Электрические параметры

Электрические осветительные установки. Электрические светильники представляют собой однофазную нагрузку, однако благодаря незначительной мощности приемника (обычно не более 2 кВт) в электрической сети при правильной группировке осветительных приборов можно достичь достаточно равномерной нагрузки по фазам (с несимметрией не более 5—10%).

Электрические осветительные установки 13, 155

Электрические осветительные установки. Электрические светильники представляют собой однофазную нагрузку, однако благодаря незначительной мощности приемника (обычно не более 2 кВт) в электрической сети при правильной группировке осветительных приборов можно достичь достаточно равномерной нагрузки по фазам (с несимметрией не более 5-10%).

Электрические осветительные установки 15, 47

Электрические осветительные сети и взрывозащищенные светильники рекомендуется осматривать не реже одного раза в месяц.

Производство электроосветительной арматуры до революции велось в небольшом масштабе. Наиболее значительными по объему производства в годы перед первой мировой войной были: арматурный завод в Петербурге и мастерская осветительной арматуры при универсальном магазине компании «Мюр и Мерилиз» в Москве. Первые электрические осветительные установки со свечой Яблочкова появились в 1878 г. в Петербурге. Электрическое освещение было устроено в Михайловском манеже и в Зимнем дворце, на площади перед Александрийским театром, в некоторых магазинах и местах общественного пользования, на Охтенском капсюльном заводе. Осветительные установки появились также в Москве и в других городах. Несмотря на большой интерес, проявленный к электрическому освещению, его распространение замедлялось дороговизной электроэнергии; в эти годы еще не существовало электрических станций общественного пользования для централизованного производства электроэнергии, а каждая осветительная установка питалась от собственного генераторного устройства, называемого блок-станцией.

- электрические осветительные установки;

61.3. Электрические осветительные приборы.. 471 Основные характеристики осветительных приборов (471). Светильники (474). Прожекторы (485).

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ОСВЕТИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ

61.3. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ОСВЕТИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ОСВЕТИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ

Электрические параметры параметрических преобразователей измеряются мостовыми методами и логометрами, ЭДС генераторных преобразователей — вольтметрами и компенсационным методом.

В теоретически возможном случае, когда электрические параметры обмоток синхронизации обоих сельсинов одинаковы и отсутствуют силы трения в осях сельсина-приемника, ротор последнего установится в положение, точно соответствующее положению ротора сельсина-датчика, а токи в линии связи исчезнут. Однако такого положения никогда не бывает; ротор сельсина-приемника поворачивается на угол а„, близкий к углу ад, но не равный ему. Конечная разность углов поворота роторов датчика и приемника называется углом рассогласования:

Основные электрические параметры короткозамыкателей: номинальное напряжение ?/„, амплитуда предельного сквозного тока г'тах, начальное действующее значение периодической составляющей /„, ток термической устойчивости /с

Для каждой реализации массива значений конструкционных параметров последовательно рассчитываются значения электрических параметров и сравниваются с допустимыми отклонениями. При несоответствии значения электрического параметра полю допуска расчет для данной реализации прекращается и формируется следующая реализация. Та, при которой удовлетворены ограничения на все электрические параметры, регистрируется, после чего цикл повторяется для следующей реализации. Соотношение общего числа реализаций и реализаций, удовлетворяющих всем наложенным ограничениям, рассматривается как условная вероятность выхода годных.

Накрутку получают с помощью специального инструмента — валика навивки при его вращении с проводом и продольном перемещении вдоль вывода ( 7.19). Приводом служит электрический или пневматический двигатель. Валик 3 имеет два отверстия: центральное для размещения вывода 2 и боковое ступенчатое для размещения монтажного провода 1. На торце валика выполнена выточка, форма которой влияет на условия навивки и качество соединения. На валик в осевом направлении действует пружина, сила которой определяет однородность и плотность накрутки. Наружный диаметр D втулки 4 выбирают в зависимости от размеров выводов, диаметра провода и условий получения соединения. Для регулировки глубины накрутки изменяют высоту Н, используя набор валиков навивки. Сила натяжения провода, которая определяет механические и электрические параметры соединения, зависит от конфигурации выточки на торце валика навивки, радиуса скругления стенки бокового отверстия и шероховатости рабочей кромки. Оптимальное значение силы натяжения провода находится в пределах 5.. .30 Н и подбирается экспериментально путем определения усилия стягивания накрутки с вывода.

Для стандартизации подключения всех ВЗУ и УВВ к магистралям, идущим от каналов к устройствам, все электрические параметры этих магистралей стандартизованы. Этот стандарт называется главным интерфейсом ВС.

Пример 6.12. По данным примера 6.11 и заданным уровням частотных искажений GS=GB = — 2 дБ на частотах /;н=150 Гц и fB = = 10 кГц и выходному напряжению t/2 = 240 В рассчитать электрические параметры выходного трансформатора.

Рассмотрены структуры и электрические параметры элементов интегральных микросхем (ИМС), основные принципы технологии и конструкции полупроводниковых и гибридно-пленочных ИМС, их классификация и электрические схемы.

Выбор типов и диапазон возможных значений параметров пассивных элементов ИМС ограничиваются возможностями планарной технологии. Некоторые элементы (например, трансформаторы) вообще невыполнимы в микроэлектронном варианте конструкции, другие (например, конденсаторы) имеют ограниченный диапазон емкостей, большой разброс при изготовлении, низкие электрические параметры, температурную и временную стабильность. Кроме того, в полупроводниковых микро: схемах все большую долю элементов составляют транзисторы. МДП интегральные микросхемы часто вообще не содержат других элементов, кроме транзисторов. Это позволяет уменьшить потребляемую схемой мощность, увеличить ее быстродействие. Трудоемкость и стоимость полупроводниковых ИМС при этом практически не возрастают.

Чаще всего ИМС синтезируется из готовых типовых элементов схем, заблаговременно рассчитанных и хранящихся в памяти вычислительного комплекса, недостающие элементы проектируемой схемы рассчитываются заново. Таким образом, первый этап проектирования — расчет необходимых параметров активных и пассивных элементов. По заданной геометрической конфигурации, характеристикам материалов и другим исходным данным рассчитываются все параметры элементов, составляются и оптимизируются их математические модели (эквивалентные схемы). Набор элементов — транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов, имеющих различные геометрические размеры и электрические -параметры, накапливается в памяти машины в виде банка данных. Оттуда изображение элемента, отражающее его геометрические размеры, конфигурацию, по выбору конструктора можно вывести на экран графического дисплея вместе с параметрами элемента, представляемыми на том же экране в знаковой форме. В процессе работы

Электрические параметры цифровых ИМС