Электрическим стиранием

Полученная формула по своей структуре аналогична формуле закона Ома для электрической цепи, состоящей из последовательно соединенных источника с э. д. с. Е и внешней цепи, сопротивление которой г = l/~[S. Магнитный поток в формуле (11.9) аналогичен току, а н. с. — э. д. с. Е источника. Поэтому величину /ср/^оЗ по аналогии с электрическим сопротивлением //у5 обозначают для краткости буквой /?„ и называют магнитным сопротивлени-е м магнитопровода:

Сила тока к. з. определяется данными генераторов, питающих систему, и результирующим электрическим сопротивлением цепи от генерирующих установок до места к. з., характеризующим «электрическую удаленность» места к. з.

большим электрическим сопротивлением, вызывает появление шумов и тем самым нарушает нормальную работу схемы. Фальшивую пайку можно обнаружить, если немного расшатать проводники, так как механическая прочность ее мала. Одновременно проверяют целостность проводов в местах пайки. Кроме того, пайка должна быть «скелетной», т. е. под припоем должен быть виден контур подсоединенного вывода, сквозной и двусторонней, а место спая — без пор, трещин, вздутий, наплывов и остатков флюса с блестящей поверхностью.

Сплав 50НХС обладает высоким удельным электрическим сопротивлением. Он рекомендуется для сердечников импульсных трансформаторов и аппаратуры связи звуковых и высоких частот, работающих без подмагничивания или с небольшим подмагничиванием.

Магнитодиэлектрики, как и ферриты, обладая высоким удельным электрическим сопротивлением, являются высокочастотными магнитными материалами. Они имеют некоторые преимущества перед ферритами, прежде всего более высокую стабильность свойств. Кроме того, особенности технологии производства магнитодиэлектриков соответствующей технологии пластмасс, позволяют получить изделия значительно более высоких классов точности и чистоты, чем при керамической технологии получения ферритов. По ряду электромагнитных параметров магнитодиэлектрики уступают ферритам.

Металлопластические магниты изготовляют, как и металлокерамические, из металлических порошков, но прессуют их вместе с изолирующей связкой и подвергают нагреву до невысокой температуры, необходимой для полимеризации связывающего вещества. По сравнению с литыми магнитами они имеют пониженные магнитные свойства, но обладают большим электрическим сопротивлением, малой плотностью и относительно дешевы.

Весьма существенно влияет на переходный процесс в электрической цепи значение вихревых токов, возникающих в сердечниках электромагнита. Поэтому для быстродействующих электромагнитов (с временами срабатывания порядка нескольких миллисекунд) магнитную цепь выполняют шихтованной и из материалов, обладающих высоким электрическим сопротивлением, — из высоколегированных кремнистых сталей, некоторых марок пермаллоев и ферритов.

электронике, вычислительной технике, технике связи. Особое место занимают вещества высокой магнитной проницаемости — магнитные диэлектрики — ферриты. Так как эти вещества обладают большим удельным электрическим сопротивлением, а следовательно, малыми потерями на вихревые токи, их можно применять на очень высоких частотах. Ферриты представляют собой системы из оксидов железа и оксидов двухвалентных (реже—одновалентных) металлов, соответствующие общей формуле МеО • Fe2O3 (где Me — символ двухвалентного металла). Многие ферриты имеют кубическую кристаллическую решетку, подобную решетке шпинели (MgO x X А1203).

большим электрическим сопротивлением и малой диэлектрической проницаемостью;

Из-за поверхностного эффекта и увеличения потерь в стали применение сердечников, собранных из стальных листов, при высоких частотах нецелесообразно. При высоких частотах применяют сердечники из ферритов х, обладающих большим удельным электрическим сопротивлением.

Изготовление магнитопластов (металлопластические магниты) основано на прессовании металлических порошков, смешанных со связующим веществом. Если к металлическому порошку сплава, например, системы железо — никель — алюминий — кобальт добавить около 5% массовой доли фенолформальдегидной смолы и прессовать смесь под давлением около 500 МПа при температуре 433... 453 К, то можно получить магниты различной конфигурации с погрешностью размеров ±0,4 мм при диаметре 15...20 мм. Магнито-пласты обладают высоким электрическим сопротивлением, легко армируются при прессовании. Однако они обладают остаточной индукцией на 35...40% и магнитной энергией на 30...50% меньше, чем литые магниты. Металлопластические магниты коррозиестойки и практически не требуют дополнительной обработки.

По способу занесения информации микросхемы ПЗУ разделяют па три основных вида: собственно ПЗУ, программируемые ПЗУ (ППЗУ) и репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ). Микросхема ПЗУ содержит накопитель и схемы обслуживания; информация заносится в накопитель при изготовлении. Микросхемы ППЗУ отличаются от микросхем ПЗУ тем, что в процессе их применения можно однократно ввести информацию в накопитель электрическим путем по заданной программе. Микросхемы РПЗУ предназначены для долговременного хранения и воспроизведения информации, записанной в процессе эксплуатации; они допускают многократную электрическую запись и стирание информации, но число циклов перепрограммирования ограничено (104... 107); от ОЗУ они отличаются также значительно меньшей скоростью записи по сравнению со скоростью считывания. Различают РПЗУ с электрическим стиранием информации и стиранием с помощью ультрафиолетового освещения (РПЗУ УФ), для чего в крышке корпуса имеется окно.

В МПЗУ и ППЗУ невозможно изменять содержимое их ЯП. Репрограм-мируемые ПЗУ (РПЗУ) допускают многократную смену хранимой в них информации. Фактически РПЗУ - это ОЗУ, у которых t3n»t4T. Замена содержимого РПЗУ начинается со стирания хранившейся в нем информации. Выпускаются РПЗУ с электрическим (EEPROM) и ультрафиолетовым (UVEPROM) стиранием информации. Например, БИС РПЗУ с электрическим стиранием КМ1609РР2А емкостью 8 Кбайт может перепрограммироваться не менее 104 раз, хранит информацию не менее 15000ч (около двух лет) во включенном состоянии и не менее 10 лет в выключенном. ВМС РПЗУ с ультрафиолетовым стиранием К573РФ4А емкостью 8 Кбайт допускает не менее 25 циклов перезаписи, хранит информацию во включенном состоянии не менее 25000 ч, а в выключенном не менее 100000 ч.

• со структурой металл — нитрид кремния — окисел кремния — полупроводник (МНОП), которые используются в РПЗУ с электрическим стиранием, в том числе и с избирательным стиранием.

Репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ). Репрограммируемые ПЗУ делятся на две группы: 1) с электрическим программированием и ультрафиолетовым стиранием EPROM; 2) с электрическим программированием и электрическим стиранием EEPROM. К последней группе также относятся РПЗУ с избирательным стиранием EAROM.

ПМЛ GAL фирмы Lattice, например, использует программируемую логику с электрическим стиранием, так что вы можете перепрограммировать кристалл. Более того, выходные структуры («макроячейки») сами программируемы,-каждый выход может быть как регистром, так и комбинационной схемой с прямым и инверсным выходом. Похожей программи-руемостью обладают линия активации 3-го состояния и линия включения обратной связи (последняя может подключаться до и после буфера с 3 состояниями или к соседнему выходу); см. 8.84. В результате, вы можете имитировать любую обычную 20-выводную ПМЛ, используя только один корпус GAL16V8 (и любую обычную 24-выводную ПМЛ, используя GAL20V8). Это позволяет сохранять перечень комплектующих изделий в управляемых границах.

В репрограммируемых ПЛИС с памятью конфигурации типа EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) стирание старых данных осуществляется электрическими сигналами. Используются двухзатвор-ные ЛИЗМОП-транзисторы. Управление процессами в транзисторе производится с помощью двух затворов — обычного и плавающего. При определенных сочетаниях программирующих напряжений на внешних выводах транзистора (плавающий затвор внешнего вывода не имеет) создаются режимы как заряда плавающих затворов, так и их разряда. В русской терминологии память типа EEPROM называют РПЗУ-ЭС (репрограммируемые запоминающие устройства с электрическим стиранием). Электрическое стирание содержимого памяти не требует извлечения микросхем из устройства, в котором они используются. Число допустимых циклов репрограммирова-ния хотя и ограничено, но на порядки превышает соответствующие числа для памяти с ультрафиолетовым стиранием информации и составляет 105-106. Элементы памяти с электрическим стиранием вначале заметно проигрывали элементам с ультрафиолетовым стиранием по площади, занимаемой на кристалле, но быстро совершенствуются и становятся преобладающими для класса ПЛИС со стиранием конфигурации в специальных режимах.

К памяти типа EEPROM близка память конфигурации типа Flash. Запоминающие элементы по своему принципу действия у обоих видов памяти идентичны — это ЛИЗМОП с двумя затворами и электрическим стиранием информации. Различия имеются в организации процессов записи и стирания данных и, кроме того, при разработке Flash-памяти достигнут особенно высокий уровень параметров (быстродействия, уровня интеграции, надежности и др.). Разработку Flash-памяти считают кульминационным пунктом десятилетнего развития памяти типа EEPROM. В современных ПЛИС находят применение обе разновидности памяти конфигурации с электрическим стиранием данных.

электрическим стиранием

репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ). Модули такого типа могут использоваться неоднократно, с этой целью записанная информация должна быть стерта, после чего возможно новое программирование. Получили распространение следующие разновидности РПЗУ: с ультрафиолетовым стиранием путем дозированного облучения кристалла (EPROM — Erasable Programmable ROM) и с электрическим стиранием путем подачи на ячейки памяти соответствующих сигналов (EEPROM — Electrically Erasable Programmable ROM). Разновидностью последних являются схемы, выполненные по технологии FLASH (FLASH EEPROM). Схемы с электрическим стиранием допускают тысячи циклов перезаписи, с ультрафиолетовым — существенно меньше (десятки).

с электрическим программированием и электрическим стиранием (БЕРНОМ). Оба процесса осуществляются с использованием специального программатора. При отсутствии напряжения питания ПЛИС сохраняют заданную структуру;

устройства (ПЗУ) с электрическим стиранием (типа EEPROM или FLASH). Микросхемы этой элементной базы имеют большую информационную плотность при меньшем энергопотреблении. Это позволило существенно увеличить память программ малых ПЛК (до 64 К) при уменьшении габаритов плат CPU. Резервный автономный источник питания теперь может использоваться для поддержания работоспособности устройства в целом.