Электрически активными

Требования, предъявляемые правилами техники безопасности к электрическим установкам, следующие: 1) применение соответствующих предупредительных плакатов и защитных ограждений, препятствующих доступу к неизолированным частям электроустановок, находящихся под напряжением; 2) сооружение защитного заземления или отключения, предотвращающего опасность прикосновения людей к металлическим частям оборудования, нормально не находящимся под напряжением, применение защитных средств (изолирующих подставок, бот, рукавиц, штанг и пр.); 3) организационное оформление производимых работ.

При решении практических задач, относящихся к электрическим установкам, начальным обычно полагают потенциал земли, который принимают равным нулю.

Примечание. Источники — Справочник по электрическим аппаратам высокого напряжения/Под ред. В. В. Афанасьева. Л.: Энергоатомиздат, 1987; Справочник по электрическим установкам высокого напряжения/Под ред. И. А. Баум-штейна и М. В. Хомякова. М.: Энергоиздаг, 1981; Промышленные каталоги 02.61.03—81, ЛК 02.84.01—81; Прейскурант оптовых цен № 15—03 с дополнениями, 1981.

Примечание. Источники — ТУ 34-09-1426—77, ТУ 13-12Ю5-77; Промышленный каталог 03.62.02—85; Справочник по электрическим установкам высокого напряжения/Под ред. И. А. Баулштейна и М. В. Хомякова. М.: Энергоиздат, 1981.

Примечание. Источники — ТУ 34-13-12505—77; Прейскурант оптовых ден № 15—05, 1980: Справочник по электрическим установкам высокого напряжения/Под ред. И. А. Баумштейна в М. В. Хомякова. М.: Энергоаздат, 1981.

33. Справочник по электрическим установкам высокого напряжения. Под :д. И. А. Баумштейна и М. В. Холякова. М., «Энергия», 1974. 568 с. с ил. Авт.: . С. Бгтхан, И. А. Баумштейн, В. Ф. Воскресенский и др.

2.4. Справочник по электрическим установкам высокого напряжения/С. А. Бажа-нов, И. С, Батхон, И. А. Баумштейн и др.; Под ред. И. А. Баумштейна и М. В. Хомякова. — 2-е изд., перераб. и доп.—М.: Энергоиздат, 1981.—656 с.

20. Справочник по электрическим установкам высокого напряжения / Под ред. И,А. Баумштсйна, С.А. Баженова. - М.: Энергоатомиздаг, 1989. - 768 с.

18. Справочник по электрическим установкам высокого напряжения/ Под ред. И.А.Бадмштейна, С. А. Бажанова. — М.: Энергоатомиздат, 1989.

44.4. Справочник по электрическим установкам высокого напряжения / Под ред. И.М. Баумштейна и С.А. Бажанова. —3-е изд. М.: Энергоатомиздат, 1989.

50.18. Справочник по электрическим установкам высокого напряжения / Под ред. И.А. Баумштейна, С.А. Бажанова. —3-е изд. М.: Энергоатомиздат, 1989.

руются и являются, таким образом, электрически активными центрами в решетке полупроводника ( 5.15). В результате этого, например, при высоких уровнях легирования атомы примеси могут занимать положения как в узлах, так и в междоузлиях решетки.

Как отмечалось, внедренные атомы в решетке твердого тела в основном занимают положения в междоузлиях и не являются электрически активными центрами. Для активации примесных атомов необходим отжиг, в процессе которого

Большинство внедренных ионов попадает в междоузлия, где они не являются электрически активными. Кроме того, в процессе облучения в полупроводнике возникают радиационные дефекты, количество которых растет с дозой облучения. Для устранения последних и перевода внедренных ионов в узлы кристаллической решетки после ионного внедрения проводится отжиг при Т ~ = 500 -5- 700 °С. В процессе отжига происходят распад и аннигиляция радиационных дефектов, а также активация легирующих примесей. Отжиг приводит, кроме того, к изменению профиля распределения примесей.

1 «Эффект политропии» заключается в расхождении концентраций атомов легирующей примеси и носителей заряда вследствие того, что при высоком содержании в полупроводнике примеси внедрения последняя может находиться в нем в различных формах: образовывать комплексы с атомами основного вещества (полупроводника) или с дефектами его структуры, входить в междоузлия, образовывать выделения второй фазы и пр. Некоторые из этих форм, в которых примесь находится в кристалле полупроводника, могут быть электрически активными, а некоторые нейтральными (см. Фистуль В. И. Сильнолёгированные полупроводники. М.: Наука, 1967. 316с).

Кристаллизуясь из нагретого до высоких температур расплава, кремний поглощает повышенное, вплоть до предельной растворимости, равной 2-Ю18 атом/см3, количество кислорода, входящего в состав твердого раствора. Однако после охлаждения выращенного монокристалла до 400— 600 °С и выдержки его при этих температурах в течение 1 ч и более, что имеет место при выращивании монокристаллов большого (свыше 80 мм) диаметра, происходит распад твердого раствора с выделением комплексов кремний — кислород. Они могут быть выражены формулой типа Si—О„, где п — целое число от 1 до 4 и более. Некоторые из этих комплексов, например Si—О*, являются электрически активными. Возможно образование активных комплексов и при температурах свыше 600°С, особенно при длительном нахождении монокристалла кремния при этих температурах.

В отличие от легирования электрически активными упрочняющими примесями введение изовалентных примесей не только не создает микродефектов, а, наоборот, подавляет возникновение их в монокристаллах полупроводниковых соединений. Одновременно подавляется возникновение вакансий летучего компонента в решетке соединения, место которых занимают атомы изовалентной примеси. Легирование полупроводниковых соединений изовалентными примесями позволяет также управлять периодом решетки монокристалла, изменяющимся при введении в него повышенной концентрации электрически активной легирующей примеси. По длине монокристалла плотность дислокаций, как правило, возрастает от его начала к концу, что является результатом проникновения дислокаций из высокотемпературной области их генерации к фронту кристаллизации. Однако если в процессе роста монокристалла температура боковой его поверхности возрастает, что имеет место, например, при опускании фронта кристаллизации в глубь тигля по мере уменьшения объема расплава в нем, то плотность дислокаций к концу монокристалла может уменьшиться.

переходу примесных атомов внедрения в примеси замещения, после чего они становятся электрически активными.

Другая особенность — отсутствие влияния примесей (по крайней мере до 0,1%) на электрические свойства материала. Кроме того, данные материалы обладают высокой радиационной стойкостью (свыше 1017нейтрон/см2). Технологические преимущества стеклообразных полупроводников (СПП) состоят в там, что их электрические характеристики слабо зависят от структуры и содержания примесей. Первое объясняется тем, что в СПП, представляющем 'неупорядоченную систему, электрические свойства определяются лишь ближним порядком в расположении атомов; второе тем, что в условиях высокой плотности центров захвата примеси не являются электрически активными (сравните явление, сопровождающее ионное легирование, гл. 1).

Другая особенность — отсутствие влияния примесей (по крайней мере до 0,1%) на электрические свойства материала. Кроме того, данные материалы обладают высокой радиационной стойкостью (свыше 1017нейтрон/см2). Технологические преимущества стеклообразных полупроводников (СПП) состоят в там, что их электрические характеристики слабо зависят от структуры и содержания примесей. Первое объясняется тем, что в СПП, представляющем 'неупорядоченную систему, электрические свойства определяются лишь ближним порядком в расположении атомов; второе тем, что в условиях высокой плотности центров захвата примеси не являются электрически активными (сравните явление, сопровождающее ионное легирование, гл. 1).

Углерод может блокировать термически введенные в монокристалл дислокации [204], обусловливать аномально высокую скорость диффузии золота.[203], являться причиной высоких токов утечки р-п-пере-ходов [205]. В зависимости от концентрации углерода при термических обработках кремния в нем могут существенно видоизменяться процессы преципитации кислорода [206], формирования высоко- и низкотемпературных термодоноров [207, 208] и термоакцепто'ров1, образования комплексов с электрически активными примесями [193], свирлевых дефектов [209]. Образованием с участием углерода комплексов (выделений) объясняются полученные результаты по изучению влияния углерода на термостабильность УЭС и тннз [210]. Оказалось, что при термической обработке при 903 К (скорость нагрева и охлаждения 20 К/мин, время выдержки 60 мин) величина отклонения УЭС от значения, обусловленного легирующим элементом, уменьшается с ростом концентрации углерода от 1-1016 до 7,5 • Ю17 см~3.

Пайку чаще всего осуществляют соединениями, которые содержат элементы IV группы периодической системы Менделеева. Олово и свинец являются электрически активными примесями - акцепторами. С течением времени они диффундируют в термоэлектрический материал и ухудшают его свойства. Поэтому всегда встает задача уменьшения диффузии припоя в полупроводниковый материал ветви термоэлемента. Для этого между припоем и термоэлектрическим материалом располагают различные так называемые антидиффузионные прослойки (или покрытия), которые препятствуют диффузии химических элементов из припоя или из материала шин в полупроводник.