся свести к минимуму, а параметр у максимально приблизить к еди-

8.11. Концентрации примесей в базе, эмиттере и коллекторе некоторого транзистора р-п-р и ширина базы контролируются так, что только 1 % дырок, инжектируемых из эмиттера, теряется при рекомбинации в базе. Пренебрегая токами утечки, найти коэффициент передачи тока эмиттера, эффективность эмиттера, коэффициент переноса, если электронная составляющая тока эмиттера /,,э — 0,01/э (коэффициент умножения в коллекторном переходе принять равным единице).

7.31. Дрейфовая электронная составляющая.

где 1п — электронная составляющая тока; 1Р — дырочная составляющая тока.

Вообще говоря, этот ток представляет собой движение электронов и дырок, но электронная составляющая тока значительно больше. По мере движения электронов от области п к области р они переходят с одного энергетического 'уровня на другой. В области р — л-перехода, а также в р — области, прилегающей к р — n-переходу происходит самопроизвольная рекомбинация носителей заряда.

транзисторах переход Я2 является коллекторным, а переходы HI и П3 — эмиттерными соответственно для р-п-р и n-p-п транзисторов. На участке / ВАХ 1.13, а эмит-терный переход П\ смещен в прямом направлении, коллекторный Я2 — в обратном, поэтому p-n-р транзистор работает в режиме, рассмотренном в § 1.4, распределение токов описывается (1.2). Через прямой переход П\ из эмиттера /?1вбазу HI диффундируют дырки, часть которых (1 — ар)/а рекомбинирует в базе, а другая часть а„/а втягивается полем перехода Я2 и попадает в коллектор рг. Распределение указанной дырочной составляющей тока показано на 1.14, а. В аналогичном режиме работает и второй транзистор. Эмиттерный переход Я3 n-p-п транзистора также смещен в прямом направлении, а коллекторный Пч — в обратном. Через эмиттерный переход Я3 проходит суммарный ток /а+/у (где /у — ток управляющего электрода). Часть электронов, обусловленных этим током, рекомбинирует в базе (слой р2) (1 — <хп) (/а + /у), остальные электроны доходят до коллекторного перехода Я2, захватываются его полем и попадают в коллектор (слой MI). Эта электронная составляющая тока показана в нижней части структуры на 1.14, а. Кроме этих транзисторных составляющих тока коллекторного перехода Я2, обусловленных токами эмиттерных переходов П\ и Яз, через переход Я2 протекает ток неосновных носителей, имеющихся в слоях п\ и pz, /кво=/кор + /коп- Из 1.14, а легко заключить, что /а=/к> где /к — полный ток через переход Я2, т. е. суммарный коллекторный ток обоих транзисторов

нал составляющие анодного тока в приборе одинаковы. В действительности электронная составляющая тока во много раз больше ионной составляющей, так как подвижность электронов (в силу малой их массы) много больше, чем ионов (масса которые близка к массе атомов газа).

Ионизированную газовую среду, характеризующуюся динамическим равенством концентраций ионов и электронов, называют электронно-ионной плазмой или просто плазмой. Столб разряда является одним из видов плазмы. Указанные выше значения концентраций зарядов в плазме ионных приборов изменяются: в зависимости от плотности (давления) газа и плотности тока в столбе разряда. , Характерным для электронно-ионной плазмы является беспорядочно-направленное движение зарядов в ней. Направленные составляющие этого движения определяют токи в приборе: электронная составляющая тока уходит к аноду, а ионная — к катоду. Наличие беспорядочного движения приводит к исчезновению зарядов и на стенках .и как следствие появлению поперечной составляющей диффузионного движения зарядов к стенкам.

На протяжении четырех десятилетий электронная вычислительная техника бурно развивается. На наших- глазах появились, сменяя друг друга, несколько поколений ЭВМ. Появление новых поколений ЭВМ вызывалось расширением областей и развитием методов их применения, требовавших более производительных, более дешевых и более надежных машин.

66. Электронная вычислительная машина ЕС-1050// Под общ. ред. А. М. Ларионова. М.: Статистика, 1976.

67 Электронная вычислительная машина ЕС-1045/А. Т. Кучукян, Т. Е. Саркисян, И. Б. Мкртумян и др. М.: Финансы и статистика, 1981.

68. Электронная вычислительная машина ЕС- 1046/А. Т. Кучукян, Т. Е. Саркисян, Г. О. Патваканян и др. М.: Радио и связь, 1987.

Так, реализация принципа, на котором основаны фотография, потребовала более 100 лет (1727 — 1839), телефон—чуть больше полувека (1820—1876), радио — только 25 лет (1887 г. — изучение радиоволн Г. Герцем, 1895 г — изобретение радио А. С. Поповым, 1920 г. —• первые выпускаемые промышленностью приемопередающие системы), электронное телевидение — 14 лет (1922—1936), электронная вычислительная машина — 5 лет (1942—-1946), транзистор — 5 лет (1948—-1953), интегральные микросхемы — 3 года (1959—1962 ).

1952 г.— под руководством академика С. А. Лебедева в СССР изготовлена первая электронная вычислительная машина типа БЭСМ (быстродействующая электронная счетная машина).

Особое значение электронных цифровых вычислительных машин состоит в том, что впервые с их появлением человек получил орудие для автоматизации процессов обработки информации. Это во многих случаях позволяет существенно повысить эффективность умственного труда, Поэтому электронная вычислительная техника является одним из важнейших элементов, если не самым

Электронная вычислительная техника бурно развивается. На наших глазах появились, сменяя друг друга, три поколения цифровых вычислительных машин: ламповые машины, полупроводниковые и машины на интегральных схемах. Элементная база ЦВМ и технология производства в большей степени определяют процесс развития вычислительной техники. Однако не меньшее значение имеет и логическая организация вычислительных машин.

60. Мямлин А. Н. Универсальная электронная вычислительная машина с контролем и совмещением операций.— В кн.: Вопросы вычислительной математики и вычислительной техники. М., Машгиз, 1963.

68. Пржиялковский В. В., Смирнов Г. Д., Пыхтин В. Я. Электронная вычислительная машина «Минск-32». М., «Статистика», 1972.

Электронная вычислительная техника бурно развивается. На наших глазах появились, сменяя друг друга, три поколения цифровых вычислительных машин: ламповые машины, полупроводниковые и машины на интегральных схемах. Элементная база ЦВМ и технология производства в большей степени определяют процесс развития вычислительной техники. Однако не меньшее значение имеет и логическая организация вычислительных машин.