Эквивалентную добротность

При питании регулятора частоты от гармонической обмотки увеличивается коэффициент усиления системы, так как приращению частоты в основной обмотке генератора соответствует приращение частоты в гармонической обмотке, увеличенное в три раза, что эквивалентно увеличению коэффициента усиления системы. Точность регулирования пропорциональна коэффициенту усиления системы.

Рассмотрим емкость р — «-перехода для двух случаев: при приложении напряжения в запирающем и проводящем направлении. В запирающем направлении емкость р — «-перехода, называемая барьерной, зависит от величины приложенного напряжения, которое изменяет перераспределение зарядов. Эта зависимость объясняется тем, что изменение объемного заряда, образованного неподвижными атомами примесей, связано с изменением ширины области, занимаемой этим зарядом. Увеличение этой области эквивалентно увеличению расстояния между пластинами конденсатора и уменьшению его емкости.

ослабляются блоком k'm(f). Чем больше степень предыскажения, тем больше подавляются помехи. Так, при отсутствии предыскажений на выходе ЧД устанавливается ФНЧ, идеальная АЧХ которого приведена на 3.34, б. Мощность помех на выходе ФНЧ пропорциональна площади, ограниченной его АЧХ. Из рисунка видно, что площадь под кривой /г'нч(/) меньше, чем под /гфнч(/), следовательно, в блоке коррекции предыскажений помехи ослабляются в несколько раз, что эквивалентно увеличению отношения сигнала к помехе. Амплитудный спектр помех в этом случае показан на 3.34,6 (кривая 2). Эффективность НЧ предыскажений можно оценить коэффициентом ц, равным отношению мощности помехи к мощности сигнала на выходе приемника без предыскажений к такому же отношению при его введении. Учитывая, что предыскажение не влияет на сигнал, выражение для q представим в виде

В эквивалентных Т-образных схемах ОЭ и ОК ( 39, б, в) действующее значение зарядной емкости коллектора Ск увеличивается в 1 + /?21 э раз из-за влияния обратной связи коллектор •- эмиттер. Действие емкости Ск можно понять на примере схемы ОЭ, рассматривая транзистор с заданным напряжением UK на коллекторе с током /g в цепи базы, задаваемым генератором G ( 40). Если на коллекторе создать приращение напряжения ДС/К, то заряд на емкости Ск изменится на ДО = СКДС/К, причем "верхняя" его обкладка получит положительный заряд ДО от источника напряжения (UK + ДС/К) , а с "нижней" обкладки заряд ДО стечет в базу транзистора и вызовет перенос заряда /?21ЭДО в цепи коллектора. Следовательно, приращение напряжения Д?/к приводит к переносу заряда (ДО + Л21ЭА(2) = Ск (1 + /?21 э) 'АС'к из внешней цепи питания, а это эквивалентно увеличению действующего

Если для подачи сигнала между двумя базами это выражение очевидно, то для подачи сигнала между базой одного транзистора и общей шиной оно требует дополнительных пояснений. При подаче входного напряжения между базой и общей шиной в базе этого транзистора потенциал изменяется на At/BX, что, как было показано выше, вызовет появление в эмиттере изменения потенциала той же полярности на величину At/BX/2, т. е. разность потенциалов между базой и эмиттером станет вдвое меньше и входной ток первого каскада соответственно уменьшится вдвое, а это эквивалентно увеличению вдвое входного сопротивления.

Внедрение зарядов в пространство, сопровождающее корону, эквивалентно увеличению радиуса коронирующего провода, что приводит к уменьшению au и увеличению коэффициента связи. Вычисленный или найденный опытным путем в этих условиях коэффициент связи носит название статического &ст. Однако значения ?Ст не могут применяться при волновом режиме. Поскольку при наличии короны скорости распространения волны вдоль коронирующего и некоронирую-щего провода различны, нельзя применить использованный выше прием перехода к волновому режиму путем перемещения вдоль линии плоского статического поля со скоростью с, как это было сделано для линии без потерь.

Уменьшение тока в первичном контуре эквивалентно увеличению в нем активного сопротивления. Физически это объясняется тем, что энергия, подводимая от генератора к первичному контуру, расходуется не только в нем, но частично передается и во вторичный контур. Условно можно говорить о том, что вторичный контур как бы «вносит» в первичный дополнительное «вносимое сопротивление». Введение этого понятия удобно для расчетов, хотя и не отражает физической сущности явления, так как реальное сопротивление в контур не вносится.

Как видно из '4-21, вектор реактивной составляющей iclx входного тока больше вектора емкостного тока ZCCIK- Из сравнения этой диаграммы с векторной диаграммой для диода (4-20) видно, что в двухэлектродной лампе реактивная составляющая ix входного тока i оказывается меньше емкостного тока ic. Это отличие объясняется разными фазовыми сдвигами между наводимым током и напряжением. В диоде ток ?нав отстает но фазе от приложенного высокочастотного напряжения, что эквивалентно внесению некоторого индуктивного сопротивления, уменьшающего емкостный ток в лампе. В многоэлектродных лампах наводимые в цепи сетки токи гКС1нав и ?С1С2навпротивоположны по направлению и результирующий наведенный ток опережает по фазе приложенное напряжение, что эквивалентно увеличению входной емкости. В соответствии с этим эквивалентная емкость диода составляет лишь часть емкости С, а эквивалентная входная емкость многоэлектродных ламп больше емкости СС1К.

Схема включения тиристора показана на 15-9. Как видно из этого рисунка, ток /у управляющего электрода, втекающий в область р2, суммируется с общим током через прибор, что в общем эквивалентно увеличению коэффициента передачи тока а2.

Параллельное включение дросселя эквивалентно увеличению дополнительной утечки через гидронасос (см. 4.18,6), которая согласно (3.28) составляет

Другим способом повышения крутизны лампы является использование вторичной эмиссии. Лампы со вторичной эмиссией имеют специальный дополнительный электрод — динод, выполненный из материала с коэффициентом вторичной эмиссии ст=5-т-6. Динод располагается после защитной сетки в пространстве А—С3. При условии, что Уд> >Uo (напряжение динода), выбитые с динода вторичные электроны летят к аноду, что эквивалентно увеличению крутизны анодно-сеточной характеристики лампы по первой сетке в а раз.

Вводят эквивалентную добротность нагруженного контура

4. Определить частоту квазирезонанса /0, коэффициент передачи Ро и эквивалентную добротность моста Вина (при максимальном сопротивлении резистора ./? регулировки частоты).

5. Собрать схему избирательного усилителя с мостом Вина в цепи положительной обратной связи операционного усилителя. Коэффициент усиления регулировать цепью отрицательной обратной связи. Определить квазирезонансную частоту усилителя, коэффициент усиления и эквивалентную добротность усилителя на этой частоте. Сравнить с результатами п. 4.

9.9. Определим эквивалентную добротность контура

Помимо LC-контуров в резонансных усилителях применяют кварцевые резонаторы, электромеханические и магнитострикцион-ные фильтры, работающие на частотах от нескольких десятков герц до 10 — 20 МГц и имеющие эквивалентную добротность от нескольких десятков до нескольких десятков (и даже сотен) тысяч. Это позволяет создавать усилители с чрезвычайно узкой полосой пропускания, очень малыми собственными шумами, способные выделять на фоне интенсивных шумов и помех очень слабые сигналы.

Следовательно, эквивалентную добротность контура можно найти по амплитудно-частотной характеристике усилителя. Из формулы (6.175) видно, что эквивалентная добротность контура уменьшается при малых г*к и RH. Для уменьшения шунтирования

Для расчета ширины полосы пропускания контура в реальном случае следует предварительно определить эквивалентную добротность всего параллельного соединения согласно формуле (5.25):

или его сплавов (от десятков до нескольких тысяч герц) позволяют получить эквивалентную добротность до 2000. Следовательно, магнитострикционные преобразователи могут использоваться в качестве -высокодобротных колебательных систем как для генераторов с относительно высокой стабильностью, так и в качестве узкополосных селективных систем. В этом отношении магнитострикционные преобразователи из ферритов, обладая меньшим к. п. д. на низких частотах, чем преобразователи из никеля, почти не меняют своего к. п. д. при увеличении частоты. Поэтому на частотах выше 100 кГц ферритовые преобразователи обладают заметно большим к. п. д., чем преобразователи из ферромагнитных сплавов.

Для сравнения рассматриваемой схемы с каскадом, имеющим резонансный контур, определим эквивалентную добротность Qa, которую должен

а обобщенная расстройка (3.116) определяется через эквивалентную добротность (4.34).

Для сравнения рассматриваемой схемы с каскадом, имеющим разо'нансный контур, определим эквивалентную добротность Q а, которую должен иметь контур резонансного каскада при равной полосе