Эквивалентно появлению

Нелинейные искажения в усилителе с ОС также определяются чувствительностью KF к изменению Ко- Приращение выходного-тока, связанного с помехами, пульсациями, дрейфом, дополнительными составляющими сигнала; эквивалентно изменению К0. Коэффициент гармоник при ОС можно определить по выражению

Шунтирование резистором ^6 промежутка 'база — змиттер транзистора УЦ (а также V\z резистором R7) эквивалентно изменению 'параметров /1ца и /i2ia, принимающих значения [1]

понижение отрицательного напряжения смещения на сетке генераторной лампы и возрастание постоянной составляющей /а анодного тока. Изменение постоянной составляющей эквивалентно изменению Rn — внутреннего сопротивления между анодом и катодом лампы. Сопротивление Кл используют в качестве одного из плеч моста постоянного тока ( 4-13). Можно уравновесить такой мост без испытуемого образца Сх. При включении образца с потерями вследствие увеличения активной проводимости контура постоянная составляющая анодного тока возрастет, сопротивление Кл уменьшится, равновесие моста нарушится и в диагонали моста появится ток. Для сохранения неизменной частоты колебаний до включения образца емкость переменного конденсатора уменьшают на значение Сх. По значению тока в диагонали неуравновешенного моста можно определить tg б. Данный метод позволяет выполнить приборы с прямым отсчетом tg б.

ЗА является сложнейшей биологической системой, изучением которой занимаются различные ученые — медики, психологи, физиологи и т. д. Однако до сих п,ор многие свойства ЗА изучены не-достаточн*о. Обобщенно ЗА можно представить в виде эквивалентной системы ( 2.1), основными блоками которой являются оптическая система /, светочувствительный блок 2 и блок обработки зрительной информации 3. Блоки охвачены прямыми и обратными связями, с помощью которых адаптивно перестраиваются параметры оптической системы и светочувствительного блока. Основными элементами оптической системы ( 2.2) являются хрусталик и зрачок радужной оболочки. Свойство хрусталика менять свою кривизну под действием управляющих сигналов мозга называется аккомодацией. При этом обеспечиваются наилучшие условия рассматривания разноудаленных объектов, оптические изображения которых в фокальной плоскости будут совпадать со светочувствительной оболочкой глаза — сетчаткой. В зависимости от размеров зрачка меняется количество света, попадающего в глаз. Изменение параметров хрусталика и зрачка эквивалентно изменению фокусного расстояния объектива и диафрагмы фотоаппарата.

Если начальное напряжение между базой и эмиттером транзистора было 0,6 В, а напряжение на сопротивлении делителя было выбрано 3 В, то при изменении U(,.3 на 100 мВ, что эквивалентно изменению температуры окружающей среды на 50 °С, ток каскада изменится лишь на 3%. Естественно, такие изменения не отразятся на характеристике каскада как усилителя переменного тока. Возрастание падения напряжения на сопротивлении увеличивает глубину отрицательной обратной связи, тем самым еще больше стабилизируя режим работы каскада. Однако для получения неизменного выходного напряжения с каскада будет необходимо увеличить напряжение питания на ту же величину. Для того чтобы избежать отрицательной обратной связи по переменному напряжению, необходимо зашунтировать резистор R3 конденсатором Сэ. При выборе емкости конденсатора необходимо учитывать, что по нему, кроме входного тока, протекает усиленный в $ раз выходной ток транзистора и поэтому его емкость, особенно при усилении низкочастотных сигналов оказывается большой.

Равенство (2. 14) свидетельствует о том, что при изменении ЭДС Ет токи lk и I p связаны линейной зависимостью. Из теоремы компенсации известно, что любое сопротивление можно заменить источником ЭДС. Следовательно, изменение сопротивления в m-ветви эквивалентно изменению ЭДС Ет. Таким образом, линейное соотношение между двумя любыми токами (2.14) имеет место при изменении не только ЭДС Ет, но и сопротивления какой-то /л-ветви.

измеряемое напряжение их и напряжение дрейфа нуля ыд, пропорциональное времени. Задавшись скоростью изменения этого напряжения ?/,, определим изменение напряжения через период: AU=VKTX. Изменение напряжения на Д?/ эквивалентно изменению синусоидального напряжения за время А/. Это время можно определить, если знать скорость нарастания синусоидального напряжения в точке перехода через нуль. Скорость

Преобразователем частоты служит фазовращатель, который вносит фазовый сдвиг а = Ш. Изменение фазы во времени эквивалентно изменению частоты колебания.

(17.21) Поскольку соотношение (17.21) эквивалентно изменению всех

Контур с зависимым источником тока /з=аз''у + Рз''а моделирует изменение заряда в базах тиристора (математически оно эквивалентно изменению заряда конденсатора, т. е. Qc=Q^). В самом деле, при Rc = = 0 имеем

Следовательно, изменение сопротивления в яг-ветви эквивалентно изменению э. д. с. Ет. Таким образом, линейное соотношение между двумя любыми токами (1.14) имеет место при изменении не только э. д. с. Ет, но и сопротивления какой-то т-ветви.

При реактивной нагрузке, как и при активной, якорь также размагничивается быстрее индуктора. При емкостной нагрузке наличие в цепи якоря конденсатора, заряжающегося в процессе преобразования энергии, эквивалентно появлению в цепи якоря переменного сопротивления uc/il>0. При индуктивной нагрузке

Потенциальный барьер можно рассматривать как слой диэлектрика между двумя проводящими поверхностями. Следовательно, при наличии переменного тока в цепи перехода следует учитывать собственную емкость, включенную параллельно переходу. С повышением частоты емкостное сопротивление Хс = 1/шС уменьшается, поэтому для работы на высоких частотах делают приборы с возможно малой емкостью, т. е. с малой площадью электронно-дырочного перехода. В противном случае емкостное сопротивление Хс будет шунтировать переход. В переходе, смещенном в прямом направлении, появляется так называемая диффузионная емкость. Так как диффузия носителей зарядов через переход существенно изменяет величину зарядов в л- и /о-областях, то это эквивалентно появлению дополнительной емкости — диффузионной.

выход. На выходе появляется положительный сигнал высокого уровня, что эквивалентно появлению 1 на выходе схемы. Только в случае, если одновременно на все входы схемы поданы нулевые сигналы, на выходе схемы будет сигнал низкого уровня, обозначающий логический 0.

входов схемы поступит единичный сигнал, то через входной диод и резистор R потечет ток, при этом положительное падение напряжения на резисторе R передается на выход. На выходе появляется положительный сигнал высокого уровня, что эквивалентно появлению 1 на выходе схемы, Только в случае, если одновременно на все входы схемы поданы нулевые сигналы, на выходе схемы будет сигнал низкого уровня, обозначающий логический 0.

Из механики известно, что при действии на вращающийся волчок момента сил возникает так называемое прецессионное движение оси вращения, при котором свободный конец оси волчка начинает совершать круговые движения. Применительно к вращению электронов в атоме такое прецессионное движение эквивалентно появлению дополнительного замкнутого контура тока, магнитное поле которого направлено против внешнего поля и поэтому уменьшает его значение. Возникновение дополнительного магнитного поля, вызванного прецессионным движением магнитного волчка, называется диамагнитным эффектом. Этот эффект возникает при действии внешнего магнитного поля на атомы любого вещества. При устранении внешнего поля диамагнитный эффект тотчас же исчезает.

В случае R6 =0 ток коллектора не изменяется в результате дестабилизирующего воздействия Д/. Если R5 =?Q, то источник тока можно преобразовать в источник напряжения с ЭДС At/ и внутренним сопротивлением R6 ( 3.7). При сопротивлении Re стремящемся к нулю, на базу транзистора подается стабильное, фиксированное напряжение смещения Д?7 — t/вэ и дестабилизирующие факторы Д/КБО и ДЙ21Э не оказывают влияния на режим работы транзистора. Для этого случая характеристика прямой передачи IK; =/(ИБЭ) смещается влево практически параллельно первоначальной со скоростью изменения температуры р-п перехода 2,2 мВ/°С, что эквивалентно появлению в цепи базы дополнительного напряжения, как это показано на 3.8.

Влияние этого эффекта эквивалентно появлению в цепи между базой и эмиттером напряжения duB, но без сдвига характеристики; очевидно, что подача напряжения duB без сдвига или сдвиг характеристики на величину duB сопровождается одним и тем же приращением тока die. Переходя к конечным приращениям, заменим duB на — Д[/0, получая при положительном Д[/0 увеличение тока коллектора на величину

Рассмотрим влияние объемного заряда на работу ЛПД. Носители наряда, возникающие в слое умножешя, уменьшают напряженность электрического поля в этом слое, что эквивалентно появлению в диоде внутренней отрицательной обратной связи. Если бы

Отрицательное сопротивление служит также основой параметрического (с изменяющимся параметром) усиления. В этом случае отрицательное сопротивление появляется в результате нелинейного взаимодействия между сигналом и накачкой высокой частоты. Смесительным элементом, как правило, служит нелинейная проводимость р — ft-перехода с обратным смещением. Параметрические усилители являются узкополосными высокочастотными усилителями, обычно работающими в диапазоне СВЧ. Вообще говоря, они обладают большим шумом, но значительно дешевле, чем мазеры, и обладают меньшим шумом, чем усилители бегущей волны, хотя у последних шире полоса и больше усиление. Важный вклад в шумы параметрического усилителя вносит тепловой шум в холостом контуре на разностной частоте между частотами накачки и сигнала: это эквивалентно появлению в контуре сигнала шумового генератора тока с частотой сигнала, мощность которого пропорциональна величине отрицательной проводимости.

Среди других типов шумов важное место занимают так называемые «модуляционные»; связанные не с флуктуацией параметров, определяющих непосредственно проводимость структуры, а с изменением, например, температуры, величины барьера, величины поверхностного потенциала и других подобных макроскопических характеристик. Например, в охлаждаемых фотоприемниках флуктуации температуры вызывают изменение проводимости прибора, что эквивалентно появлению почти белого шума в полосе частот до частот, обратных постоянной времени флуктуации.

Рассмотрим диффузионное сопротивление базы. Причина его появления заключается в том, что с ростом Ук уменьшается W, что, в свою очередь, приводит к уменьшению концентрации неосновных носителей в базе ( 3.2,е) и напряжения на эмиттере (3.12) при /э= =const. Уменьшение напряжения на эмиттере при 1в= —const эквивалентно появлению дополнительного сопротивления базы ГбД. Поскольку причиной возникновения ГбД является обратная связь между эмиттером и коллектором, то Гбд можно вычислить следующим образом: