Электрической изоляцией

5. Какие виды электрической блокировки применяют в установках последовательным пуском двигателей?

В цепи катушек контакторов М и 1Б, 2Б введены соответственно блокировочные размыкающие контакты /5, 2Б и М для электрической блокировки, исключающей возможность одновременного замыкания контакторов меньшей и большей частот вращения ротора.

В цепи катушек контакторов М и 1Б, 2Б введены соответственно блокировочные размыкающие контакты 1Б, 2Б и М для электрической блокировки, исключающей возможность одновременного замыкания контакторов меньшей и большей частот вращения ротора.

5. Какие виды электрической блокировки применяют в установках последовательным пуском двигателей?

Отсутствие электрической блокировки, исключающей одновременную работу обоих контакторов, привело бы в случае совместного включения последних к двухфазному короткому замыканию в сети через замкнутые силовые контакты контакторов.

10-4. Схема электрической блокировки от многократного включения на короткое замыкание.

Блокировка от «прыгания» может быть выполнена на механическом принципе или путем использования специальной электрической схемы. На 7.7 изображена схема электрической блокировки от «прыгания» с использованием специального промежуточного реле KBS. Реле имеет две обмотки: последовательную KBS.1 в цепи YAT и параллельную KBS2.

Капитальный ремонт — выполняются все операции текущего ремонта, и, кроме того: полная разборка и сборка аппарата с заменой изоляторов и других частей; проверка механической части аппарата с приводом; наладка механической и электрической блокировки; покраска выключателя нагрузки (разъединителя, короткозамыкателя, отделителя) и его привода; электрические испытания.

6.6 Схема электрической блокировки дверей ЭУ

32.11. Схема электрической блокировки выключателя от многократного включения на КЗ

11. Выписать результаты осмотров и измерений. Составить описание работы схемы реверсивного управления электродвигателем при разных режимах его работы и различных положениях приводимого механизма. Объяснить, как электрическая блокировка предотвращает возможность одновременного включения обоих контакторов К1 и К2. Объяснить, почему одной электрической блокировки недостаточно, вследствие чего она дополняется механической блокировкой.

В трансформаторе применена радиаторная система охлаждения. Бак трансформатора заполнен минеральным маслом, которое служит для отвода тепла от нагревающихся обмоток и магнитопровода. Одновременно масло является дополнительной электрической изоляцией между обмотками и заземленными частями трансформатора.

Оптопара (оптрон) — это прибор, состоящий из помещенных в одном корпусе и оптически связанных излучателя (излучающего диода на основе арсенида галлия или арсенид-галлий алюминия) и фотоприемника (кремниевого) и предназначенный для преобразования входного тока в выходной с полным гальваническим разделением (электрической изоляцией) входной и выходной цепей.

ляется базовым. Пока ток /„ мал, базовый ток ТР' невелик, и транзистор ТР' работает в качестве регулирующего. По мере роста тока /н транзистор ТР' переходит в режим насыщения, а ТР остается регулирующим, который шунтирован резистором Rm. Ток /н состоит из трех составляющих /^, l'B и /д, а эмиттерный ток /э транзистора ТР — из двух составляющих l'B и /д. Так как на диоде Д напряжение не может превысить 0,8—1,0 В, это предотвращает протекание большой величины тока /Б через ТР', и большая часть /э проходит через диод Д. В схеме на VIII.22, г при больших напряжениях и меньших токах РК тах будет на ТР*, а при меньших напряжениях и больших токах РКтах будет на ТР, поэтому оба транзистора целесообразно поместить на одном радиаторе (с электрической изоляцией коллекторов), рассчитанном на максимальную мощность, рассеиваемую одним из транзисторов, которая примерно в 4 раза меньше мощности в случае применения одиночного транзистора без #ш.

В зависимости от электрических характеристик жидкости, уровень которых измеряют емкостным методом, разделяют на неэлектропроводные и электропроводные. Электроды емкостного преобразователя для измерения уровня электропроводных жидкостей покрывают электрической изоляцией, а электроды преобразователей для неэлектропроводных жидкостей не изолируют.

Так, например, нагревание всех без исключения аппаратов не должно выходить за пределы норм, установленных ГОСТ. При этом, так как предел нагревания прежде всего определяется электрической изоляцией токоведущих частей и контактной системой, изолирующие материалы должны быть выбраны с надлежащим уровнем нагревостойкости.

В зависимости от электрических характеристик жидкости, уровень которых измеряют емкостным методом, разделяют на неэлектропроводные и электропроводные. Электроды емкостного преобразователя для измерения уровня электропроводных жидкостей покрывают электрической изоляцией, а электроды преобразователей для неэлектропроводных жидкостей не изолируют.

Разновидностью технологии биполярных ИМС с диэлектрической изоляцией, формируемой путем анизотропйого травления, является VIP-процесс, который отличается от V-ATE-процесса тем, что вместо воздушной изоляции применяется диэлектрическая изоляция V-канав-ками. Для этого сформированные анизотропным травлением V-канав-ки пассивируются окислом, затем слоем нитрида кремния, после чего наносится слой поликристаллического кремния, который заполняет изолирующие канавки ( 1.7).

Интегральные микросхемы с диэлектрической изоляцией по многим параметрам превосходят микросхемы с изоляцией р-п-переходом. При изоляции поликристаллическим кремнием не образуются паразитные транзисторные структуры, влияние которых в ряде случаев оказывается существенным. При изопланарной и анизотропной изоляциях рабочие транзисторы изолируются от подложки р-п-переходом, который возникает между скрытым коллекторным слоем и подложкой. При этом из-за взаимодействия базовых областей транзисторов и скрытых слоев с подложкой образуются паразитные транзисторы. Однако эти транзисторы обладают сравнительно малым коэффициентом передачи тока, так как сильно легированный скрытый слой, являющийся базой паразитного транзистора, обладает низкими инжек-ционными свойствами, малым временем жизни носителей и большим временем пролета. При диэлектрической изоляции заметно уменьшаются токи утечки на подложку и паразитные емкости. Так, например, ток утечки для окисла толщиной 3 мкм составляет 60 нА/см2

и оказывается на шесть порядков меньше, чем при изоляции р-п-пере-ходом. Паразитная емкость для окисла толщиной 5 мкм составляет (0,16 — 0,30) • 10"5 пФ/мкм2 и примерно на дв» порядка меньше емкости р-л-перехода. Однако процент выхода годных структур при использовании диэлектрической изоляции существенно снижается за счет деформации кремниевых пластин при выращивании SiO2. 1.7. Транзистор с да- Это объясняется различными коэф-электрической изоляцией, по- фициентами расширения кремния и лученный VIP-технологией двуокиси кремния. Последнее обстоя-18

Электрошлаковый процесс [Л. 33] (ЭШП) был разработан впервые Институтом электросварки имени Е, О. Патона АН УССР и прошел первые промышленные испытания в 1958 г. В сравнительно короткий срок этот процесс получил широкое применение для производства высококачественной стали в отечественной промышленности и за рубежом. Сущность процесса заключается в следующем ( 8-1). Расходуемый электрод 1 из переплавляемого металла погружается в слой жидкого электропроводящего флюса (шлака) 2, размещенный в водоохлаждаемом металлическом кристаллизаторе 3, к которому примыкает водоохлаждаемый поддон 4. Переменный электрический ток, проходящий по электроду и шлаку, поддерживает последний в расплавленном состоянии. Часть тепла, выделяемого в шлаковой ванне, передается электроду, торец которого оплавляется. Капли металла, стекающие с торца электрода, проходят через слой шлака, очищаются в результате контакта с ним и формируются в кристаллизаторе в виде слитка 5, верх которого образует лунка жидкого металла 6'. Размеры и форма слитка соответствуют размерам и форме внутренней полости кристаллизатора. В процессе плавки на боковой поверхности слитка образуется шлаковая корочка (гар-ниссаж) толщиной 1—3 мм, служащая естественной тепловой и электрической изоляцией слитка от кристаллизатора.

Для изготовления биполярных ИМС с электрической изоляцией компонентов р-п переходом необходимо иметь шесть масок. Конфигурации шаблонов для биполярных ИМС показаны на 17-6. Первая маска используется для получения скрытого слоя; она определяет границы этого слоя; следующие используются для создания диффузионного изолирующего канала р-типа и области базы, они состоят из узких полосок, отделяющих изолированные области, рисунка областей базы и диффузионных резисторов р-типа; третья маска используется при получении областей п+-типа для эмиттерных областей транзисторов и диодов, а также контактных участков п+-типа