Экспоненциально возрастает

Для пуассоновского потока требований характерно экспоненциальное распределение времени между соседними требованиями

Анализ надежности предполагает использование математических моделей, отражающих вероятностные процессы функционирования исследуемых реальных устройств. Последние полностью характеризуются законами распределения (плотностью вероятности) некоторых случайных величин. В большинстве случаев, встречающихся на практике, в качестве моделей распределений времени безотказной работы и наработки между отказами могут быть использованы распределение Вейбулла, гамма-распределение и их важнейший частный случай — экспоненциальное распределение, а также нормальное распределение.

В большинстве случаев, встречающихся на практике, можно использовать в качестве модели распределений времени безотказной работы элементов систем управления электроприводами экспоненциальное распределение. Полной и удобной характеристикой этого распределения является интенсивность отказов К, имеющая постоянное значение. Параметр потока отказов системы с

При k, равном единице, ai = 1, т. е. распределение Эрланга превращается в экспоненциальное распределение; с увеличением k сред-неквадрэтическое отклонение стремится к нулю; тогда время обслуживания стремится к постоянной величине (определяемой, очевидно, значением 7), т. е. при А-»-оо процесс с распределением Эрланга вырождается в процесс с постоянной длиной сообщения. Гиперэкспоненциальное распределение представляет собой сумму экспоненциальных функций вида

q =_?_ — экспоненциальное распределение (4.8)

При 6=1 из уравнения (1.38) получается экспоненциальное распределение.

Таким образом, экспоненциальное распределение представляет собой частный случай распределения Вейбулла.

Частными называются свойства, которые применимы к конкретным видам закона распределения. Посмотрим, получится ли экспоненциальное распределение из композиции двух экспоненциальных распределений.

Итак, при воздействии на квадратичный детектор с фильтром нижних частот узкополосного нормального процесса шум на выходе всего устройства имеет экспоненциальное распределение.

Итак, при воздействии на квадратичный детектор с фильтром нижних частот узкополосного нормального процесса шум на выходе всего устройства имеет экспоненциальное распределение.

Внезапные отказы электрических изделий (обычно в периоде нормальной эксплуатации) подчиняются экспоненциальному закону распределения, износовые отказы — приблизительно нормальному закону, отказы в период приработки можно с определенной степенью достоверности отнести к распределению Вейбулла [14]. Экспоненциальное распределение имеет место только при постоянстве интенсивности внезапных отказов. Нормальное распределение (двухпараметри-ческое) имеет место в том случае, когда на исследуемый объект воздействует целый ряд случайных факторов. В электрических машинах к нормальному закону близко

Входная характеристика транзистора изображена на 38, а. Характеристика, снятая при ?/кб=0, т. е. когда коллектор и база закорочены, точно соответствует вольтамперной характеристике полупроводникового диода в пропускном направлении: ток /э экспоненциально возрастает с ростом напряжения f/эб- При очень больших токах 1Ъ входные характеристики близки к линейным. Увеличение отрицательных значений ?/Кб вызывает смещение кривых влево, ближе к оси токов. Это смещение незначительно, и при напряжениях t/кб порядка нескольких вольт характеристики практически сливаются, что объясняется слабым влиянием напряжения коллектора t/K6 на эмит-терный переход. Иногда для схем с ОБ приводят только одну входную характеристику при одном фиксированном напряжении

Известно, что ток инжекции р-п перехода экспоненциально возрастает при повышении прямого напряжения, причем увеличение напряжения на 2,3 фт, где срт — тепловой потенциал (т. е. на 60 мВ при Т = 300 К), приводит к десятикратному увеличению тока инжекции [3]. Поэтому электроны будут инжектироваться из коллектора преимущественно в пассивную область базы 2, т. е. не будут достигать эмиттерных переходов, что приведет к необходимому уменьшению инверсного коэффициента передачи До 0,005 ...0,05.

На обратный ток повышение температуры влияет существенно, поскольку он зависит от концентрации неосновных носителей заряда, которая при повышении температуры экспоненциально возрастает.

Следовательно, частотная характеристика Z^x экспоненциально возрастает от re до значения, которое определяется по (4.86). Однако параллельно этому сопротивлению включаются два резистора R\ и #2 сравнительно небольших номиналов (десятки килоом), что в итоге приводит к значительному уменьшению входного сопротивления эмиттерного повторителя даже в области нижних частот. Чтобы входное сопротивление эмиттерного повторителя не снижалось за счет резисторов R\ и R?, применяется схема, показанная на 4.23. В этой схеме к средней точке резисторов R3\ и R3z подключается дополнительный резистор R с большим сопротивлением, что позволяет получить достаточно большое входное сопротивление эмиттерного повторителя, особенно если используется конденсатор С, показанный штриховой линией, и динамическая нагрузка в цепи эмиттера.

Это важнейшее выражение физики полупроводников показывает, что собственная концентрация электронов резко (экспоненциально) возрастает с увеличением температуры, причем я, при заданной абсолютной температуре Т тем меньше, чем больше ширина запрещенной зоны. При расчетах Hi следует иметь в виду, что ЛГСЛГС,~Г3, ago зависит от температуры: <§G= (§oo—k\T, где <§оо — значение, экстраполированное к Т = 0 К.

Таким образом, при прямом смещении р-п перехода осуществляется инжекция неосновных носителей заряда и их концентрация экспоненциально возрастает с увеличением прямого напряжения. При обратном смещении р-п перехода (?/<<0) высота потенциального барьера повышается и количество основных носителей заряда, преодолевающих барьер, экспоненциально уменьшается. Выражения (1.97) и (1.98) называются граничными условиями для неосновных носителей заряда или условиями Шокли.

Таким образом, на этапе включения транзистора с ОЭ ток коллектора экспоненциально возрастает во времени с постоянной нарастания тоэ, как показано на 2.28, в.

Выходные характеристики — это зависимости выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе, являющемся параметром. Для схемы ОБ семейство выходных характеристик я-р-п-транзистора представлено на 4.17; здесь параметром служит ток эмиттера. Область характеристик при L/КБ > 0 соответствует активному режиму (АР), где /к^а/э. Так как а~1, то /к^/э- Область характеристик при ?/КБ <0 относится к режиму насыщения (РН), где с ростом прямого напряжения коллекторного перехода экспоненциально возрастает его ток инжекции, направленный противоположно току коллектора, поэтому полный ток /к уменьшается и может даже изменить направление.

что область насыщения, как у газов, отсутствует. Лишь у неполярных жидкостей высокой степени очистки на кривой наблюдается небольшой горизонтальный участок, соответствующий области насыщения. При напряжешюстях порядка 10* -т- 105 в/см начинаются ионизационные процессы в жидких диэлектриках, и проводимость экспоненциально возрастает.

которая растет незначительно, это увеличение незначительно ( 1.16, б), а обратный ток на повышение температуры влияет существенно, поскольку он зависит от концентрации неосновных носителей заряда, которая при повышении температуры экспоненциально возрастает.

Из (2.4) следует, что если К^ > 1, мощность реактора экспоненциально возрастает, если Кэ^ < 1, мощность реактора убывает во времени. Эти состояния называются соответственно надкритическим и подкритическим.