Электроны приобретают

и металлических анодов-сегментов, покрытых люминофором. Эта система электродов размещена в стеклянном вакуумированном баллоне 2 с выводами 5 от электродов лампы ( 3.13, а). Электроны, покидающие поверхность накаленного катода / (термоэлектронная эмиссия), устремляются к сетке 3, имеющей положительный относительно катода потенциал. Большая часть электронов пролетает редкую сетку и движется к анодам 4, имеющим такой же потенциал, как и сетка, вызывая свечение люминофора на поверхности анодов.

Электроны, покидающие катод, обладают вначале незначительной скоростью, по мере движения к аноду скорости электронов возрастают. Чем больше электронов покинуло катод, тем сильнее тормозятся последующие электроны, вылетающие из катода, так как они испытывают противодействие со стороны электронов, перемещающихся впереди них. Поэтому электроны группируются вблизи катода в виде «объемного отрицательного заряда». Объемный отрицательный заряд частично рассасывается под действием сил электрического поля между анодом и катодом, но одновременно пополняется электронами, покидающими катод. Объемный заряд противодействует вылету электронов из катода и перемещению электронов внутри лампы. 146

Проходя через поле катодио-сеточного пространства, электроны, покидающие катод, в начале пути тормозятся, в связи с чем большая их часть возвращается к катоду и только наиболее быстрые из них, пройдя потенциальный минимум, ускоряются затем полем. При этом средние значения скоростей электронов не превосходят средние их значения внутри катода. При таких скоростях возбуждение и ионизация атомов газа в катодно-сеточном пространстве отсутствуют до места подъема положительного потенциала.

4-46. Процессы у анода в Электроны, покидающие

Если f/H = 0 и эмиссии нет, то диод можно рассматривать как плоский конденсатор, разность потенциалов на пластинах которого равна С/а. Распределение потенциала в междуэлектродном пространстве для этого случая соответствует прямой 1 ( 2-2), соединяющей точки, соответстующие потенциалу катода С/к = 0 и анода Ua. При повышении напряжения накала электроны, покидающие катод, создают в междуэлектродном пространстве объемный отрицательный заряд, который изменяет распределение потенциала (кривая 2 на 2-2). Вследствие отрицательного заряда электронов потенциал в пространстве между катодом и анодом несколько снижается, но все же во всех точках остается положительным. Вектор напряженности электрического поля в любой точке кривой 2 направлен от анода к катоду, поэтому в ускоряющем поле все электроны, покинувшие катод, устремляются на анод. Ток анода равен току эмиссии. Этот режим называется режимом насыщения. •'

При достаточно большом отрицательном напряжении на сетке ( 3-3, а) в пространстве катод^-сетка тормозящее поле создается не только вблизи витков сетки, но и между йими. При накаленном катоде электроны, покидающие катод, не могут преодолеть действие тормозящего поля и возвращаются к катоду. В результате возрастает объемный отрицательный заряд и потенциал в про-

В трубках с электростатическим управлением модуляционная характеристика подчиняется закону (7-2) лишь вблизи потенциала запирания, когда ток луча невелик. При уменьшении отрицательного напряжения на модуляторе возрастает эмитти-рующая поверхность катода, в электронном луче появляются электроны, покидающие катод иод большими углами, увеличивается диаметр 'Луча в области электростатических линз и второго анода и часть электронов не пропускается ограничивающей диафрагмой. Дальнейшее увеличение тока луча может быть получено за счет повышения плотности катодного тока, т. е. в соответствии с законом степени трех вторых (7-1).

Если f/H = 0 и эмиссии нет, то диод можно рассматривать как плоский конденсатор, разность потенциалов на пластинах которого равна С/а. Распределение потенциала в междуэлектродном пространстве для этого случая соответствует прямой 1 ( 2-2), соединяющей точки, соответстующие потенциалу катода С/к = 0 и анода Ua. При повышении напряжения накала электроны, покидающие катод, создают в междуэлектродном пространстве объемный отрицательный заряд, который изменяет распределение потенциала (кривая 2 на 2-2). Вследствие отрицательного заряда электронов потенциал в пространстве между катодом и анодом несколько снижается, но все же во всех точках остается положительным. Вектор напряженности электрического поля в любой точке кривой 2 направлен от анода к катоду, поэтому в ускоряющем поле все электроны, покинувшие катод, устремляются на анод. Ток анода равен току эмиссии. Этот режим называется режимом насыщения. •'

При достаточно большом отрицательном напряжении на сетке ( 3-3, а) в пространстве катод^-сетка тормозящее поле создается не только вблизи витков сетки, но и между йими. При накаленном катоде электроны, покидающие катод, не могут преодолеть действие тормозящего поля и возвращаются к катоду. В результате возрастает объемный отрицательный заряд и потенциал в про-

В трубках с электростатическим управлением модуляционная характеристика подчиняется закону (7-2) лишь вблизи потенциала запирания, когда ток луча невелик. При уменьшении отрицательного напряжения на модуляторе возрастает эмитти-рующая поверхность катода, в электронном луче появляются электроны, покидающие катод иод большими углами, увеличивается диаметр 'Луча в области электростатических линз и второго анода и часть электронов не пропускается ограничивающей диафрагмой. Дальнейшее увеличение тока луча может быть получено за счет повышения плотности катодного тока, т. е. в соответствии с законом степени трех вторых (7-1).

анодным. Электроны, покидающие катод, под действием сил электрического поля между электродами устремляются от катода к аноду, образуя электрический ток /а, называемый анодным, направление которого противоположно направлению движения электронов. Электроны, покидающие катод, вначале имеют незначительные скорости, но по мере движения к аноду скорости их возрастают. Чем больше электронов покинуло катод, тем сильнее тормозятся последующие электроны, вылетающие из катода, так как они испытывают противодействие со стороны электронов, ранее покинувших

Под действием продольного электрического поля напряженностью ?, создаваемого в проводнике длиной / источником электрической энергии, свободные электроны приобретают добавочную скорость (дрейфовую скорость) и дополнительно перемещаются в одном направлении (вдоль проводника на 1.4).

Давление газа (или паров ртути) в баллоне прибора должно быть мало — в большинстве приборов порядка 10"1—103 Па. Это необходимо для того, чтобы средний свободный (т. е. без столкновений) пробег электронов в таком разреженном газе был достаточно большим. При таком пробеге даже при невысоких напряженностях электрического поля электроны приобретают энергию, необходимую для неупругого взаимодействия с атомами или молекулами газа или пара. При таком взаимодействии в отличие от упругого происходят возбуждение и ионизация атомов газа или паров, т. е. создаются дополнительные свободные электроны и положительные ионы.

ронно-лучевой трубки Благодаря этому электроны приобретают до-с магнитным отклоне- r J .. ft- ^

Под действием электрического поля эти частицы (преимущественно электроны) приобретают скорость и сталкиваются с нейтральными атомами и молекулами диэлектрика. При увеличении напряженности поля скорость электронов достигает величины, до-

Под действием продольного электрического поля напряженностью ?, создаваемого в проводнике длиной / источником электрической энергии, свободные электроны приобретают добавочную скорость (дрейфовую скорость) и дополнительно перемешаются в одном направлении (вдоль проводника на 1.4).

Давление газа (или паров ртути) в баллоне прибора должно быть мало - в большинстве приборов порядка 10"1—103 Па. Это необходимо для того, чтобы средний свободный (т. е. без столкновений) пробег электронов в таком разреженном газе был достаточно большим. При таком пробеге даже при невысоких напряженностях электрического поля электроны приобретают энергию, необходимую для неупругого взаимодействия с атомами или молекулами газа или пара. При таком взаимодействии в отличие от упругого происходят возбуждение и ионизация атомов газа или паров, т. е. создаются дополнительные свободные электроны и положительные ионы.

Под действием продольного электрического поля напряженностью ?, создаваемого в проводнике длиной / источником электрической энергии, свободные электроны приобретают добавочную скорость (дрейфовую скорость) и дополнительно перемещаются в одном направлении (вдоль проводника на 1.4).

Давление газа (или паров ртути) в баллоне прибора должно быть мало — в большинстве приборов порядка 10~'~103 Па. Это необходимо для того, чтобы средний свободный (т. е. без столкновений) пробег электронов в таком разреженном газе был достаточно большим. При таком пробеге даже при невысоких напряженностях электрического поля электроны приобретают энергию, необходимую для неупругого взаимодействия с атомами или молекулами газа или пара. При таком взаимодействии в отличие от упругого происходят возбуждение и ионизация атомов газа или паров, т. е. создаются дополнительные свободные электроны и положительные ионы.

У второго анода значительно больше продольная составляющая вектора напряженности электрического поля ЕП , поэтому электроны приобретают дополнительное ускорение, и их энергия достаточна, чтобы вызвать свечение экрана.

систему ковалентных связей, пятый же электрон атома мышьяка оказывается избыточным. Энергетический уровень примеси ?д (донорный уровень) лежит в запрещенной зоне вблизи дна зоны проводимости. Поэтому уже при комнатной температуре избыточные электроны приобретают энергию, равную очень небольшой энергии их связи с атомами примеси (А?д = Ес — ЕЛ), и переходят в зону проводимости. Эти избыточные электроны могут теперь участвовать в электропроводности полупроводника. В узлах же кристаллической решетки германия, занимаемых атомами примеси, образуются положительно заряженные ионы (на 1.2, б показаны три таких положительных иона в виде прямоугольников). Если высвободившиеся избыточные электроны совершают хаотическое движение вблизи своих ионов, то микрообъем остается электронейтральным. При уходе электронов в более удаленные объемы оставшиеся ионы создают в микрообъеме кристалла положительный объемный заряд.

поля валентные электроны приобретают до-_______ полнительную энергию —кинетическую, запол-