Электронный парамагнитный

Электронный осциллограф может работать в следующих основных режимах: в режиме внутренней синхронизации, в режиме внешней синхронизации, в автоматическом режиме и режиме специальной развертки. 138

торов, вебер-амперную — линейной и нелинейной катушек индуктивности. Для этого применяется электронный осциллограф, который также используется для показа воздействия на движение заряженных частиц электрического и магнитного поля.

Ниже приводится примерный список работ; часть из них должна быть обязательной, остальные выполняются факультативно. Крайне желательно помимо амперметров, вольтметров, ваттметров, фазометров и герцметров ключать в схемы ряда работ магнитоэлектрический или электронный осциллограф, даже если учащиеся еще не изучали их в специальных курсах. Визуальное наблюдение на экранах осциллографов кривых мгновенных значений, их амплитуд и фаз чрезвычайно полезно для уяснения изучаемых процессов. Ниже, в перечне работ, осциллограф упоминается только в тех случаях, когда без него обойтись невозможно.

Электронный осциллограф может работать в следующих основных режимах: в режиме внутренней синхронизации, в режиме внешней синхронизации, в автоматическом режиме и режиме специальной развертки.

Электронный осциллограф может работать в следующих основных режимах: в режиме внутренней синхронизации, в режиме внешней синхронизации, в автоматическом режиме и режиме специальной развертки. 138

§ 13.3. Электронный осциллограф

Электронный осциллограф дает возможность визуально наблюдать периодически повторяющиеся процессы, длительностью в доли микросекунды, измерять амплитуду электрических колебаний, фазовый сдвиг между двумя напряжениями, соотношение частот между двумя напряжениями и производить ряд других измерений.

Электронный осциллограф состоит из электронно-лучевой трубки, блока питания, усилителей напряжения горизонтального и вертикального входов (усилители X и Y), блока развертки, синхронизирующего устройства, калибраторов амплитуды и длительности.

§ 13.3. Электронный осциллограф...................... 313

При наладке и испытаниях устройства для измерения напряжения в цепях схем с транзисторами и операционными усилителями применяются ламповые и транзисторные вольтметры с высоким входным сопротивлением (не менее 100 кОм/В). Очень удобен при наладке устройств электронный осциллограф, позволяющий наблюдать форму и приблизительно оценивать величину напряжений постоянного и переменного токов. При необходимости в исследовании формы тока в цепи, не содержащей линейных активных сопротивлений, цел-есообразно включить последовательно в схему небольшое активное сопротивление (аналогично миллиамперметру). Падение напряжения на нем прямо пропорционально току и может наблюдаться на экране осциллографа.

Приложение П. 4. Электронный осциллограф С1-72

Отдельную группу образуют методы неэлектрических испытаний, используемые для определения структуры, макро- и микродефектов материалов. Сюда относятся ультразвуковые методы, рент-гено- и гамма-люминесцентный анализ, инфракрасная спектроскопия, электронная микроскопия, ядерный магнитный резонанс, электронный парамагнитный резонанс, нейтронографический анализ, а также другие методы, применяемые для неэлектрических испытаний.

Явлению магнитного резонансного поглощения соответствует в основном два резонанса: ядерный магнитный (парамагнитный) резонанс (ЯМР) и электронный парамагнитный резонанс (ЭПР).

15. А л ь т ш у л е р С. А., Козырев Б. М., Электронный парамагнитный резонанс, Физматгиз, 1960.

Магнитный резонанс получил широкое практическое применение. Электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) используется для исследования механизма химических реакций, для изучения влияния ионизирующего излучения на вещество и живые ткани, для исследования электронного состояния твердых тел и во многих других важных областях науки и техники. На явлении ЭПР построены такие важные радиотехнические устройства, как парамагнитные усилители и генераторы, которые будут рассмотрены в гл. 12. Ферромагнитный резонанс нашел применение в технике СВЧ.

3.1. Шшлизу Т. Электронный парамагнитный (ЭПР) и ядерный магнитный (ЯМР) резонансы.............................. 81

Существенный интерес представляет гл. 3, посвященная теории и применению современных методов исследования аморфных полупроводников. Анализируются информативные возможности таких методов, как электронный парамагнитный и ядерный магнитный резонансы, оптически детектируемый магнитный резонанс, фотоакустическая спектроскопия, изотермическая нестационарная емкостная спектроскопия, метод исследования фотопроводимости с помощью видикона и пико-секундная спектроскопия. Особое внимание уделяется связи между дефектами структуры и атомами водорода и фтора. Методы магнитного резонанса позволяют получить интересную информацию относительно природы дефектов и механизма введения атомов Н и F, выявить рекомбинационные центры и процессы, участвующие в люминесценции a-Si: Н. Метод фотоакустической спектроскопии позволяет определить абсолютное значение коэффициента поглощения тонких пленок при энергиях, меньших ширины запрещенной зоны, без знания тепловых параметров пленки. С помощью изотермической нестационарной емкостной спектроскопии впервые определены энергетические и тем-

3.1. ЭЛЕКТРОННЫЙ ПАРАМАГНИТНЫЙ (ЭПР) И ЯДЕРНЫЙ МАГНИТНЫЙ (ЯМР) РЕЗОНАНСЫ

Представлены результаты недавних исследований дефектов в аморфных полупроводниках с тетр_аэдрическими связями, проводившихся в лаборатории автора с помощью методов магнитного резонанса. Особое внимание уделено связи между дефектами и присутствием Н и F. Магнитные резонансы, электронный парамагнитный и ядерный магнитный, позволяют получить важную информацию относительно природы дефектов и механизма вхождения Н и F с микроскопической точки зрения. Эта информация представляет особый интерес при попытках снизить количество дефектов, которые ухудшают качество пленки в приборных структурах.

3.1. Шшлизу Т. Электронный парамагнитный (ЭПР) и ядерный магнитный (ЯМР) резонансы.............................. 81

Существенный интерес представляет гл. 3, посвященная теории и применению современных методов исследования аморфных полупроводников. Анализируются информативные возможности таких методов, как электронный парамагнитный и ядерный магнитный резонансы, оптически детектируемый магнитный резонанс, фотоакустическая спектроскопия, изотермическая нестационарная емкостная спектроскопия, метод исследования фотопроводимости с помощью видикона и пико-секундная спектроскопия. Особое внимание уделяется связи между дефектами структуры и атомами водорода и фтора. Методы магнитного резонанса позволяют получить интересную информацию относительно природы дефектов и механизма введения атомов Н и F, выявить рекомбинационные центры и процессы, участвующие в люминесценции a-Si: Н. Метод фотоакустической спектроскопии позволяет определить абсолютное значение коэффициента поглощения тонких пленок при энергиях, меньших ширины запрещенной зоны, без знания тепловых параметров пленки. С помощью изотермической нестационарной емкостной спектроскопии впервые определены энергетические и тем-

3.1. ЭЛЕКТРОННЫЙ ПАРАМАГНИТНЫЙ (ЭПР) И ЯДЕРНЫЙ МАГНИТНЫЙ (ЯМР) РЕЗОНАНСЫ