Эквивалентно уменьшению

Сложные операторы при этом выполняются как программы, состоящие из простых команд, которые в этом случае называются микрокомандами. Следовательно, выполнение сложной команды эквивалентно включению программы выполнения этой команды на языке микрокоманд. Где же хранить эти программы? Хранить их в ОЗУ недостаточно надежно, кроме того, это расходует емкость ОЗУ и замедляет работу из-за постоянных обращений к ОЗУ при выполнении микропрограмм. Более подходящее решение — разместить эти программы в ПЗУ. По ходу дела отметим, что ПЗУ бывают разных типов: в одних запись программ производится соответствующей прошивкой проводников, в других — методом пережигания диодов, в третьих возможна перезапись информации более сильными и длительными импульсами. Во всех случаях ПЗУ может работать быстрее ОЗУ, так как работает только на считывание, надежнее защищает информацию (в большинстве ПЗУ информация не пропадает при снятии напряжения питания).

а — оо эквивалентно включению на постоянную э. д. с. 11т (см. § 11.10);

Задача II 1.18. Решить задачу о включении контура г, L и С на постоянное напряжение методом наложения, а именно предположить, что от момента t = — оо до t — 0 к контуру были приложены два равных и противоположно направленных напряжения + Е и — Е, что равносильно отсутствию приложенного напряжения. Установившиеся токи от этих напряжений порознь равны нулю, а на конденсаторе существуют два равных и противоположно направленных напряжения j- E. Если теперь выключить отрицательное напряжение — Е, то, с одной стороны, это эквивалентно включению контура на + Е, а с другой стороны — на-

Короткое замыкание нагрузочного сопротивления эквивалентно включению во вторичный контур э. д.с., равьой этому напряжению Ri%.

Всякое сопротивление создает на своих зажимах падение напряжения Аи и может быть заменено э. д. с., равной и противоположно направленной этому Дм, т. е. к' = —Аи; такая замена не вызывает в схеме изменений токов и напряжений. Закорочение такого сопротивления эквивалентно удалению э. д. с. е или включению противоположной э. д. с. е" = —е' — Аи, так как включение двух равных и противоположных э. д. с. не вносит изменений в распределение токов. Переходный процесс в такой схеме складывается, следовательно, из установившегося режима до коммутации и из переходного процесса от включения в измененную схему э. д. с. е" при отсутствии предыдущих источников. Наоборот, включение добавочного сопротивления эквивалентно включению последовательно с ним э. д. с., равной и противоположно направленной напряжению на этом сопротивлении при токе до коммутации.

Обе э. д. с. ?" и Е", будучи равными и противоположно направленными, взаимно компенсируются, и схема становится эквивалентной схеме VI.2,а, но с включенным рубильником Р; закорачивание сопротивления /-2 эквивалентно включению ?"' =

Проще задача решается методом эквивалентного генератора: шунтирование сопротивления К эквивалентно включению вместо

величину 1С = —arctg (coCZB), а включение в конце той же линии индуктивности L эквивалентно включению отрезка короткозамкну-той линии длиной 1L— — arctg -^— .

величину lc~ -n^ arctg to С ZB, а включение в конце той же линии индуктивности L эквивалентно включению отрезка короткозамкну-той линии длиной /х. = 7^- arctg -j-~.

Закорачивание фазы реактора эквивалентно включению в эту фазу реактивности х=1,2. Следовательно, дополнительная реактивность, включаемая в схему прямой последовательности, согласно (15-24) будет:

Суммирование в (1.27) выполняется по правилам двоичного сложения, при этом перенос р_т =0 . Если при суммировании первых слагаемых в (1.30) положить р_т = 1, то это будет эквивалентно включению в процесс суммирования и слагаемого 2-™. Значит, временные затраты на реализацию формул (1.30) и {1.27) будут одинаковыми. С учетом сказанного запишем эти формулы единообразно:

В подавляющем большинстве современных измерительных линий применяются зонды емкостного типа, выполненные в виде тонкого вертикального штыря. Такой зонд реагирует на электрическую составляющую поля Е в линии, причем наводимая ЭДС пропорциональна глубине его погружения в линию. Введение зонда в щель эквивалентно включению комплексной проводимости, реактивная составляющая которой искажает картину поля в измерительной линии и поэтому она должна быть скомпенсирована. Это достигается настройкой зондовой головки в резонанс с помощью специальной резонансной системы. В качестве такой системы в СВЧ-диапазоне применяют так называемый бикоаксиальный резонатор. Экран зонда и внутренняя поверхность среднего цилиндра образуют контур зонда, а внешняя поверхность этого цилиндра и внутренняя поверхность наружной трубы — контур СВЧ-детектора. Настройка измерительной линии производится с помощью поршней 4 до получения максимального тока (напряжения) детектора — СВЧ-диода 5.

Внесение в воздушный зазор ферромагнитного тела эквивалентно уменьшению зазора. Увеличение индукции В„ при этом будет определяться не кривой размагничивания, а линией hmn. Возврат индукции к прежнему значению при удалении из зазора внесенного ферромагнитного тела будет определяться линией nkh. Петля hmnkh называется

Для ненасыщенной стали (В6<1,ЗТл) характер изменения индуктивности соответствует зависимости (6.15), отраженной на графике (см. 6.13). С увеличением индукции возбуждения В& сталь магнитопровода ЭДН при 6 = 0 насыщается, падение магнитного потенциала на стальных участках увеличивается, что эквивалентно уменьшению зубчатости магнитопровода. Действительно, значения Ltl при 0 = я/2 с увеличением Bs увеличиваются, зависимость Lfl=f(Q) с увеличением В6 стремится к прямой, соответствующей гладкому магнитопроводу ( 6.12). Результаты расчета Ljfl с учетом и без учета изменения магнитной проницаемости стали в переходном режиме в пределах 9<я/2 совпадают, так как за это время потокосцепления обмоток Ч^ и 4*2 меняются незначительно по отношению к исходным значениям.

При такок5 распределении тока нижняя часть сечения стержня не используется, что эквивалентно уменьшению сечения и увеличению активного сопротивления. Вместе с тем повышенное индуктивное сопротивление при пуске обеспечивает уменьшение пускового тока.

С ростов* частоты возрастает роль вихревых токов, происходит вытеснение магнитного поля из толщи экрана, что эквивалентно уменьшению магнитной п^рон:и:и;аегчлости, и экран^ переходит в электромагнитный реэким^ работы. 14<1агнитный экран одинаково пригоден для защиты от воздействия внешнего магнитного поля и внешнего простран:ства от ллагнитного поля, созданного источниколл внутри экрана. "Эффективность экранирования магнитостатическим экраном можно определить, по формуле G) = 1 -+- \±dI Г> , где ц —относительная магнитная проницаемость.

Чтобы уменьшить влияние электромагнитного поля катушки на другие элементы схемы, а также для уменьшения влияния внешних полей на катушку, ее помещают внутри металлического экрана. Если сечение экрана в плоскости, перпендикулярной осевой линии катушки, образует замкнутый контур, то по экрану проходят токи, индуктируемые полем катушки. Как видно из 7.11, вне экрана поля катушки и экрана направлены в противоположные стороны, т. е. экран ослабляет поле катушки в окружающем ее пространстве и уменьшает влияние катушки на другие элементы аппарата. Одновременно следует отметить, что внутри катушки поля катушки и экрана также направлены в противоположные стороны, т. е. поле экрана ослабляет основное поле катушки, что эквивалентно уменьшению ее индуктивности.

При отрицательной обратной связи по напряжению (см. 4.4, а и б) выходное сопротивление уменьшается — здесь напряжение обратной связи снижается и поэтому при уменьшении сопротивления нагрузки (или увеличения) уменьшается коэффициент усиления разомкнутого усилителя (или соответственно увеличивается), глубина отрицательной обратной связи уменьшается (увеличивается), напряжение на выходе изменяется несущественно, что эквивалентно уменьшению выходного сопротивления усилителя:

Внесение в воздушный зазор ферромагнитного тела эквивалентно уменьшению зазора. Увеличение индукции Вм при этом будет определяться не кривой размагничивания, а линией hmn. Возврат индукции к прежнему значению при удалении из зазора внесенного ферромагнитного тела будет определяться линией nkh. Петля hmnkh называется частной петлей гистерезиса. Чем значительнее уменьшение воздушного зазора, тем длиннее частная петля гистерезиса и при полной ликвидации воздушного зазора точка п попадает на ось Вм. Путь, по которому таким образом перемещается точка п, имеющий, как правило, небольшую кривизну, носит название линии возврата.

тс через поперечное сечен-ie диэлектрика в единицу времени протекает большее количество электричества при том же напряжении, i то эквивалентно уменьшению сопротивления цепи.

Эквивалентное реактивное сопротивление х может быть больше xlt если хц < 0, и меньше xlt если хц > 0. Э. д. с. взаимной индукции во вторичном контуре отстает по фазе от потока взаимной индукции, а следовательно, при М > 0 и от тока Д на угол л/2. При индуктивном характере цепи второго контура (х\\ > 0) ток /2 в предельном случае будет отставать от этой э. д. с. на угол л/2 и, следовательно, окажется в противофазе с током Д. Это означает, что магнитный поток, обусловленный током /2, направлен против магнитного потока, обусловленного током Д, что приводит к уменьшению магнитного потока в первом контуре, и это эквивалентно уменьшению реактивного сопротивления первого контура.

Зависимости погрешностей, рассчитанные для диапазона а от 0 до 2я при заданных исходных данных, имеют вид 6.4. По полученным значениям е^ь, е/а, еьь, Ska = f(a'} можно легко определить классификационные параметры согласно ГОСТ или статистический критерий Я. С помощью цифровой модели не составляет особого труда проанализировать влияние любого из факторов, отраженных в исходных данных. В качестве примера можно указать решение задачи о максимальной компенсации погрешностей поворотного трансформатора со стабилизацией магнитного потока [66]. Включение усилителей обратной связи в схему по своему действию эквивалентно уменьшению влияния собственных параметров обмоток поворотного трансформатора, что моделируется изменением, например, активного и индуктивного сопротивлений обмотки возбуждения. Характер изменения классификационных параметров точности при этом иллюстрируется 6.5 для машины с диаметром корпуса 20 мм и 6.6— для машины с диаметром корпуса 12 мм.

Кроме того, наличие в полевом транзисторе проходной емкости Сзс, аналогичной емкости анод — сетка в вакуумной лампе, приводит к возникновению в полевом транзисторе частотно-зависимой обратной связи. С ростом частоты увеличивается обратная связь через цепь гсС3(. (см. 6.5), что эквивалентно уменьшению полного входного сопротивления полевого транзистора и уменьшению его усиления.