Эквивалентный двухступенчатый

Электрическое поле, существующее в переходе, является ускоряющим лишь для неосновных носителей, т. е. для дырок в л-области и для электронов р-области. Возникающие у перехода неосновные носители подхватываются полем и переносятся через переход. Такое явление называется экстракцией носителей. Несмотря на то что объемный заряд увеличивается, ток экстракции (обратный ток) оказывается намного меньше прямого тока. Это связано с тем, что число неосновных носителей справа и слева от границы невелико.

Так же как и при прямом подключении, избыточная концентрация носителей заряда на границах р-п перехода (Appi Ann), полученная при экстракции, экспоненциально растет с увеличением обратного напряжения. По аналогии с: (3.8) для Арр и А^п можно написать

Нетрудно догадаться, что ток через переход прямо пропорционален избыточной концентрации неосновных Ар„, А я,, (при инжекции) и основных Дрр, Дя„ (при экстракции) носителей заряда, которые, в свою очередь, зависят от прикладываемого внешнего напряжения прямого или обратного [(3.8) и (3.9)].

§ 3.2. ВОЛЬТ-АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ДИОДА ПРИ ИНЖЕКЦИИ И ЭКСТРАКЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА

3.13. Зависимости от напряжения составляющих тока через диод, вызванных только процессами инжекции и экстракции носителей заряда через р-п-переход (I) и процессами рекомбинации и генерации носителей заряда в р-п-переходе (2)

В результате фронт волны ионизации быстро пересекает всю я-область, которая заполняется высокопроводящей электронно-дырочной плазмой. Напряженность электрического поля в это время (/,j на 3.59) и напряжение на диоде становятся малыми, что приводит к относительно медленному рассасыванию носителей плазмы из р-«-перехода. Задержка экстракции носителей из р-я-перехода обусловила название «режим с захваченной плазмой».

В связи с тем что в режиме насыщения коллекторный переход уже не осуществляет полной экстракции носителей из базы, там происходит их накопление и интенсивная рекомбинация.

диода при инжекции и экстракции носителей заряда...... 78

Одну из этих величии,. характеризующую перераспределение зарядов в запирающем слое, называют барьерной емкостью. Вторая составляющая — диффузионная емкость — отображает перераспределение зарядов у границ перехода в результате инжекции . и экстракции носителей.

В режиме насыщения коллекторный и эмиттерный переходы смещены в прямом направлении и через них происходит инжекция носителей в базу. Однако коллекторный переход одновременно выполняет и функцию экстракции носителей, поэтому ток через него течет в направлении от базы к коллектору. Величины напряжений на эмиттерном и коллекторном переходах невелики (0,3 — 0,6 В), поэтому в практических расчетах можно считать, что насыщенный транзистор стягивается в эквипотенциальную точку. За счет ин-жекции носителей через прямосмещенные переходы в базе транзистора в режиме насыщения накапливается избыточный заряд носителей тока (дырок), что ухудшает, как будет показано далее, переходные процесы в ключе. Однако использование насыщенного режима повышает стабильность выходного напряжения с изменением температуры и напряжения питания, так как пока транзистор не вышел из режима насыщения, его uovs = UKm остается постоянным и близким к нулю.

Одну из этих величии,. характеризующую перераспределение зарядов в запирающем слое, называют барьерной емкостью. Вторая составляющая — диффузионная емкость — отображает перераспределение зарядов у границ перехода в результате инжекции . и экстракции носителей.

Сначала заданный график нагрузки в виде зависимости мощности S, передаваемой трансформатором во времени, преобразуется в эквивалентный двухступенчатый [4] (допускается в качестве исходного графика нагрузки использовать график изменения тока нагрузки во времени). Для этого на исходном графике нагрузки ( 7.1, а) проводят линию поминальной мощности S,,OM трансформатора.

Сначала заданный (или построенный) график нагрузки послеаварийного режима преобразуется в эквивалентный двухступенчатый по формулам (7.4) -(7.8). По найденным параметрам К\, KI и 1„ проверяют допустимость аварийной перегрузки либо путем выполнения теплового расчета по методике приложения П.5, либо приближенными способами.

Для пользования графиками нагрузочной способности реальный график нагрузки трансформатора должен быть преобразован и эквивалентный двухступенчатый. При этом возможны три случая:

1.2. Преобразование исходного графика нагрузки трансформатора в эквивалентный двухступенчатый прямоугольный график:

Преобразование заданного или реального в эксплуатации графика нагрузки конкретного трансформатора в эквивалентный двухступенчатый график производится следующим образом. На заданном графике нагрузки I(t) или S(t) наносится прямая соответственно по уравнению

Для пользования графиками нагрузочной способности реальный график нагрузки трансформатора должен быть преобразован в эквивалентный двухступенчатый. При этом возможны три случая:

Для пользования графиками нагрузочной способности реальный график нагрузки трансформатора должен быть преобразован в эквивалентный двухступенчатый. При этом возможны три случая:

22.25. Преобразование заданного графика нагрузки в эквивалентный двухступенчатый

ми Ки К2 и h ( 22.24). Предварительно заданный суточный график должен быть преобразован в эквивалентный (в отношении износа) двухступенчатый. Преобразование заданного графика нагрузки в эквивалентный двухступенчатый график ( 22.25) следует выполнять в следующей последовательности:

теплового процесса 45 Потребители элекiроэнергии 13 Преобразования трафика нагрузки в эквивалентный двухступенчатый 332 Продолжительность использования:

в эквивалентный двухступенчатый. При этом возможны три варианта:

в эквивалентный двухступенчатый. При этом возможны три варианта: