Электродов заземления

Помимо обеспечения необходимых входного и выходного сопротивлений усилительного каскада не менее важной задачей является выбор режима работы активного элемента усилителя по постоянному току. Рассмотрим этот вопрос на примере транзисторного усилителя. Как отмечалось в § 2.3, режим работы по постоянному току определяется положением рабочей точки р на динамической характеристике транзистора. От положения рабочей точки, как это видно на 2.17, зависят значения постоянных составляющих токов входного и выходного электродов транзистора (/„б, /ок) и напряжений на этих электродах (Uo6, U^K), a следовательно, мощность, потребляемая усилителем от источника питания ?„. В свою очередь, выбор положения рабочей точки в значительной степени регламентируется амплитудой, формой и полярностью входного переменного сигнала. В соответствии с этим различают три основных режима работы усилительного каскада — режимы классов А, В и С. Рассмотрим особенности работы усилительного каскада на транзисторе по схеме ОЭ (см. 2.16) при воздействии на входе переменного сигнала синусоидальной формы.

При включении транзисторов всегда следует выделять входную цепь или цепь управления и выходную цепь. В зависимости от того, какой из электродов транзистора является общим для входной и выход-но,й цепей, различают три схемы включения транзистора — с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором.

8.5. Выводы электродов транзистора маркированы А, В, С. Токи, снимаемые с этих выводов в активном режиме транзистора, равны: /А=! мА, /в=20 мкА, /с=+1,02 мА. Определить: а) с какими электродами транзистора соединены выводы? б) чему равен коэффициент передачи постоянного тока базы транзистора (обратный ток коллекторного перехода принять равным нулю)?

Чаще всего для транзисторов используют уравнения передачи в Н- или Y-параметрах. Иногда используются также Z-параметры. Усредненные значения Y-, Z- и Н-парамет-ров транзисторов приводится в справочной литературе. Следует иметь в виду, что одни и те же параметры имеют различные значения в зависимости от того, какой именно из электродов транзистора (эмиттер, база, коллектор) является общим для входной и выгодной пар зажимов транзистора как четырехполюсника. Различают поэтому Y-, Z- и Н-параметры транзисторов с общим эмиттером, с общей базой и с общим коллектором.

§ 15.28. Основные способы включения биполярных транзисторов в схему. Различают три основных способа включения триодов в схему в зависимости от того, какой из электродов транзистора является общим для управляющей и управляемой цепей. На 15.20, а изображена схема с общей базой, на 15.20, б — схема с общим эмиттером, на 15.20, в — схема с общим коллектором.

Получение режима короткого замыкания состоит в том, что исследуемую цепь шунтируют сопротивлением, значительно меньшим внутреннего сопротивления соответствующей цепи. Учитывая необходимость обеспечения питания электродов транзистора постоянным напряжением, такое шунтирование можно производить емкостью.

Схемы включения транзисторов, как и электронных ламп, можно разделить ка три группы в зависимости от того, какой из трех электродов транзистора явлиется общим для входной и выходной цепей.

Токи в транзисторе. При рассмотрении принципа работы транзистора мы установили, что в активном режиме дырки, инжектированные из эмиттера, движутся затем в базе и втягиваются полем коллекторного перехода, образуя коллекторный ток /к- Вследствие рекомбинации в базе и других причин /к < /э- На основании закона Кирхгофа для токов в цепях электродов транзистора можно записать:

Предельные параметры транзисторов определяют, исходя из требований надежной работы транзистора. К ним относятся: допустимая мощность Рктах, рассеиваемая транзистором в заданном интервале температур окружающей среды (без радиатора или с радиатором); максимальные токи электродов транзистора /кшах, /этах, /б max; максимальные напряжения на электродах ?/Кбтах, ?Аотах и f/эбтах; максимально допустимая темперзтурз переходов.

В этих схемах транзисторные структуры, в том числе и много-эмиттерные, создаются теми же методами, что и при планарной технологии, одновременно с созданием всей схемы. Планарные транзисторы ИС имеют высокую предельную частоту (fa = =30-4-300 МГц) и малые допустимые обратные напряжения на переходах. Для получения резисторов ИС в монокристалле создаются диффузионные' зоцы, сопротивление которых зависит от количества введенных в полупроводник примесей. Номинальные значения сопротивлений диффузионных резисторов лежат в пределах от нескольких Ом до нескольких десятков кОм. В интегральных схемах в качестве конденсаторов используют емкости р-п-перехо-дов, которые могут достигать сотен пикофарад. Диоды интегральных схем создаются из транзисторных структур различными способами соединения электродов транзистора. Например, анодом диода служит эмиттер транзистора, а катодом — соединенные вместе база и коллектор и т. д. От способа соединения электродов зависит крутизна прямой ветви вольт-амперной характеристики диода.

Различают три основных способа включения триодов в схему в зависимости от того, какой из электродов транзистора является общим для управляющей и управляемой цепей. На 15.20, а изображена схема с общей базой, на 15.20, б —схема с общим эмиттером и на 15.20, в —схема с общим коллектором.

Пример 11.1. Определить число электродов заземления подстанции напряжением 6/04 кВ. На стороне 6 кВ нейтраль изолирована; на стороне 0,4 кВ наглухо заземлена. Общая протяженность воздушных линий напряжением 6 кВ /„ = 10 км, кабельных линий напряжением 6 кВ /к = 20 км. Измерения сопротивления грунта, произведенные в июне, показали величину удельного сопротивления у,„ = = 0,6-1 (У Ом-см. В период измерений влажность была средняя.

При пробое изоляции в каком-либо аппарате его корпус и заземляющий контур окажутся под некоторым потенциалом ?73 = /Зг3. Растекание тока /з с электродов заземления приводит к постепенному уменьшению потенциала почвы вокруг них. Внутри контура заземления потенциалы выравниваются, поэтому, прикасаясь к поврежденному оборудованию, человек попадает под небольшую разность потенциалов 17пр (напряжение прикосновения), которая составляет некоторую долю потенциала на заземли-теле:

Заземление опор осуществляют в соответствии с указаниями проекта ВЛ. При недостаточном сопротивлении заземления, полученного с помощью металлического выпуска, ; у основания опоры устаивают дополнительный очаг заземления с помощью вертикальных электродов заземления длиной 3-12 м.

Пример 7.1. Определить число электродов заземления подстанции напряжением 6/0,4 кВ. На стороне с напряжением 6 кВ нейтраль изолирована, на стороне с 0,4 кВ—наглухо заземлена. Общая протяженность воздушных линий напряжением 6 кВ составляет /„ = 10 км, кабельных линий напряжением 6 кВ — /ка6 = 20 км, рассчетный коэффициент \}/2 = 1,5 (см. табл. 7.3). Измерения грунта, произведенные в июне месяце, показали значение удельното сопротивления рИз=0,6 • 104 Ом -см = 60 Ом -м при средней влажности.

При выполнении ответственных работ, скрываемых последующими операциями, объем и качество которых не могут быть в дальнейшем проверены визуально, составляют акты освидетельствования скрытых работ (например, на прокладку кабелей в траншее, монтаж электродов заземления). Качество выполнения таких работ удостоверяется представителями монтажной организации и технического надзора заказчика, которые подписывают эти акты [12].

Сталь 7870 700-1750 1400-1530 0,103-0,137 9,7-7,3 57-62 11 Для изготовления шин, заземляющих проводников, электродов заземления

Сталь 7870 700... 1750 1400... 1530 0,1 03... 0,1 37 9,7... 7,3 57... 62 11 Для изготовления шин, заземляющих проводников, электродов заземления

2-45. Присдособления для ввертывания электродов заземления.

Приспособления ПЗД-12 ( 2-45, а) и ПВЭ ( 2-45,6) предназначены для ввертывания электродов заземления в грунт при устройстве защитных заземлений.

Приспособление для ввертывания электродов заземления в грунт типа ПВЭ, шт.....

Приспособление для ввертывания электродов заземления в грунт

на «скрытые» работы (например, на прокладку кабелей в траншее, забивку электродов заземления). Качество выполнения таких работ удостоверяется представителями монтажной организации и заказчика, а также иногда авторского надзора, которые подписывают акты на скрытые работы.