Электрически связанных

Интегральная микросхема — это микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов и компонентов, которое рассматривается как единое целое [52]. В современных микросхема^ объемная плотность упаковки элементов может достигать десятков тысяч элементов в 1 см3.

Интегральная схема (ИС)—микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала, с высокой плотностью упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов] и кристаллов. Кроме термина интегральная схема используют термины интегральная микросхема или просто микросхема.

В соответствии с ГОСТ 17021—75 интегральной микросхемой (ИМС) считается микроэлектронное изделие с высокой плотностью упаковки электрически соединенных элементов, выполняющее определенные функции преобразования и обработки сигнала. Название "интегральная схема" (ИС) является общепринятым и распространенным в технической литературе.

Интегральной микросхемой (ИС) является микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов) и (или) кристаллов. С точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации ИС рассматривается как единое, конструктивно неразъемное целое.

'Гак как труба имеет длину несколько метров, то для ее нагрева нужен конденсатор, имеющий малую емкость па единицу длины. Такой конденсатор образуют заземленный дорн и второй электрод, состоящий из одной или двух электрически соединенных полос, параллельных оси трубы, Для получения равномерного нагрева трубу вращают с частотой 2—5 об/мин [10].

Интегральные микросхемы (ИМС) представляют собой микроэлектронные изделия, выполняющие определенные функции преобразования и обработки сигналов и имеющие высокую плотность «упаковки» электрически соединенных элементов в кристалле.

интегральные микросхемы, которые состоят из транзисторов, диодов, конденсаторов и резисторов, нераздельно связанных и электрически соединенных между собой так, что устройство рассматривается как единое целое. Интегральные схемы выполняются на основе интегральной технологии в едином технологическом процессе.

Устройство механизма с изменением активной площади электродов схематически показано на 5.27. Неподвижная часть состоит из симметрично расположенных и электрически соединенных электродов /. Секторо-образная пластина 2 вместе с указателем .?, укрепленная на оси, образуют подвижную часть. Под действием подведенного к электродам напряжения V создается электрическое поле. Силы электрического поля стремятся повернуть подвижную часть так, чтобы энергия электрического поля W3=1/2^/2C1 была наибольшей, т. е.

Принцип действия. Электрические машины синхронной связи служат для синхронного и синфазного поворота или вращения двух или нескольких осей, механически не связанных между собой. В простейшем случае синхронную связь осуществляют с помощью двух одинаковых, электрически соединенных между собой индукционных машин, называемых сельсинами (от слов self sinchroniring — самосинхронизирующийся). Одну из этих машин, механически соединенную с ведущей осью, называют датчиком, а другую, соединенную с ведомой осью (непосредственно или с помощью промежуточного исполнительного двигателя), — приемником.

Интегральная микросхема (микросхема) — это микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования, обработки сигнала и (или) накапливания информации и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов), которое с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации рассматривается как единое целое.

Интегральной микросхемой называется микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов и рассматривающееся как единое целое. Из определения видим, что ИС представляет собой микроэлектронное изделие, состоящее из транзисторов, диодов, резистсфов, кон-

где U л — линейное напряжение сети, кВ; 1К — общая длина Электрически связанных между собой кабельных линий, км; /в — общая длина электрически связанных воздушных линий, км.

Термин «гибридные интегральные функциональные устройства» (ГИФУ) появился в конце 70-х годов для обозначения функционально и конструктивно сложных микроэлектронных изделий, с особо высокими показателями микроминиатюризации. ГИФУ могут содержать не только бескорпусные и корпусированные ИМС и различные электрорадиоэлементы, собранные на одной коммутационной плате, но и несколько коммутационных плат, конструктивно и электрически связанных между собой. Они, так же как и микросборки, не могут быть использованы для самостоятельного применения вне той аппаратуры, для которой созданы. Этим они функционально и конструктивно отличаются от радиоэлектронных ячеек.

Интегральная микросхема — устройство с высокой плотностью упаковки электрически связанных элементов (или элементов и компонентов), выполняющее определенную функцию обработки и преобразования электрических сигналов и рассматриваемое с точки зрения конструктивно-технологических и эксплуатационных требований как единое целое. Элемент представляет собой часть ИМС (например, транзистор, диод, резистор и др.), выполненную неразрывно с кристаллом или подложкой, которую с точки зрения эксплуатационных требований, а также требований к испытаниям, упаков-

В современном понимании интегральная микросхема — это конструктивно законченное изделие электронной техники, выполняющее определенную функцию преобразования информации, содержащее совокупность электрически связанных между собой электрорадиоэлементов (транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов и др.), изготовленных в едином технологическом цикле.

В процессе реализации дистанционной и синхронной передач вращательных или угловых перемещений двух или нескольких осей различных машин, приборов и аппаратов, механически не связанных между собой, широко применяются индукционные однофазные системы синхронной связи, состоящие из двух или нескольких однотипных специальных электрических микромашин переменного тока — сельсинов, электрически связанных между собой.

Повышение пропускной способности ЛЭП достигается в основном за счет увеличения напряжения, однако существенное значение имеет также изменение конструкции ЛЭП, введение различных дополнительных компенсирующих устройств, 'при которых влияние параметров, ограничивающих передаваемую мощность, оказывается уменьшенным. Например, на ЛЭП напряжением 330 кВ и щыше расщепляют провода в каждой фазе на несколько электрически связанных между собой проводников, при этом существенно улучшаются параметры линий (уменьшается ее реактивное сопротивление); применяют так называемую последовательную компенсацию — включение в линию конденсаторов и т. д. "> Возможности дальнейшего повышения предельных мощностей требуют увеличения напряжений и изменения конструкции ЛЭП. Они связаны с общим техническим прогрессом, в частности с успехами в полупроводниковой технике, созданием совершенных материалов, разработкой новых видов передачи энергии.

Рассмотренные алгоритмы применимы для проектирования соединений между двумя контактными площадками элементов. На практике часто встречаются задачи (особенно при разработке цифровых БИС), когда требуется соединить большое количество электрически связанных элементов одной шиной (подвод напряжения питания, параллельная передача информации от одного источника и др.). Для проектирования таких соединений минимальной длины разработаны специальные алгоритмы, в основу которых положено выделение части схемы, т. е. множества элементов, подлежащих объединению одной трассой, и поэтапное определение фрагмента (группы элементов) путем нахождения минимальной трассы между сформированной частью фрагмента и очередным элементом.

вижной катушке 2 ( 10-14) осуществляется с помощью «безмо-ментных» проводников 3, электрически связанных с переключателем П2.

Однако высоковольтные элементы аппаратов по конструктивным и технологическим причинам изготавливаются с различными неровностями, выступающими деталями — края фланцев, головки болтов и т.п. Самостоятельный разряд на этих деталях возникает при очень низком напряжении в форме лавинной или стримерной короны. Для повышения начального напряжения короны необходимо уменьшить заряд на высоковольтном элементе аппарата в целом и на выступающих деталях в частности. Эта задача решается путем установки дополнительных электродов — экранов, электрически связанных с высоковольтным элементом. В этом случае заряд на высоковольтном элементе аппарата можно определить из системы потенциальных уравнений Максвелла

Для измерения магнитного потока используются магнитоэлектрические веберметры. Особенность этих приборов состоит в том, что в них отсутствует противодействующий момент и подвод тока к подвижной катушке 2 ( 10-15) осуществляется с помощью безмоментных проводников 3, электрически связанных с переключателем S2.

Так как численное значение ip зависит не только от абсолютного значения анодного тока ia, но и от скорости его спада dijdt (косвенно связанной с величиной обратного напряжения), а также от размеров поверхности катода и электрически связанных с ним деталей, то с ростом